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        Structure and Photoluminescence of ZnS - ZnSe Superlattices Grown by Hot Wall Epitaxy

        최용대(Y. D. Choi),S. Sakakibara(S. Sakakibara),K. Ishino(K. Ishino),A. Ishida(A. Ishida),H. Fujiyasu(H. Fujiyasu) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.2

        Hot wall epitaxy법에 의하여 GaAs(100)면 위에 ZnS-ZnSe 초격자를 성장하였다. ZnS-ZnSe 초격자의 주기는 x-선 회절 패턴에 의하여 확인되었고, 이것은 변형을 고려하여 계산된 이론적인 패턴과 비교되었다. 경계면에 평행한 ZnS와 ZnSe의 변형의 비는 ZnSe에 대하여 ZnS의 두께가 증가할수록 감소되었다. ZnS-ZnSe 초격자의 photoluminescence(PL)는 고에너지 영역의 예리한 스펙트럼과 저에너지 영역의 폭이 넓은 스펙트럼으로 구성되어 있다. PL의 광자 에너지는 Kronig-Penney 모델을 사용하여 계산된 이론적인 에너지 값과 비교한 결과 type I의 초격자임을 알았다. ZnS-ZnSe superlattices(SLs) were grown on the GaAs(100) by hot wall epitaxy. The period of ZnS-ZnSe SLs grown was confirmed by X-ray diffraction patterns, and compared with the theoretical pattern calculated considering the strain. It was calculated that the strain ratios of ZnS and ZnSe parallel to interfaces are decreased with increasing the ZnS thickness for ZnSe one. The photoluminescence(PL) of ZnS-ZnSe SLs consists of a sharp. line in the high energy region and of broad spectra in the lower energy region. The peak photon energy of ZnS-ZnSe PL was compared with the energy of the theoretical calculations using Kronig-Penney model, and ZnS-ZnSe SLs were considered to be type I.

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