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- 저자 : 유평렬(P.Y. Yu) (검색결과 5 건)
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정태수,김현숙,유평렬,신영진,신현길,김택성,정철훈,이훈,신영신,강신국,정경수,홍광준,Jeong, T. S.,Kim, H. S.,Yu, P. Y.,Shin, Y. J.,Shin, H. K.,Kim, T. S.,Jeong, C. H.,Lee, H.,SHin, Y. S.,Kang, S. K.,Jeong, K. S.,Hong, K. J. 한국결정성장학회 1993 韓國結晶成長學會誌 Vol.3 No.2
수직 2단 전기로를 제작하고 결정성장관에 꼬리관을 연결하여 seed 결정없이 승화 방법으로 CdS 결정을 성장하였다. 이때 시료부분과 성장부분의 온도차 ${\Delta}T$가 이론적인 값 $14.7^{\circ}C$와 비교해서 실험적으로 얻은 값이 $15^{\circ}C$ 로 아주 일치하는 값을 나타내었다. 이때 꼬리관의 온도를 $110^{\circ}C$로 시간당 0.38mm 정도로 빨리 결정성장관을 끌어 올려 결정을 성장하였다. 분말법의 X-선 회절무늬와 Laue 배면 반사법의 Laue 무늬로부터 성장된 결정이 육방정이고 결정성장관의 길이 방향으로 c축을 갖는 단결정임을 확인하였다. 또한 CdS 단결정은 상온에서 전자 이동도와 운반자 밀도는 각각 $316cm^2/V{\cdot}sec$와 $2.90{\times}10^{16}cm^{-3}$정도이였다. We has made 2-zone vertical electric furnace and has been grown CdS single crystal by sublimation method in crystal growth tube with tail tube without seed crystal for growth. While it has been growing, temperature difference ${\Delta}T$ of source and growth part has nearly agreed with theoritical value $14.7^{\circ}C$and experimental value $15^{\circ}C$ Then, crystal of best quality has been grown, when temperature of tail tube has been $110^{\circ}C$, in spite of quickly pulling up crystal growth tube a degree O.38mm per hour. The grown crystal have had hexagonal structure and single crystal with c-axis to length of crystal growth tube from X- ray diffraction pattern of powder method and Laue pattern of back reflection Laue method. Also, the mobility and carrier density from Hall effect measurement have been $316cm^2/V{\cdot}sec$ and $2.90{\times}10^{16}cm^{-3}$ at the room temperature, respectively.
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Growth and electro-optical characteristics of CdSe/GaAs epilayers prepared by electron beam epitaxy
양동익,신영진,이춘호,최용대,유평렬,Yang, D.I.,Shin, Y.J.,Lee, C.H.,Choi, Y.D.,Yu, P.R. The Korea Association of Crystal Growth 1997 한국결정성장학회지 Vol.7 No.1
Electron beam 증착법을 보완하여 GaAs(100)기판위에 cubic(zinc blende) CdSe 에피충을 성장시켜 그의 특성을 조사하였다 .. CdSe 에피충의 격자 상수는 6.077 A였으며, 배향 성은 ECP 패번에 의하여 확인되고 결정성은 DCXR curve로 관찰하였다. 상온에서 측정된 H Hall data로는 에피충의 운반자 농도와 이통도는 각각 1018cm-3, 102cm2N' see 정도임을 알았 고 30 K에서 측정한 PC spectra peak는 cubic CdSe의 free exciton에 기인된 것으로 1.746 e eV에서 예리하게 나타냐고 있음을 보여주고 있다. An improved technique based upon an electron beam evaporation system has been developed to prepare cubic thin films In crystalline semiconductors. Zinc blonde CdSe epilayers were grown on GaAs(100) substrate by an e-beam evaporation method. The lattice parameter obtained from (400) reflection is $6.077\AA$, which is in excellent agreement with the value reported in the literature for zinc blonde CdSe. The orientation of the as-grown CdSe epilayer is determined by electron channeling patterns. The crystallinity of epitaxial CdSe layers were investigated on the double crystal X-ray rocking curve. The carrier concentration and mobility of epilayers deduced by Hall effect measurement are about $10^{18}{\textrm}{cm}^{-3}$, $10^2\textrm{cm}^2/V{\cdot}sec$ at room temperature, respectively. The photocurrent spectrum peak of the epilayer at 30 K exhibits a sharp change at 1.746 eV due to the free exciton of cubic CdSe.
