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현재성(Hyun, Jae-Sung),손태호(Son Taeho) 한국산학기술학회 2006 한국산학기술학회 학술대회 Vol.- No.-
본 논문에서는 USPCS 기지국 송신밴드 (주파수 대역 1.93 Ghz?1.00 Ghz)에 만족하는 소형이면서도 대역폭이 넓은 슬롯 삼각형 패치 안테나를 설계 및 제작하였다. 각각의 슬롯의 길이와 폭을 변화시켰을 때의 입력반사계수의 특성을 고찰하였고, 슬롯이 있을 때와 없을 때의 패치 안테나의 크기를 비교하였다. 그 결과 슬롯에 의해 크기를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 대역폭도 넓힐 수 있음을 확인하였다.
ICP Poly Etcher를 이용한 RF Power와 HBr Gas의 변화에 따른 Polysilicon의 건식식각
남상훈,현재성,부진효,Nam, S.H.,Hyun, J.S.,Boo, J.H. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.6
플래시 메모리 반도체의 고집적화와 고밀도화가 진행함에 따라 플래시 메모리의 트랜지스터 안 선폭을 중심으로 게이트 패턴의 미세화가 진행 중이다. 최근 100 nm 이하의 선폭을 구현하기 위해서 ONO(oxide-nitride-oxide)를 사용하기 위한 연구가 개발 중이고, 이러한 100 nm이하의 미세 선폭으로 갈수록 식각 속도와 식각의 프로파일은 중요한 요인으로 작용하고 있다. ICP 식각 장비를 이용하여, power를 50 W 증가 하였을 때, 각각 식각 속도와 포토레지스트와의 선택비를 확인 한 결과 platen power를 100 W로 올렸을 경우 가장 좋은 결과를 나타내었다. 100 W에서 HBr가스의 유량에 변화를 주었을 경우 가스의 양을 증가 할수록 식각 속도는 감소하였지만, 포토레지스트와의 선택비는 증가함을 보였다. 유도결합 플라즈마 식각 장비를 가지고 platen power를 100 W, HBr gas를 35 sccm 공급하여 하부 층에 노치가 형성이 안되고, 식각 속도 320 nm/min, 감광액과의 선택비 3.5:1, 측면식각 프로파일이 수직인 공정 조건을 찾았다. Scale down of semiconductor gate pattern will make progress centrally line width into transistor according to the high integration and high density of flash memory semiconductor. Recently, the many researchers are in the process of developing research for using the ONO(oxide-nitride-oxide) technology for the gate pattern give body to line breadth of less 100 nm. Therefore, etch rate and etch profile of the line width detail of less 100 nm affect important factor in a semiconductor process. In case of increasing of the platen power up to 50 W at the ICP etcher, etch rate and PR selectivity showed good result when the platen power of ICP etcher has 100 W. Also, in case of changing of HBr gas flux at the platen power of 100 W, etch rate was decreasing and PR selectivity is increasing. We founded terms that have etch rate 320 nm/min, PR selectivity 3.5:1 and etch slope have vertical in the case of giving the platen power 100 W and HBr gas 35 sccm at the ICP etcher. Also notch was not formed.
이민호,서덕하,이춘우,최재휘,제성욱,이신우,최시민,화정석,현재성,정기현,감성철 대한남성과학회 2020 The World Journal of Men's Health Vol.38 No.2
Purpose: To investigate the association of erectile dysfunction (ED), premature ejaculation (PE), and chronic prostatitis/chronic pelvic pain syndrome (CP/CPPS) in men with late-onset hypogonadism (LOH). Materials and Methods: We reviewed the data of 408 enrolled men between January 2014 and January 2019. All participants completed the Androgen Deficiency in the Aging Male (ADAM), international index of erectile function-5 (IIEF-5), National Institutes of Health chronic prostatitis symptom index (NIH-CPSI), and premature ejaculation diagnostic tool (PEDT) questionnaires. Participants were divided by ADAM positive (ADAM+: Group 1) and ADAM negative (ADAM–: Group 2). Results: Total of 289 subjects were in Group 1 and 119 were in Group 2. The mean age was 53.8±7.8 years. The mean total testosterone was 4.8±1.2 ng/dL and showed no differences between the groups (p=0.839). In Groups 1 and 2, ED (IIEF≤21) was identified in 233 (80.6%) versus 37 (31.1%), respectively (p<0.001). The prevalence of PE (PEDT≥9) was 112 (38.7%) versus 13 (10.9%) in Groups 1 and 2, respectively (p<0.001). However, PE (intravaginal ejaculation latency time<5 minutes) showed no differences between the groups (p=0.863). The incidence of chronic prostatitis (NIH-CPSI pain score≥4) showed significant differences with 49 (17.0%) versus 8 (6.7%) in Groups 1 and 2, respectively (p=0.007). IIEF-5 total score showed the significantly highest negative correlation (r=-0.313, p<0.001). Conclusions: Those who complained of LOH symptoms and positive results in the ADAM questionnaire need to be assessed concurrently with the above questionnaires. This could aid useful to detect of ED, PE, and chronic prostatitis co-occurrence.