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소형화를 위한 무선랜 대역의 마이크로스트립 안테나 설계 및 제작
이원종,김용균,강석엽,이화춘,윤철,박효달,Lee Won-Jong,Kim Yong-Kyun,Kang Suk-Youb,Lee Hwa-Choon,Yoon Cheul,Park Hyo-Dal 한국통신학회 2006 韓國通信學會論文誌 Vol.31 No.9A
본 논문에서는 $5.15{\sim}5.35GHz$ 대역의 무선 LAN용 N-슬롯 마이크로스트립 안테나를 설계 제작하였다. 사각형 패치에 사이즈 감소를 위해 N-슬롯 미앤더 주름구조를 갖도록 하였으며, 접지면과 기판사이에 공기층을 삽입하여 VSWR<2.0에서 적절한 대역을 얻고자 하였다. 설계시 주요 파라미터는 N-슬롯의 길이, 폭, 위치와 공기층의 두께 및 급전위치였으며 최적화된 파라미터를 가지고 실제 제작 및 측정하였다. 제작된 안테나의 측정결과는 다음과 같다. 공진 주파수는 5.25GHz이고, VSWR<2.0에서 약 300MHz의 대역폭과 $1.3{\sim}2.64dBi$의 이득을 얻었다. H-평명과 E-평면에서 각각 $80.21^{\circ}$와 $103.38^{\circ}$로 나타났다. In this paper, N-shaped slot antenna for $5.15GHz{\sim}5.35GHz$ is designed, fabricated, and measured. The prototype consist of meander corrugated N-shaped slot. To obtain suitable bandwidth, the form layer is inserted between ground plane and substrate. Important parameters in the design are N-slot length, width, position, air-gap height, and feed point position. From these parameters optimized, a four N-shaped slot antenna is fabricated and measured. The measured results of the antenna are obtained as follows results. The resonant frequency of the fabrication N-shaped slot antenna is 5.25GHz bandwidth for approximately 300MHz(VSWR<2.0) and the gain is $1.3{\sim}2.64dBi$. The experimental far-field patterns are stable across the pass band. The 3dB bandwidth in H-Plane and E-Plane are $80.21^{\circ}\;and\;103.38^{\circ}$, respectively.
5.25GHz 대역의 무선 LAN을 위한 4개의 L-슬롯모양의 마이크로스트립 안테나 설계 및 제작
이원종,윤중한,강석엽,이화춘,박효달 한국통신학회 2004 韓國通信學會論文誌 Vol.29 No.3A
본 논문에서는 5.15-5.35㎓ 대역의 무선 LAN용 L-슬롯 마이크로스트립 안테나를 설계 제작하였다. 정사각 패치에 사이즈 감소를 위해 4개의 L-슬롯을 갖도록 하였으며 접지면과 기판사이에 공기층을 삽입하여 VSWR<1.5에서 적절한 대역을 얻고자 하였다. 설계시 주요 파라미터는 L-슬롯의 길이, 폭, 위치와 공기층의 두께 및 급전위치였으며 최적화된 파라미터를 가지고 실제 제작 및 측정하였다. 제작된 안테나의 측정결과는 다음과 같다. 공진 주파수는 5.25㎓이고, VSWR<1.5에서 5%의 대역폭과 8-9㏈i의 이득을 얼었다. H-평면과 E-평면에서 각각 69$^{\circ}$와 62$^{\circ}$로 나타났다. In this paper, L-shaped slot antenna for 5.15㎓-5.35㎓ is designed, fabricated. and measured. The prototype consist of four L-shaped slot. To obtain suitable bandwidth, the form layer is inserted between ground plane and substrate. Important parameters in the design are four L-slot length. width, position, air-gap height. and feed Point position. From these parameters optimized, a four L-shaped slot antenna is fabricated and measured. The measured results of the antenna are obtained as follows results. The resonant frequency of the fabrication four L-shaped slot antenna is 5.25㎓, bandwidth for approximately 5%(VSWR<1.5) and the gain is 8-9㏈i. The experimental far-field patterns are stable across the pass band. The 3dB bandwidth in H-Plane and I-Plane are 69$^{\circ}$and 62$^{\circ}$, respectively.
