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조굉래(Kweng-Rae Cho),임원택(Won-Taeg Lim),이창효(Chang-Hyo Lee) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)
고주파 스퍼터링 방법으로 증착조건을 변화시키면서 RuO₂박막을 제작하였다. 제작된 박막에 대해 진공 열처리, 대기중 열처리, 대기-진공 열처리를 시행한 후 박막의 구조적, 전기적 특성을 조사하였다. 증착온도가 증가함에 따라 RuO₂의 우선성장 방향이 점진적으로 (101)에서 (200)면으로 바뀌었으며, 그레인의 크기가 점점 증가하다가 500℃에서는 급격히 증가하였다. 산소분압비가 증가할수록 우선 성장방향은 (200)에서 (101)로 바뀌었으며, 표면거칠기가 증가하였다. 기판온도가 400℃, 산소분압비가 10%일 때 가장 낮은 비저항값 1.5×10^(-5) Ωㆍ㎝을 얻었다. 열처리 과정 후, 기판온도 400℃, 산소분압이 10%일 때 증착된 박막이 비교적 구조적, 전기적으로 안정하였고, 500℃에서 증착된 박막은 대기중에서 열처리 하고 다시 진공 열처리 과정을 겪게 되면 밀도가 높아지고 상대적으로 평탄한 표면을 가졌다. RuO₂ thin films were prepared with various deposition conditions by rf magnetron sputtering. The films were annealed in vacuum, air, and air-vacuum, after that, the structural and electrical properties of the films were investigated. As the substrate temperature increases, the preferred orientation of the films changes from (101) to (200), and the grain size increases; especially, at 500℃, the size considerably increases. The preferred orientation of the films changes from (200) to (101) and the roughness of surface increase with the increase in oxygen partial pressure. The lowest value of resistivity of RuO₂ we prepared is 1.5×10^(-5) Ωㆍ㎝ at the conditions of 400℃ and 10% of oxygen partial pressure. After the processes of annealing, the films deposited at 400℃ and a oxygen partial pressure of 10% were relatively stable. The films deposited at 500℃ have denser structure and smoother surface when the films are annealed in vacuum after annealing in air.
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