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운반기체와 Ligand의 첨가가 MOCVD Cu 증착에 미치는 영향에 관한 연구
최정환(J. H. Choi),변인재(I. J. Byun),양희정(H. J. Yang),이원희(W. H. Lee),이재갑(J. G. Lee) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.3
(hfac)Cu(l,5-COD)(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentadionato Cu(I) 1,5-cyclooctadine) 증착원을 이용하여 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) Cu 박막을 형성하였고, 운반기체가 MOCVD Cu 증착 특성에 미치는 영향에 관하여 조사하였다. 증착된 Cu 박막은 H₂ 운반 기체를 사용한 경우 Ar을 운반기체로 사용한 경우에 비하여 증착률의 증가와 더불어 낮은 비저항을 갖는 박막을 얻을 수 있었다. 또한 표면 거칠기의 개선과 강한 (111) 우선 배향성을 나타내는 박막을 얻을 수 있었으나 접착성의 경우에 있어서는 H₂ 운반 기체를 사용한 경우 감소하는 결과를 나타내었다. 이러한 접착성 감소의 원인은 AES분석에서 확인된 바와 같이 박막내부에 존재하는 F의 영향인 것으로 사료된다. H(hfac) ligand의 첨가 효과에 대하여 조사한 결과에서는 Ar 운반 기체를 사용한 경우 H(hfac) 첨가 시 증착률의 향상이 이루어졌으나 H₂ 운반 기체의 경우 큰 변화를 나타내지 않았고, 비저항의 경우에는 운반 기체와 관계없이 감소하는 결과를 보여 H(hfac) 사용이 증착 특정 개선에 효과적으로 나타났다. 따라서 본 연구에서는 운반기체 변화 및 H(hfac) ligand의 첨가 실험을 통해 MOCVD Cu의 증착기구를 조사하였으며, 이러한 공정조건의 변화가 Cu 박막의 표면거칠기 개선과 동시에 비저항을 낮추는 역할을 하는 것으로 나타났다. The deposition characteristics of MOCVD Cu using the (hfac)Cu(1,5-COD)(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentadionato Cu(I) 1,5-cyclooctadine) have been investigated in terms of the effects of carrier gas such as hydrogen and argon as well as the effects of H(hfac) ligand addition. MOCVD Cu using a hydrogen carrier gas led to a higher deposition rate and lower resistivity than an argon carrier gas system. The improvement in the surface roughness of the MOCVD Cu films and the (111) preferred orientation texture was obtained by using a hydrogen carrier gas. However, the adhesion characteristics of the films showed relatively weaker compared to the Ar carrier gas system, probably due to the larger amount of F content in the films, which was confirmed by the AES analyses. When an additional H(hfac) ligand was added, the deposition rate was significantly enhanced in the case of an argon + H(hfac) carrier gas system while significant change in the deposition rate of MOCVD Cu was not observed in the case of the hydrogen carrier gas system. However, the addition of H(hfac) in both carrier gases led to lowering the resistivity of the MOCVD Cu films. In conclusion, this paper suggests the deposition mechanism of MOCVD Cu and is expected to contribute to the enhancement of smooth Cu films with a low resistivity by manipulating the deposition conditions such as the carrier gas and addition of H(hfac) ligand.
최정환(J. H. Choi),추교남(K. N. Choo),우요섭(Y. S. Woo) 한국재활복지공학회 2012 재활복지공학회논문지 Vol.6 No.1
대부분의 보완?대체 의사소통은 별도의 전용기기를 사용하여 제공하거나 휴대가 어려운 데스크톱 또는 현재는 거의 사용하지 않는 Windows 기반의 태블릿 등에서 제공되는 연구들이 대부분이었다. 게다가, 앞선 연구들의 고유명사 처리는 사전을 만들어 제공하는 형식이었기 때문에 무수히 많은 고유명사에 대한 처리가 거의 불가능하였고 향후 연구과제로 많이 지적되고 있었다. 본 논문에서는 현재 급속도록 보급되고 있는 스마트 기기를 활용하여 과거의 연구 과제로 남았던 고유명사 처리에 대한 해결 방법을 제안한다. 또한, 신체장애를 가진 사람을 위하여 버튼을 이용한 입력방법과 키보드를 통한 입력 시 생길 수 있는 오류에 대한 보완 방법도 제안한다. 본 연구에서는 제안하는 보완?대체 의사소통 시스템의 유용성을 확인하기 위하여 안드로이드 기반의 모바일 어플리케이션을 구현하였다. 실험결과 사용자의 위치와 선택에 따라 주변에 있는 다양한 고유명사가 도출되어 문장을 생성하는데 도움을 주는 것을 확인할 수 있었다. Most Augmentative and Alternative Communication(AAC) use exclusive equipment or studied desktop, tablet PC based windows. Besides, the preceding study offers proper noun dictionary so, henceforward study has problem to innumerable proper noun processing. This paper suggests a method of proper noun processing using a mobile smart equipment. And via the button with virtual keyboard input method and the errors that can occur is also proposing a complementary way. AAC system to check availability for application on Android has been implemented. Experimental results, depending on user location and selection of proper nouns in the around could produce a sentence is derived.
TDEAT TiN 증착률에 영향을 미치는 인자들에 대한 연구
최정환(J. H. Choi),이재갑(J. G. Lee),박상준(S. J. Park),김재호(J. H. Kim),홍해남(H. N. Hong),윤의중(E. J. Yun),김좌연(J. Y. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.3
낮은 평형압력을 가진 TDEAT 증착원을 이용하여 TiN 증착을 실시한 실험에서 TiN 증착률에 영향을 주는 인자들에 대하여 연구를 실시하였다. TiN 성장률은 bubbler 온도, 증착온도, 운반기체관의 conductance, 운반기체 종류에 따라 큰 영향을 받고 있었다. 또한 bubbler로 유입되는 운반기체관의 가열에 의하여도 증착률 증가가 적은 범위에서 이루어지고 있음이 관찰되었다. 이와함께 chamber 내로 유입되는 운반관을 90℃로부터 120℃로 가열한 실험에의하면 운반관 가열이 TiN 성장 증가를 일으키고 있으며, 온도에 대한 TiN 성장은 약 0.2 eV의 활성화에너지를 가진 Arrhenius 형태로 증가되고 있었다. We have studied the factors influencing the growth rate of TiN deposited from TDEAT using a bubbler. The growth rate of TiN was primarily dependent on the bubbler temperature, deposition temperature, gas delivery line conductance and carrier gases. In addition, the heating of the gas line through which carrier gas was delivered to the bubbler increased the growth rate slightly. Also heating of the delivery gas line between the bubbler and the chamber caused the increase of the growth rate of TiN, showing the Arrehenius behaviour with the activation energy of 0.2 eV.
IEC61850 9-2 SMV 기반 전자식 변성기 개발
최정환(J. H. Choi),장성일(S. I. Jang),김연희(Y. H. Kim),김용균(Y. K. Kim),강용철(Y. C. Kang),안용호(Y. H. An),송인준(I. J. Song),이남호(N. H. LEE) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.7
This paper describes a compact Iron-cored Electronic Current Transformer(ECT) based on IEC 61850 9-2. The ECT developed in this study has the feature of designing the current transformer with compact iron-core, compensating error due to the nonlinear characteristic of iron-core, and applying IEC 61850 9-2 for sampled value(SMV). We test the performance of the product developed in the study in KERI, KEPRI.