CVD 법으로 증착된 PZT 박막의 누설잔류 및 강유전 특성
이원종,정수옥 대한금속재료학회(대한금속학회) 2000 대한금속·재료학회지 Vol.38 No.11
Leakage current characteristics and ferroelectric properties of lead zirconate titanate(PZT) films deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition were investigated. Pt/Ti and RuO₂ were used as bottom electrodes for PZT film. The nucleation of PZT perovskite phase was more difficult on RuO₂ electrodes than on Pt electrodes, and the PZT films grown on RuO₂ tend to have PbO_x second phase. PZT film without PbO_x phase could be grown on RuO₂ by introducing a proper seed layer and by controlling the flow rates of Metal-organic source (particularly Pb(DPM)₂). For the PZT films on RuO₂ with improved microstructure, an excellent leakage current density of 10^(-6)A/㎠ at 100 ㎸/㎝ was obtained from the Pt(top)/PZT/RuO₂ capacitor. Leakage current characteristics and ferroelectric properties of PZT capacitors with four different electrode configurations were investigated. The RuO₂∥ RuO₂ capacitor showed a leakage current density of as high as 10^(-4) A/ ㎠ at 100 ㎸/㎝, which was attributed to the high temperature processes for RuO₂ top electrodes fabrications. The fatigue characteristics of PZT capacitors depend on the electrode material rather than the microstructure of PZT films.
$Sr_{2}FeMoO_{6}$ 소결체와 스퍼터링법으로 제조된 박막의 초거대자기저항현상에 관한 연구
이원종,장원위 한국결정성장학회 2002 韓國結晶成長學會誌 Vol.12 No.1
$H_2$(5%)/Ar의 환원분위기에서 $900^{\circ}C$ 이상의 온도로 소결함으로써 화학양론적인 조성비를 만족하면서 이중 페롭스카이트 구조를 갖는 $Sr_2FeMoO_6$ (SFMO) 소결체를 제조하였다. SFMO 소결체는 우수한 강자성 특성을 나타내었고 8K에서 15%와 상온에서 3% 정도의 자기저항비를 나타내었다. 이 SFMO 소결체를 타겟으로하여 스퍼터링법으로와의 단결정 기판 위에 비정질 SFMO 박막을 증착한 후, 적절한 H$_2$(5%)/Ar의 환원분위기, $680^{\circ}C$ 이상) 열처리 조건의 고상결정법으로 이중 페롭스카이트 구조의 다결정 SFMO 박막을 제조하였다. 이 SFMO 박막은 강자성 특성을 잘 나타내었으나, 자기저항 특성은 상온에서는 나타나지 않았고 8K에서 약 0.3-0.5%의 자기저항비를 나타내었다. 이와같이 박막의 경우 자기저항 특성이 떨어지는 이유는 제조된 SFMO 박막이 화학양론비를 만족하지 못하고 조직의 치밀도가 떨어져서 결정립 사이에서 발생하는 자기스핀 터널링이 제대로 발생하지 못하였기 때문이라 생각되었다. Abstract The stoichiometric and double-ordered perovskite $Sr_2FeMoO_6$ (SFMO) polycrystalline ceramics were fabricated by sintering at above $900^{\circ}C$ in $H_2$(5%)/Ar reductive ambient. SMO polycrystals showed good ferromagnetic properties andmagnetrotesistqnce ratios of about 15 % at 8K and 3 % at room temperature. Amorphous SFMO thin films were deposited on $LaA1O_3$ and $SrTiO_3$ single crystal substrates using rf sputtering method with the SFMO polycrystalline ceramic target. Double-ordered perovskite polycrystalline SFMO thin films were fabricated by solid state crystallization by annealing the deposited amorphous films at above $680^{\circ}C$ in $H_2$(5%)/Ar reductive ambient. SFMO thin films exhibited ferromagnetic behavior. Their magnetroresistance ratios, however, were only 0.3~0.5% at 8K and disappeared with increasing the measuring temperature. This was attributed to the absence of magnetic spin tunneling between grains due to the porous structure and non-stoichiometric composition of the deposited films.