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10 Gb/s 급 광통신용 1.55 ㎛ SI - PBH DFB - LD의 제작 및 특성연구
김형문(Hyung M. Kim),김정수(Jeong S. Kim),오대곤(Dae K. Oh),주홍로(Heung R. Choo),박성수(Seung S. Park),송민규(Min K. Song),곽봉신(Bong S. Kwack),김홍만(Hong M. Kim),편광의(Kwang E. Pyun) 한국광학회 1997 한국광학회지 Vol.8 No.4
2단계 메사 식각 공정과 유기 금속 화학 증착방법으로 높은 비저항을 갖는 Fe-도핑된 반절연 InP층의 전류 차단층을 갖는 10 Gb/s 광통신용 초고속 1.55 ㎛ 궤환형 반도체 레이저 다이오드를 제작하였다. 제작된 DFB-LD의 특성은 발진 임계전류 ~15 ㎃, slope efficiency ~0.13 ㎽/㎃, 동 저항 ~6.0 Ω이었고, 발진 파장은 1.546 ㎛이며, 6 Ith 까지의 전류에도 인접 모우드 억압비, SMSR>40㏈ 이상 (CW 상태) 으로써 안정된 단일 모우드 동작을 보였다. DFB-LD의 소신호 주파수 특성으로 27 ㎃의 작은 구동전류에서 이미 -3㏈ 대역폭이 10 ㎓에 도달하였음을 보여주었고, 또한 최대 -3 ㏈ 대역폭으로 구동 전류 90 ㎃에서 ~18 ㎓까지 얻는 우수한 소신호 주파수 특성을 보여주었다. 10 Gb/s DFB-LD 모듈 전송시험에 있어서, 1.55 ㎛ 파장의 레이저 다이오드 모듈로 일반 단일모우드 광섬유와 분산천이 광섬유에 대해서 전송시험한 결과 에러평탄면 (error floor) 없이 각각 10 ㎞, 80 ㎞를 전송할 수 있었다. We fabricated the high speed 1.55 ㎛ distributed feedback laser diodes (DFB-LD) using both two-step mesa etching process and semi-insulating InP current blocking layers. The devices characteristics were threshold current of ~15 ㎃, slope efficiency of ~0.13 ㎽/㎃, and dynamic resistance of ~6.0 Ω, with as-cleaved facets. The fabricated DFB-LD showed the single longitudinal mode with more than 40 dB up to 6 I_(th) (CW condition), emitting at the wavelength of 1.546 ㎛. The -3 dB bandwidth was > 10 ㎓ at the driving current of 27 ㎃, and the maximum -3 dB bandwidth was ~18 ㎓ at 90 ㎃ current, showing the superior frequency response of SI-PBH DFB-LD. In the 10 Gb/s transmission experiment for 1.55 ㎛ DFB-LD module, maximum 10 ㎞ of single mode fiber (SMF) or 80 ㎞ of dispersion shifted fiber (DSF) could be transmitted with error free.
DBpia
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