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수직 Bridgman 방법으로 성장된 CdTe {111}면의 결정학과 광발광 특성
정태수(T.S. Jeong),박은옥(E.O. Park),유평렬(P.Y. Yu),김택성(T.S. Kim),이훈(H. Lee),신영진(Y.J. Shin),홍광준(K.J. Hong) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)
수직 Bridgman 방법으로 태양전지의 CdS 적층 성장용 기판으로 쓰이는 CdTe 단결정을 성장하였다. Nakagawa 용액으로 etching한 CdTe {111}면은 피라미드 모형의 전형적인 삼각형 etch pits를 나타내었고 Cd 원자들로 구성된 {111}A면 임을 알았다. {111}A 면에 대한 광발광 측정으로부터 단지 고품질의 단결정에서만 존재하는 free exciton과 매우 강한 세기를 가진 중성 받개 bound exciton 등을 관찰하였다. 이때 중성 받개 bound exciton의 반폭치와 결합 에너지는 각각 7 meV와 5.9 meV 이였다. Haynes rule에 의해서 불순물의 활성화 에너지는 59 meV이였고 따라서 Ag나 Cu원소 등이 중성 받개 역할을 한 것으로 여겨진다. High quality CdTe single crystal for the solar cell fabrication was grown by vertical Bridgman method. The etch pits patterns of {111}surfaces of CdTe etched by Nakagawa solution was observed the {111}A composed of Cd atoms with typical triangle etch pits of pyramid mode. From the photoluminescence measurement on {111}A, we observed free exciton (E_x) existing only high quality crystal and neutral acceptor bound exciton (A˚,X) having very strong peak intensity. Then, the full width at half maximum and binding energy of neutral acceptor bound exciton were 7 meV and 5.9 meV, respectively. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 59 meV. Therefore, the origins on impurity level acting as a neutral acceptor were associated Ag or Cu elements.
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Hot - Wall Epitaxy 방법에 의한 ZnSe / GaAs 박막 성장과 특성
정태수(T.S. Jeong),강창훈(C.H. Kang),유평렬(P.Y. Yu) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)
Hot-wall epitaxy 방법으로 GaAs(100) 기판위에 고품질의 ZnSe(100) 박막을 성장하였다. 최적 성장 조건에서 성장된 ZnSe 박막은 DCRC 반치폭 값과 성장률이 각각 195 arcsec와 0.03㎛/min 이였다. 광발광 실험으로부터 기판과 박막사이의 격자부정합에 기인한 변형에 의해 분리된 I₂^U와 I₂^L 봉우리를 관측하였고 Al 이나 Cl 등이 박막에 내재된 불순물 준위를 형성함을 알 수 있었다. We have grown a high quality ZnSe(100) epilayer on the GaAs(100) substrate by hot-wall epitaxy method. The FWHM value from double-crystal x-ray diffraction rocking curve and growth rate of the ZnSe epilayer grown under the optimal growth conditions were 195 arcsec and 0.03 ㎛/min, respectively. The I₂^U and I₂^L peaks, which split by strain due to lattice mismatch between substrate and epilayer, were measured from the photoluminescence experiment. And we found that the residual impurities in ZnSe epilayer were concerned with Al or Cl elements from the calculated binding energy of donor impurity.
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정태수,김현숙,유평렬,신영진,신현길,김택성,정철훈,이훈,신영신,강신국,정경수,홍광준 全北大學校 基礎科學硏究所 1994 基礎科學 Vol.16 No.-
수직 2단 전기로를 제작하고 결정성장관에 꼬리관을 연결하여 seed 결정 없이 승화 방법으로 CdS 결정을 성장하였다. 이때 시료부분과 성장부분의 온도차 ΔT가 이론적인 값 14.7℃와 비교해서 실험적으로 얻은 값이 15℃로 아주 일치하는 값을 나타내었다. 이때 꼬리관의 온도를 110℃로 시간당 0.38mm 정도로 빨리 결정성장관을 끌어 올려 결정을 성장하였다. 분말법의 X-선 회절무늬와 Laue 배면 반사법의 Laue 무늬로 부터 성장된 결정이 육방정이고 결정성장관의 길이 방향으로 c축을 갖는 단결정임을 확인하였다. 또한 CdS 단결정은 상온에서 전자 이동도와 운반자 밀도는 각각 316㎠/V·sec와 2.90× 10 exp (16)cm^-3 정도이였다. We has made 2-zone vertical electric furnace and has been grown CdS single crystal by sublimation method in crystal growth tube with tail tube without seed crystal for growth. While it has been growing, temperature difference ΔT of source and growth part has nearly agreed with theoritical value 14.7℃ and experimental value 15℃. Then, crystal of best quality has been grown, when temperature of tail tube has been 110℃, in spite of quickly pulling up crystal growth tube a degree 0.38mm per hour. The grown crystal have had hexagonal structure and single crystal with c-axis to length of crystal growth tube from X-ray diffraction pattern of powder method and Laue pattern of back reflection Laue method. Also, the mobility and carrier density from Hall effect measurement have been 316㎠/V·sec and 2.90× 10 exp (16)cm^-3 at the room temperature, respectively.
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