http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 허윤성(Yun-Seong Heo) (검색결과 4 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
-
LTCC 의사 유전체 공진기를 이용한 초소형 전압제어발진기 설계
허윤성(Yun-Seong Heo),오현석(Hyun-Seok Oh),정해창(Hae-Chang Jeong),염경환(Kyung-Whan Yeom) 한국전자파학회 2012 한국전자파학회논문지 Vol.23 No.5
본 논문에서는 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) 공정을 이용하여 다층 구조의 의사 유전체 공진기를 설계하고, 이를 HMIC(Hybrid Microwave Integrated Circuit) 형태의 증폭기, 위상천이기와 함께 폐루프를 구성하여 초소형 전압 제어 의사 유전체 공진기 발진기(Vt-ADRO: Voltage-tuned Artificial Dielectric Resonator Oscillator)를 제작하였다. 의사 유전체 공진기는 주기적인 도체 패턴과 적층을 통해 기존의 유전체 공진기보다 소형의 크기를 갖는 공진기이다. 의사 유전체 공진기의 형상은 기본 도체 패턴 원판형을 갖고 이것을 적층하는 구조를 선정하였으며, 공진기의 물리적 치수 및 적층 수에 따른 공진 특성을 분석하였다. 소형의 크기로 제작하기 위하여 LTCC 기판의 상부에 의사 유전체 공진기를 내장하고, 하부에 증폭기, 위상천이기를 집적하였다. 제작된 의사 유전체 공진기 발진기는 13×13×3 mm<SUP>3</SUP>로 초소형이며, SMT(Surface Mount Technology) 형태를 갖는다. 설계된 발진기는 설계 주파수에서 개루프 발진 조건을 만족하였으며, 폐루프 측정 결과, 발진 주파수는 조정 전압 0~5 V에서 2.025~2.108 GHz, 위상 잡음은 100 kHz offset에서 ?109±4 dBc/Hz, 출력 전력은 6.8±0.2 dBm을 보이며, PFTN(Power Frequency Tuning Normalized) FOM(Figure Of Merit)은 ?30.88 dB를 보인다. In this paper, we present an ultra miniaturized voltage tuned oscillator, with HMIC-type amplifier and phase shifter, using LTCC artificial dielectric resonator. ADR which consists of periodic conductor patterns and stacked layers has a smaller size than a dielectric resonator. The design specification of ADR is obtained from the design goal of oscillator. The structure of the ADR with a stacked circular disk type is chosen. The resonance characteristic, physical dimension and stack number are analyzed. For miniaturization of ADRO, the ADR is internally implemented at the upper part of the LTCC substrate and the other circuits, which are amplifier and phase shifter are integrated at the bottom side respectively. The fabricated ADRO has ultra small size of 13×13×3 mm<SUP>3</SUP> and is a SMT type. The designed ADRO satisfies the open-loop oscillation condition at the design frequency. As a results, the oscillation frequency range is 2.025~2.108 GHz at a tuning voltage of 0~5 V. The phase noise is ?109±4 dBc/Hz at 100 kHz offset frequency and the power is 6.8±0.2 dBm. The power frequency tuning normalized figure of merit is ?30.88 dB.
