파이로 공정폐기물의 특성 및 저장관리 방안분석

이주찬,방경식,서중석,서기석,박근일 한국방사성폐기물학회 2014 한국방사성폐기물학회 학술논문요약집 Vol.12 No.2

특수형 방사성 동위원소 운반캡슐의 안정성 평가

이주찬,서기석,구정회,방경식,한현수,박성원 대한방사선 방어학회 2001 방사선방어학회지 Vol.26 No.1

특수형 방사성물질 운반캡슐은 국내외의 수송관련 법규에 규정된 기술기준을 만족하도록 설계, 제작되어야 한다. 본 연구의 목적은 하나로에서 생산된 192Ir 특수형 동위원소 운반캡슐의 건전성을 평가하는데 있다. 법규에서 규정된 낙하시험, 타격시험, 굽힘시헝 및 가열시험조건에 대한 안전성 시험을 수행하였으며, 각각의 시험 전후에 누설시험을 수행하였다. 또한, 안전성시험과 더불어 컴퓨터코드를 이용한 전산해석을 수행하여 안전성시험 전에 시험결과에 대한 예측자료로 활용되었다. 낙하시험 및 가열시험 결과 캡슐 표면에서 약간의 흠집과 변형이 발생하였으나, 각각의 시험에서 평가기준이 되는 캡슐의 손상이나 용융 등은 발생하지 않았다. 또한 각 시험 후 수행한 누설시험 결과 누설이 발생하지 않았다. 따라서 특수형 방사성물질 운반캡슐은 법규에서 규정하는 기술기준을 만족하도록 설계, 제작되었음이 입증되었다. All of sealing capsules to transport a special form radioactive material should be designed and fabricated in accordance with the design criteria prescribed in IAEA standards and domestic regulations. The objective of this study is to demonstrate the safety of a shipping capsule for 192Ir special form radioisotope which produceed in the HANARO. The safety tests were carried out for the impact, percussion, bending and heat test conditions. And leakage tests were carried out before and after the each test. Also, the safety analyses were performed using computer codes in order to verify the test results. The capsule showed slight scratches and deformation, and maintained its structural and thermal integrities in all tests without any severe damage or melting. It also met the allowable limits of leakage rate after earth test. Therefore, it has been verified that the capsule was designed and fabricated to meet all requirements for the special form.

중수로 사용후핵연료 운반용기의 개념설정 및 열안전성 평가

이주찬,방경식,서중석,서기석,김범인,최병일 한국방사성폐기물학회 2011 한국방사성폐기물학회 학술논문요약집 Vol.9 No.1

Waste Form의 붕괴열에 따른 캐니스터 최대온도 평가

이주찬,서중석,방경식,서기석,김호동 한국방사성폐기물학회 2011 한국방사성폐기물학회 학술논문요약집 Vol.9 No.2

Si, Ge과 Si-Ge Hetero 터널 트랜지스터의 라인 터널링과 포인트 터널링에 대한 연구

이주찬,안태준,심언성,유윤섭,Lee, Ju-chan,Ann, TaeJun,Sim, Un-sung,Yu, YunSeop 한국정보통신학회 2017 한국정보통신학회논문지 Vol.21 No.5

TCAD 시뮬레이션을 이용하여 소스 영역으로 오버랩된(Overlapped) 게이트를 가진 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)과 실리콘-게르마늄(Si-Ge) Hetero 터널 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET)의 터널링 전류 특성을 분석하였다. $SiO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 포인트와 라인 터널링이 모두 나타나서 험프(Hump) 현상이 나타난다. Ge-TFET는 구동전류가 Si-TFET보다 높으나 누설전류가 높고 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. Hetero-TFET의 경우에 구동전류가 높게 나타나고 누설전류는 나타나지 않았으나 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. $HfO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 라인 터널링의 문턱전압(threshold voltage)이 감소하여 라인 터널링만 나타난다. Ge과 Hetero-TFET의 경우에 포인트 터널링의 문턱전압이 감소하여 포인트 터널링에 의해 동작되며 Ge-TFET는 누설전류가 증가하였고, Hetero-TFET에서 Hump가 나타난다. The current-voltage characteristics of Silicon(Si), Germanum(Ge), and hetero tunnel field-effect transistors(TFETs) with source-overlapped gate structure was investigated using TCAD simulations in terms of tunneling. A Si-TFET with gate oxide material $SiO_2$ showed the hump effects in which line and point tunneling appear simultaneously, but one with gate oxide material $HfO_2$ showed only the line tunneling due to decreasing threshold voltage and it shows better performance than one with gate oxide material $SiO_2$. Tunneling mechanism of Ge and hetero-TFETs with gate oxide material of both $SiO_2$ and $HfO_2$ are dominated by point tunneling, and showed higher leakage currents, and Si-TFET shows better performance than Ge and hetero-TFETs in terms of SS. These simulation results of Si, Ge, and hetero-TFETs with source-overlapped gate structure can give the guideline for optimal TFET structures with non-silicon channel materials.

