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전자빔 리소그래피에서 0.3μm 리지스트 패턴을 위한 工程許容範圍
유기수,최금란,유흥우 圓光大學校 基礎自然科學硏究所 1993 基礎科學硏究誌 Vol.12 No.2
전자빔 直接 露光方法에 의해서 64 M bit DRAM을 위한 0.3㎛ 線幅 리지스트 斷面形狀에 대한 工程 許容範圍를 컴퓨터 시뮬레이션으로 계산하였다. 시료 구성은 0.3㎛의 W을 입히지 않은 Si기판과 W을 입힌 Si기판으로 구성한 3층 리지스트系로 하였다. 공정 허용범위는 0.2㎛ 단일선과 0.2㎛선 -0.4㎛선간 거리의 평행선에서 0.3㎛ 線幅과 0.3㎛ 線間 距離를 위한 리지스트 단면형상으로 전자빔의 에너지와 전자빔 조사법을 달리하면서 계산하였다. 그리고 평행선의 외각선은 補助 露光法에 의해서 중앙선의 공정 허용범위와 같게 하였다. This study describes the electron beam direct writing technology for 64M bit DRAMs including a resist process for 0.3㎛ fabrication. The delineation capability of 0.3㎛ lines is estimated by evaluating process latitudes with computer simulation. The trilayer resist system consists of layers on bare silicon substrate covered with 0.3㎛ tungsten. The behaviour of developed resist profiles under different conditions of direct writing technology and electron energy is presented in case of 0.2㎛ isolated line and a grating of 0.2㎛/0.4㎛ lines and spaces. The results show that the higher electron energy makes the process latitude larger and the resist patterns on W layer is less effective than bare Si substrate, however the process latitudes of two beam writing are larger than those of three beam writing. And the proper resist profiles of the grating periphery can be much the same as its center by the subsidiary exposure method.