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      저자 : 쿠니요시 요꾸(Kuniyoshi Yokoo) (검색결과 1 건)
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        Emission Characteristics of MOS Electron Tunneling Cathode

        쿠니요시 요꾸(Kuniyoshi Yokoo) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.3

        실리콘 gate의 MOS 전자 턴넬링 전극을 구성하여 그 특성을 조사하였다. 전자 방출은 전 gate 영역에서 MOS diode의 전위차를 지나는 턴넬링에 의하여 일어나고 안정하였다. 측정된 전류에서 산화막과 gate에서의 열전자의 충돌을 연구하였다. 방출된 전류는 압력에 관계없이 일정하였다. Si-gate MOS electron tunneling cathode was fabricated and its emission characteristics were examined. The emission occurred from an entire gate area by electron tunneling through the potential barrier in the MOS diode and was stable in the Si-gate diode. The energy distribution of emitted electrons was measured and was confirmed to be mainly determined by the scattering process of hot electrons in the oxide and gate. The emission current from the tunneling cathode was nearly independent of pressure.

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