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ETRI 0.25 ㎛ GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력증폭기 MMIC
이상흥(Sang-Heung Lee),김성일(Seong-Il Kim),안호균(Ho-Kyun Ahn),이종민(Jong-Min Lee),강동민(Dong-Min Kang),김동영(Dong Yung Kim),김해천(Haecheon Kim),민병규(Byoung-Gue Min),윤형섭(Hyung Sup Yoon),조규준(Kyu Jun Cho),장유진(Yoo Jin Ja 한국전자파학회 2017 한국전자파학회논문지 Vol.28 No.1
본 논문에서는 한국전자통신연구원(ETRI)에서 구축한 0.25 ㎛ GaN MMIC 공정 및 소자특성을 소개하고, 이를 이용한 X-대역 3 W GaN 전력증폭기 MMIC 설계 · 제작 결과를 논의한다. X-대역 동작에 적합한 GaN HEMT 소자를 선정하여 GaN 전력증폭기 MMIC를 1단으로 설계하고 제작하였으며, 이를 통하여 ETRI 0.25 ㎛ GaN MMIC 공정 및 특성을 평가하고 분석하였다. X-대역 GaN 전력증폭기 MMIC 제작 결과, 출력전력 3.5 W, 이득 10 ㏈ 및 전력부가효율 35 % 특성을 얻었다. In this paper, ETRI"s 0.25 ㎛ GaN MMIC process is introduced and the fabricated results of X-Band 3 W power amplifier MMIC are discussed. The one-stage X-Band 3 W power amplifier MMIC using the 0.25 ㎛ GaN MMIC devices has been designed and fabricated. From the fabricated GaN MMIC, the characteristics of the 0.25 ㎛ GaN MMIC process and devices are evaluated and analyzed. The X-band power amplifier MMIC shows output power of 3.5 W, gain of 10 ㏈, and power-added efficiency of 35 %.