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- 저자 : 정인화(In Wha Chung) (검색결과 6 건)
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DC Reactive Magnetron Sputtering법에 의한 Ti-Al-V-N 박막의 성장거동
손용운,정인화,이영기,Sohn, Yong-Un,Chung, In-Wha,Lee, Young-Ki 한국재료학회 1999 한국재료학회지 Vol.9 No.7
Ti-6Al-4V 합금을 타겟트로 사용하여 유리 기판위에 dc reactive magnetron sputtering법으로 $N_2$/(Ar+N_2)$ 비, 기전력 및 시간등의 여러 가지 증착 조건에서 Ti-6Al-4V-N 필름을 증착하였고, 각각의 증착 조건에 따른 결정구조 및 우선방위 거동은 X-선 회절장치를 사용하여 조사하였다. Ti-6Al-4V-N 필름은 본질적으로 fcc 결정구조의 $\delta$-TiN에 Al과 V이 결함으로서 고용된 변형된 형태의 $\delta$-TiN구조이고, TiN의 격자상수(4.240 )보다 작은 값을 나타내었는데, 이는 Ti(1.47 )에 비하여 상대적으로 원자반경이 작은 Al(1.43 )과 V (1.32 )이 Ti의 격자위치에 치환된 결과이다. 그리고 Ti-6Al-4V-N 필름은 $_N2$가스 분압이 감소됨에 따라 (111) 우선방위 성장거동을 하였을 뿐만아니라 증착시간의 증가에 따라 뚜렷한 (111) 우선방위 성장거동을 나타내었다. 그리고 증착속도 및 결정입도의 거동 또한 여러 가지 증착 조건에 크게 의존한다 Ti-6Al-4V-N films have been grown onto glass substrates by dc reactive magnetron sputtering from a Ti-6Al-4V-N alloy target at different nitrogen partial pressure, input powers and sputtering times. The influence of various sputtering conditions on structural properties of Ti-6Al-4V-N films was investigated by measuring their X-ray diffraction. The quaternary Ti-6Al-4V-N film is crystallizing in a face centered cubic TiN structure, the lattice parameter is smaller than the TiN parameter as titanium atoms of the TiN lattice are replaced by aluminum and vanadium atoms. The films show the (111) preferred orientation and the (111) peak intensity decreases as the nitrogen partial pressure is increased, but the intensity increases as the sputtering time is increased. The deposition rate and the grain size are alto related with the variation of various sputtering conditions.
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폐 반도체 슬러리 및 폐 망간전지 흑연봉으로부터 탄화규소 합성
손용운,정인화,손정수,김병규,Sohn Yong-Un,Chung In-Wha,Sohn Jeong-Soo,Kim Byoung-Gyu 한국자원리싸이클링학회 2003 資源 리싸이클링 Vol.12 No.3
본 연구의 목적은 실리콘웨이퍼의 절단공정에서 발생한 폐슬러리와 폐망간전지에서 발생하는 흑연봉을 각각 규소 및 탄소의 출발물질로 사용하여 가스터빈 부품, 열교환기 등에 사용되는 탄화규소(SiC)를 합성하는 연구를 수행하였다. 실리콘웨이퍼의 절단공정에서 발생하는 폐슬러리로부터 비중차이에 의한 선별과 자력선별 등에 의해 정제된 규소와 탄화규소를 얻을 수 있었으며, 폐망간전지를 해체하여 얻은 탄소봉으로부터 수세와 분쇄를 통하여 탄소분말을 얻을 수 있었다. 탄화규소의 합성은 규소와 당량비의 탄소분발을 혼합하여 1$600^{\circ}C$이상의 온도에서 아르곤 분위기와 진공분위기 하에서 2시간 유지시켰을 때 이루어졌으며, 이때 합성된 탄화규소의 순도는 99% 이상이었다. The synthesis of SiC used for the parts of the gas turbine and the heat exchanger, was carried out. In this study, wire cutting slurry of silicon wafer and the graphite rod of spent zinc-carbon battery were applied to the starting materials for the synthesis. The powders of Si or Si+SiC were obtained from the waste material by filtration, gravity separation and magnetic separation. Graphite powder was produced by dismantling, grinding and gravity separation from spent zinc-carbon battery. The synthesis of SiC could be completed from the mixture powders of Si and C or Si+SiC and C at the condition of equivalent ratio of Si and C, atmosphere of Ar or vacuum, temperature of above 1$600^{\circ}C$ and 2 hours reactions. The purity of synthesized Si-C was above 99%.
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직류 및 고주파 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 Ti - Al - V - N 박막의 특성
손용운(Yong Un Sohn),정인화(In Wha Chung),이영기(Young Ki Lee) 한국열처리공학회 2000 熱處理工學會誌 Vol.13 No.6
The Ti-Al-V-N films have been deposited on various substrates by d.c and r.f reactive magnetron sputtering from a Ti-6Al-4V alloy target in mixed Ar-N₂discharges. The films were investigated by means of XRD, AES, SEM/EDX, microhardness, TG and scratch test. The XRD and SEM results indicated that the films were of single B1 NaCl phase having dense columnar structure with the (111) preferred orientation. The composition of Ti-Al-V-N film was the Ti-7.1Al-4.3V-N(wt%) films. Adhesion and microhardness of Ti-Al-V-N films deposited by r.f magnetron sputtering method were better than those deposited by d.c magnetron sputtering method. The anti-oxidation properties of Ti-Al-V-N films were also superior to that of Ti-N film deposited by the same deposition conditions.
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