파이로공정 폐기물 포장용기의 설계요건 분석 및 열전달 평가

이주찬,방경식,서중석,서기석,박근일 한국방사성폐기물학회 2012 한국방사성폐기물학회 학술논문요약집 Vol.10 No.2

Workfunction Engineering of A Pocket Tunnel Field-Effect Transistor with A Dual Material Gate

이주찬,안태준,유윤섭 한국물리학회 2018 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.73 No.3

A dual-material gate pocket tunnel field-effect transistor (DM-PTFET) with separated source gate and channel gate materials is newly proposed. As the workfunctions of the source and the channel gates in the DM-PTFET were varied, we investigated systematically the optimal workfunction region where the hump effect was removed and the ambipolar current was minimized. Also, we investigated the optimal workfunctions of the dual-material gates in the DM-PTFET for three pocket thickness, Tpocket = 1, 2, and 3 nm. The highest on-current Ion was observed when Tpocket = 1.5 nm, and the off-current Ioff decreased as the Tpocket was increased, and the optimal Tpocket is 2 nm in terms of Ion/Ioff ratio. The band-to-band tunneling (BTBT), which occurs in the gate-pocket direction in the source, was affected by the source gate, and the BTBT, which occurs in the channel direction in the source, was affected by the channel gate. The hump effect was removed when the work functions of the source gate were 0.05, 0.16, and 0.26 eV less than that of the channel gate when the Tpocket = 1, 2, and 3 nm, respectively. In the optimal structure of the DM-PTFET (with no hump effect, Tpocket = 2 nm, and workfunction of the channel gate < 3.7 eV), Iambipolar decreased by 104 times compared to its value for a conventional PTFET.

암모니아 화학사고 피해를 줄이기 위한 제도개선 연구

이주찬,전병한,김현섭 한국재난정보학회 2022 한국재난정보학회 논문집 Vol.18 No.2

Purpose: In the occur of ammonia chemical accident, it is suggested to improving the present 「Chemical Substance Control Act」to minimize chemical accident damage and prevent chemical accident. Method: Ammonia is one of the most common toxic substances that causes frequent chemical accidents. And it was selected as leakage materials according to statistics on chemical accidents on this study. Based on actual cases of chemical accidents, CARIS modeling was used to compare the damage impact range of Ammonia and HCl and Cl. Also, find out problems with the present systems. Result: As a result of find out the range of accident influence that spreads to the surroundings when an ammonia chemical accident, it was wider than the range of influence of hydrochloric acid and narrower the that of chlorine. In addition, it was found that when chemical accident by ammonia, hydrochloric acid, or chlorine, there are apartments and schools, which can have an effect. Conclusion: It is decide that it ts necessary to determine whether or not chemical accident prevention management plans and statistical investigations are submitted for workplaces dealing with ammonia, and detailed guidelines and reviews are necessary. In addition, it is judged that it is necessary to establish a DB for ammonia handling plants, and it is considered that information sharing and joint inspection among related organizations should be pursued. 연구목적: 본연구에서는 암모니아 화학사고 발생 시, 사고 피해 최소화와 사고예방을 위한 현 제도의 개선방안을 제시하고자 한다. 연구방법: 화학사고 발생통계자료를 바탕으로 빈번한 화학사고를 일으키는 대표적인 독성물질 중 하나인 암모니아를 누출물질로 선정하였다. 또한 실제 암모니아 화학사고 발생 사례를 바탕으로 CARIS 모델링을 활용해 암모니아, 염산, 염소의 피해영향범위를 비교해보았으며, 현 제도의 문제점을 파악하였다. 연구결과: 암모니아 화학사고 발생 시 주위에 확산되는 영향범위를 산정한 결과 염산의 사고영향범위보다 더 넓게 나타났으며 염소의 사고영향범위보다는 더 좁게 나타났다. 또한, 암모니아, 염산, 염소 사고 발생 시 아파트, 학교 등의 민감수용체가 존재하고 있어 영향을 미칠 수 있는 것으로 나타났다. 결론: 암모니아를 취급하는 사업장에 대해서 화학사고예방관리계획서, 통계조사 등의 제출여부를 파악하는 것이 필요하다고 판단되며 구체적인 세부지침 및 검토가 필요하다고 사료된다. 또한, 암모니아 취급사업장의 DB 구축이 푤요하다고 판단되며 관계기관들 간의 정보공유 및 합동점검 등을 지향하여야 한다고 사료된다.

파이로 폐기물의 포장용기 개념설정 및 붕괴저장 방안분석

이주찬,방경식,서중석,서기석,박근일 한국방사성폐기물학회 2013 한국방사성폐기물학회 학술논문요약집 Vol.11 No.2

SS-OCT 시스템에 적용 가능한 고정밀 사인파 발생기

이주찬,엄진섭 강원대학교 정보통신연구소 2012 정보통신논문지 Vol.16 No.-

In this paper, the low price high-precision sine-wave generator has been implemented. It fulfils well the frequency resolution less than 1Hz and frequency stability of < 士0.5ife/l0min for SS-OCT. Through its performance test applied to wavelength swept laser, 120nmsweeping range and 10m ^average optical power were obtained. This shows that the realized sine-wave generator can replace the commercial high-price and high-precision generators currently employed by SS-OCT systems.