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고분자 공중합체와 알루미늄 양극 산화막 템플레이트를 이용한 나노점 배열 형성
박성찬,배창현,박승민,하정숙,Park Sung-Chan,Bae Chang-Hyun,Park Seung-Min,Ha Joeng-Sook 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.4
자발적인 미세상 분리에 의해 실린더형의 규칙적인 배열을 형성하는 고분자 공중합체와 알루미늄의 양극산화에 의해 실린더형 기공 배열이 형성되는 알루미나 템플레이트를 이용하여 다양한 물질의 나노점 배열을 형성하였다. 펄스형 레이저 기상 증착법을 이용하여 은, 니켈, 산화아연, 실리콘, 코발트 / 백금 나노점 배열을 얻었는데, 나노점의 크기와 배열은 템플레이트의 기공 크기와 배열을 보여주었다. 이러한 템플레이트 기법을 이용하면 나노점의 밀도는 고 분자 공중합체와 알루미나의 경우 각각 $6{\times}10^{11}/cm^2$ 와 $1{\times}10^{10}/cm^2$ 이다. 이중 에르븀이 도핑된 실리콘 나노점과 ZnO 나노점 배열은 PL 측정을 통하여 물질의 광학성질에 관해 알아보았다. 에르븀이 도핑된 실리콘 나노점 배열은 $1.54{\mu}m$에서 강한 빛을 내며 ZnO 나노점 배열은 380 nm 에서 강한 PL 세기를 나타낸다. We have fabricated nanodot arrays by using phase separated (PS- b- PMMA) diblock copolymer film and anodic aluminum oxide (AAO) membrane as templates with hexagonal arrays of cylindrical microdomains perpendicular to the substrate. Pulsed laser deposition technique was used to deposit various kinds of materials including Ag, Ni, ZnO, Si:Er, and Co/Pt onto Si substrates. The size and separation of nanodots correspond to those of the templates used, The density of nanodots was estimated to be $6{\times}10^{11}/cm^2$ and $1{\times}10^{10}/cm^2$ when the diblock copolymer and AAO were used, respectively. In particular, the optical properties of ZnO and Si: Er nanodot arrays were investigated and the strong photoluminescence at 380 nm and $1.54{\mu}m$ was observed from ZnO and Si:Er nanodot arrays, respectively.
Park, Seong-Ju,Kim, Sung Bock,Lee, El Hang,Ro, Jeong Rae,Yi, Jae-Yel,Lee, Joeng Yong,Ha, Jeong Sook,Park, Hyo Hoon 東亞大學校附設基礎科學硏究所 1997 基礎科學硏究論文集 Vol.14 No.1
Temperature-dependent evolution of surface corrugation and the interface dislocation in ?? epilayer on GaAs(100) substrate grown by chemical beam epitaxy using unprecracked monoethylarsine have been investigated by atomic force microscope(AFM) and transmission electron microscopy (TEM). AFM images showed that the line direction of surface ridge changes from [011] to [011] with increasing temperature. However, TEM micrographs showed that dislocation networks are formed along both [011] and [011] directions at the interface. These results indicate that growth kinetics on the terrace and at surface steps generated by the dislocations play an important role in determining the direction of surface corrugation. We suggest that the temperature-dependent change of surface corrugation is caused by an anisotropic surface diffusion on the terrace and different sticking probability of adsorbates on the surface steps which were produced by interface misfit dislocation along the two orthogonal surface directions.