-
2 ㎓ 선형 위상 천이 특성을 갖는 소형 아날로그 위상천이기
오현석(Hyun-Seok Oh),최재홍(Jae-Hong Choi),정해창(Hae-Chang Jeong),허윤성(Yun-Seong Heo),염경환(Kyung-Whan Yeom) 한국전자파학회 2011 한국전자파학회논문지 Vol.22 No.1
본 논문에서는 2 ㎓ 선형 위상 천이 특성을 갖는 위상천이기를 설계 및 제작하여 보였다. 소형의 위상 천이기 구현을 위해 집중소자로 구성된 전통과 회로망(all pass network)을 기반으로 위상천이기를 구성하고, 박막 세라믹 공정을 이용하여 제작하였다. 또한, 선형의 위상 천이 특성을 얻기 위해 버랙터(varactor) 다이오드에 직렬 커패시터를 연결하여, 전압에 대한 커패시턴스를 선형화함으로써 비선형성을 개선하였다. 전통과 회로망에 나타나는 인덕터는 스파이럴 인덕터로 구현하고, 이를 다이오드 바이어스 회로에 활용하여 4 ㎜×4 ㎜ 면적을 가지는 소형 위상천이기를 구성할 수 있었다. 또한, 온-웨이퍼(on wafer)로 측정을 위해 입출력은 CPW(Coplanar Waveguide) 형상으로 구현하였으며, 제작된 위상천이기는 버랙터 조정 전압 0~5 V에 대하여, 2 ㎓에서 삽입 손실은 약 4.2~4.7 ㏈, 위상 변화량은 약 79°였으며, 예상한대로 선형 위상 천이 특성을 보였다. In this paper, we present a 2 ㎓ compact analog phase shifter with linear phase-tune characteristic. The compact phase shifter was designed base on a lumped all pass network and implemented using a ceramic substrate fabricated with thin-film technique. For a linear phase-tune characteristic, a capacitance of the varactor diode for a tuning voltage was linearized by connecting series capacitor and subsequently produced an almost linear capacitance change. The inductor and bias circuit in the all pass network was implemented using a spiral inductors for small size, which results in the size reduction to 4 ㎜×4 ㎜. In order to measure the phase shifter using the probe station, two CPW pads are included at the input and output. The fabricated phase shifter showed an insertion loss of about 4.2~4.7 ㏈ at 2 ㎓ band and a total 79° phase change for DC control voltage from 0 to 5 V, and showed linear phase-tune characteristic as expected in the design.
-
WiMAX 대역 GaN HEMT 4 W 소형 전력증폭기 모듈 설계
정해창(Hae-Chang Jeong),오현석(Hyun-Seok Oh),허윤성(Yun-Seong Heo),염경환(Kyung-Whan Yeom),김경민(Kyoung-Min Kim) 한국전자파학회 2011 한국전자파학회논문지 Vol.22 No.2
본 논문에서는 WiMAX 주파수 대역(2.3~2.7 ㎓)에서 동작하는 4 W급 소형 전력증폭기 모듈을 설계, 제작 하였다. 본 연구에 사용된 능동소자는 최근 발표된 Triquint사의 GaN HEMT 소자(Bare-chip)이다. 본 논문에서는 전력증폭기를 설계하기 위하여, 먼저 자체 제작한 조정용 지그(jig)를 사용하여 상용 칩의 최적 임피던스를 실험을 통해 추출하였으며, 추출한 임피던스를 적용한 EM-simulation으로 F급 설계를 행하였다. 소형의 패키지(모듈) 에 집적하고 정합하기 위하여 인덕터와 커패시터는 각각 spiral inductor, interdigital capacitor로 구현하였다. 소형으로(4.4×4.4 ㎟) 패키지된 전력증폭기 모듈의 경우, 출력은 36 ㏈m, 효율은 50 % 그리고 2차 및 3차 고조파에 대한 고조파 억제는 40 ㏈c 이상의 특성을 보였다. In this paper, a design and fabrication of 4 W power amplifier for the WiMAX frequency band(2.3~2.7 ㎓) are presented. The adopted active device is a commercially available GaN HEMT chip of Triquint Company, which is recently released. The optimum input and output impedances are extracted for power amplifier design using a specially self-designed tuning jig. Using the adopted impedances value, class-F power amplifier was designed based on EM simulation. For integration and matching in the small package module, spiral inductors and interdigital capacitors are used. The fabricated power amplifier with 4.4×4.4 ㎟ shows the efficiency above 50 % and harmonic suppression above 40 ㏈c for second(2nd) and third(3rd) harmonic at the output power of 36 ㏈m.
DBpia연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
