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5G FR2 밴드 기지국용 GaN 평형 전력증폭기 MMIC
지홍구,정준형,강동민 한국전자파학회 2023 한국전자파학회논문지 Vol.34 No.6
In this study, a power amplifier, which is an essential component, was implemented for an RF system of a 5G FR2 band base station. The design was verified using NP15-00 0.15-μm-gate GaN-on-SiC HEMT process (Win Semiconductors, Taiwan) with a high power density and excellent frequency characteristics for use in 5G base stations. The manufactured power amplifier integrated circuit was measured in the form of a balanced amplifier using a Lange coupler to improve the input and output reflection characteristics. The measurement results were a small signal gain of 18 dB, output power of 9 W, power-added efficiency of 25 %, and a size of 3.6 mm×3.0 mm2 within the frequency range of 27∼29 GHz.
지홍구,오대곤,김도영,황대환,차재선,김정태,최윤호,Ji, H.K.,Oh, D.K.,Kim, D.Y.,Hwang, D.H.,Cha, J.S.,Kim, J.T.,Choi, Y.H. 한국전자통신연구원 2019 전자통신동향분석 Vol.34 No.2
Korea has pursued economic development based on ICT through R&D policy incorporating CDMA. However, the future society of the Fourth Industrial Revolution is expected to include a new type of industrial development that combines ICT with the non-ICT industry, making it impossible to secure national competitiveness without the source technology of the ICT industry. Therefore, in this thesis, we examine the ICT industry and ICT R&D policy from the point of view of the current ICT as a future source technology source of Korea, and identify strategies to determine ICT as a future technology source through a SWOT analysis.
지홍구,장동필,신동환,염인복,Ji, H.G.,Chang, D.P.,Shin, E.H.,Yom, I.B. 한국전자통신연구원 2011 전자통신동향분석 Vol.26 No.4
이동통신 및 위성통신 분야에 있어서 무선통신기술은 무선환경에서 신호를 보내고 받는 기능을 수행하는 중요한 분야이다. 이러한 무선통신 분야에서 송수신단을 구성하는 송수신 부품은 RF 시스템의 성능을 좌우한다. 특히, 위성통신 분야에서 신뢰성을 획득하기 위해서는 고집적화와 소형화를 통한 경쟁력 확보가 필수적인데 이를 위한 기술이 MMIC이다. MMIC 기술이란 반도체 공정을 이용하여 RF 부품을 설계하고 제작하는 기술로써 본 고에서는 MMIC 기술 소개와 이동통신 및 위성분야에서의 MMIC 기술 동향과 개발 현황, 앞으로의 전망을 개괄적으로 서술하고자 한다.
지홍구(Ji, Hong-Gu),오승엽(Oh, Seung-Hyeub) 한국산학기술학회 2010 한국산학기술학회논문지 Vol.11 No.10
본 논문은 U-band(40 ∼60 GHz)대역에 최적화된 epitaxial로 pHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)을 제작, 대신호 모델링하여 특성분석 및 60 GHz 대역의 3단 증폭기를 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)로 설계 제작하였다. 본 논문에 사용된 pHEMT는 0.12 ㎛의 게이트 길이와 총 게이트 면적 100 ㎛, 200 ㎛를 사용하여 대신호 모델링하였으며 설계시 안정도의 향상을 위하여 부궤환회로와 함께 MIM(Metal-Insulator-Metal) 커패시터 대신 MCLF(Microstriop Coupled Line Filter)를 사용하여 안정도를 향상시켰다. 제작결과 크기가 2.5×1.5㎟ 이고 소모된 전류는 약 40 mA, 동작주파수 59.5 ∼ 60.5 GHz에서 이득 19.9 dB ∼ 18.6 dB, 입력정합특성 -14.6 dB ∼-14.7 dB, 출력정합 특성 -11.9 dB ∼-16.3 dB와 출력 -5 dBm의 특성을 얻었다. In this paper, 3 stage amplifier MMIC was designed and fabricated with U-band optimized epitaxal pHEMT that produced by large signal characterization and modeling for 60 GHz band. The pHEMT used in this paper, the gate 0.12㎛ length and total gate width of 100㎛, 200㎛ has been modeled using the large signal designed with negative feedback and MCLF instead of MIM capacitor for improving stability. Fabricated MMIC 2.5×1.5㎟ size, current about 40 mA, operating frequency 59.5∼60.5 GHz, gain 19.9∼18.6 dB, input matching characteristics -14.6∼-14.7 dB, output matching characteristics -11.9∼-16.3 dB and output -5 dBm characteristics were obtained.