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FTS법으로 제작한 Ag/ZnO 박막의 전기적, 광학적 특성
임유승,김상모,손인환,이원재,최명규,김경환,Rim, Y.S.,Kim, S.M.,Son, I.H.,Lee, W.J.,Choi, M.K.,Kim, K.H. 한국진공학회 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.2
대향 타겟식 스퍼터링법 (Facing Targets Sputtering)을 이용하여 유리기판위에 증착한 Ag/ZnO 다층 박막의 특성을 연구하였다. Ag 박막의 높은 전도도와 투과율을 나타내는 공정조건을 찾기 위하여, 증착시간, 기판온도 변화에 따른 Ag박막의 특성을 살펴보았으며, ZnO 박막의 두께 변화에 따른 Ag/ZnO 다층박막의 특성을 살펴보았다, 10초간 증착한 Ag 박막은 연속된 막구조를 가지지 못하여, 30초간 증착된 막에 비해 전기적, 광학적 특성이 저하되는 것을 확인할 수 있었다. ZnO 박막의 AFM 측정 결과 박막의 거칠기(Rrms) 값의 변화에 따라 Ag/ZnO박막의 특성에 영향을 미쳤으며, 거칠지 않은 표면을 지닌 박막에서 Ag 박막 증착 시 좋은 특성을 나타냈다. 제작된 박막은 four point probe, UV/VIS spectrometer, AFM을 사용하여 전기적, 광학적, 구조적 특성을 조사하였다. 제작결과 Ag/ZnO 다층박막의 면저항은 9.25 $[\Omega/sq.]$을 나타내었으며, 가시광영역에서 광투과율은 80%이상을 나타내었다. We have studied the properties of Ag/undoped ZnO (ZnO) multilayer thin films deposited on glass substrate by the facing targets sputtering method. In an attempt to find out the optimum conditions of the Ag thin film, which would be coated on the ZnO thin film, we investigated the changes of sheet resistance, transmittance and surface morphology as a function of deposition times and the substrate temperature. The electrical and optical characteristics of Ag/ZnO multilayers were evaluated by a four-point probe, a UV/VIS spectrometer with a spectral range of 390-770 nm, a X-ray Diffractometer (XRD), an atomic force microscope (AFM) and a Field Emission Scanning Electron Microscope (SEM), respectively. We were able to prepare the Ag/ZnO multilayer thin film with sheet resistance of 9.25 $\Omega/sq.$ and transmittance of over 80% at 550nm.
HPFRCC로 보강한 조적조 벽체의 면외방향 내진성능에 관한 해석적 연구
임유승,문지호,이주하 한국방재학회 2024 한국방재학회논문집 Vol.24 No.2
국내의 다양한 지역에서 크고 작은 지진이 빈번히 발생하면서 횡력에 매우 취약한 비보강 조적조 건축물의 내진보강이 매우 시급한 과제로 부상하였다. 기존의 다양한 내진보강공법이 있으나 경제성, 시공성, 내진성능 측면에서 좀 더 향상된 기술이 요구되고 있다. 본 연구에서는 High-Performance Fiber-Reinforced Cementitious Composite (HPFRCC)를 활용한 조적조 벽체의 내진보강 방법에 주목하였다. 기존의 고인성 시멘트 복합체 보다 인장강도와 인장변형성능이 향상된 HPFRCC로 보강된 조적조 벽체의 면외방향 내진성능을 유한요소해석을 통해 평가하였다. 이를 위해 범용 유한요소해석 프로그램 ABAQUS를 활용하여 해석 모델을 수립하고 진동대 실험결과와 비교하여 해석 방법의 신뢰성을 검증하였다. 그 후 HPFRCC의 보강면(단면, 양면)과 보강두께(10 mm, 20 mm) 등을 변수로 해석적 연구를 수행하였다. 조적조 벽체의 가속도와 변위 등을 분석한 결과, 조적조 벽체의 면외방향 내진성능에 대한 HPFRCC의 긍정적 효과를 확인할 수 있었다. 특히, HPFRCC를 벽체의 양면에 보강할 경우 내진성능이 우수한 것으로 나타났다. Frequent earthquake occurrences in various regions of Korea have highlighted the urgent need that exists for the seismic retrofitting of unreinforced masonry buildings, which are particularly vulnerable to lateral forces. In this study, the out-of-plane seismic performance of masonry walls reinforced with high-performance fiber-reinforced cementitious composites (HPFRCCs) was evaluated using finite element analysis. ABAQUS was used to establish the analysis model, and the reliability of the model was validated by comparing the model results with shaking table test results. A parametric study of the reinforced masonry walls was thereafter conducted using the parameters of the reinforced sides of the walls (unilateral and bilateral) and thicknesses (10 and 20 mm). The analysis of the acceleration and displacement of the masonry walls revealed the beneficial effects of HPFRCCs on the out-of-plane seismic performance of the walls. The seismic performance of the walls was significantly enhanced when the HPFRCCs were applied to both sides of the walls.
임유승 한국정보디스플레이학회 2020 Journal of information display Vol.21 No.4
Recently, oxide semiconductors-based thin-film transistors have received much attention for biosensor platforms due to their high sensitivity, good chemical resistance, easy surface immobilizations of bioreceptors, and easy fabrication process with solution process or sputtering method. Unlike Si technologies, oxide semiconductors-based thin-film transistors can be fabricated easily and it is highly attractive to make simple sensor arrays. For long-term health-care monitoring, high sensitivity, selectivity, and low-cost chip should be considered. Regarding these issues, metal oxide semiconductors and thin-film transistors are good candidates. Here we address state-of-the-art research trends of biosensors with metal oxide semiconductors-bases thin-film transistors and discuss solution-processing and sputtering methods, separately.