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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : 임현식(Hyunsik Im) (검색결과 1 건)
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        100 ㎚ T-gate의 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자 제작 및 특성에 관한 연구

        김형상(H. S. Kim),신동훈(D. H. Shin),김순구(S. K. Kim),김형배(H. B. Kim),임현식(Hyunsik Im),김현정(H. J. Kim) 한국진공학회(ASCT) 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.6

        본 논문에서는 100 ㎚ 게이트 길이를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT(metamorphic high electron mobility transistors)m의 DC와 RF 특성을 분석 하였다. 이중 노광 방법으로 ZEP520/P(MMA-MAA)/ PMMA 3층 구조의 레지스터와 게이트 길이 100 ㎚인 T-게이트를 제작하였다. 게이트의 단위 폭이 70 m인 2개의 게이트와 길이가 100 ㎚로 제작된 MHEMT를 DC 및 RF특성을 조사하였다. 최대 드레인 전류 밀도는 465 ㎃/㎜, 상호전달 컨덕턴스는 844 mS/㎜이, RF 측정으로부터 전류 이득 차단 주파수는 192 ㎓와 최대 진동주파수 310 ㎓인 특성을 보였다. We present the DC and RF characteristics of 100 ㎚ gate length InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs). We fabricated the T-gate with 100 ㎚ foot print by using a positive resist ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA trilayer by double exposure method. The fabricated 100 ㎚ MHEMT with a 70 ㎛ unit gate width and two fingers were characterized through dc and rf measurements. The maximum drain current density of 465 ㎃/㎜ and extrinsic transconductance (gm) of 844 mS/㎜ were obtained with our devices. From rf measurements, we obtained the current gain cut-off frequency (fT) of 192 ㎓, and maximum oscillation frequency (fmax) 310 ㎓.

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