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권영수(Y. S. Kwon),임재영(J. Y. Leem),이철로(C. R. Lee),노삼규(S. K. Noh),유연희(Y. H. Ryu),최정우(J. W. Choe),김성만(S. M. Kim),이욱현(U. H. Lee),류동현(D. H. Ryu),이동한(D. H. Lee),박장환(Jang-Hwan Park) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(1)
MBE(Molecular Beam Epitaxy) 방법으로 InAS 양자점의 크기를 달리하여 성장한 lnAs 양자점의 구조적 특성과 분광학적 특성을 조사하였다. 구조적 특성은 AFM(Atomic Force Microscopy)으로 하였으며, 광학적 특성은 PL(Photoluminescence)로 수행하였다. AFM 측정결과 양자점의 밀도는 2 ML에서 최대 값인 1.1×10¹¹/㎠이다. 양자점의 크기가 증가함에 따라 PL 피크는 적색편이를 하고 있었다. 발광피크의 온도의존성을 조사한 결과 온도의 증가에 따라 발광피크는 낮은 에너지로 이동하였으며, 20 K에서 180 K 구간에서는 발광피크의 FWHM(Full Width at Half Maximum) 값은 감소하였으며, 180 K 이상의 온도에서는 온도의 증가에 따라 FWHM도 증가하였다. 한편 Arrehenius-type function으로 구한 활성화 에너지는 InAs 양자점의 크기가 증가함에 따라 증가하였다. We present Photoluminescence (PL) and Atomic Force Microscopy (AFM) image on InAs quantum dots (QDs) having different size which grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). For different size QDs, analysis of the AFM profiles show that the density of QDs was the maximum value (1.1×10¹¹/㎠) at 2.0 ML. In the PL spectra of QDs, it is found that the peak energy decreases with increasing dot size due to the effect of quantum confinement. Temperature dependence of PL intensities show that the PL is quenching and Red shift as the temperature increase. The FWHM range of 20 K~80 K is narrowing with increasing temperature. When temperature is over 180 K, the line-width starts to increase with increasing temperature. At last, temperature dependence of the integrated intensities were fit using the Arrehenius-type function for the activation energy. Fit value of the activation energy was increased with increasing QDs-size.
김성만(S. M. Kim),임재영(J. Y. Leem),이철로(C. R. Lee),노삼규(S. K. Noh),신장규(J. K. Shin),권영수(Y. S. Kwon),유연희(Y. H. Ryu),손정식(J. S. Son),김지언(J. E. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(1)
MBE 방법을 이용하여 [011] 방향으로 2˚ 기울어진 GaAs 기판 위에 InAs 에피층 성장을 연구하였다. InAs 에피층의 결정성은 GaAs의 완충층의 두께가 약 2500 Å일 때 가장 좋은 특성을 나타내고 있었다. 한편 As BEP 및 Si cell 온도 등의 성장조건을 변화시키면서 성장한 시료에 대하여 Hall effect를 측정한 결과 As/In BEP 비가 1.2~2.0의 영역일 때 가장 높은 이동도를 가지는 InAs 에피층을 얻을 수 있었다. Si 도우핑에 의해 전자농도가 증가함에 따라 이동도는 증가하다가 Si cell 온도 960℃ (ND=2.21×10^(17) cm-³)를 기점으로 감소하는 경향을 나타내고 있다. Si 의 전자농도가 ND=2.21×10^(17) cm-³일 때 이동도가 1.10×10⁴ ㎠/V.s 로 가장 높게 나타나고 있었다. We studied the properties of the InAs epitaxial layers grown on (100)-oriented GaAs (2° tilted toward [011]) by molecular beam epitaxy. From DCX (double-crystal x-ray), the better crystal quality was shown in InAs epitaxial layers on about 2500 Å GaAs buffer among the different buffer thickness. On the other hand, by changing As HEP and Si cell temperature in growing InAs epitaxial layers on GaAs, we obtained the high mobility of InAs epitaxy in As/In HEP ratio (1.2~2.0) from Hall effect measurement. The electron mobility increased as electron concentration increases, until Si cell temperature 960℃ (ND=2.21×10^(17) ㎝-³). The mobility decreases as the Si cell temperature increases, at the temperature over 960℃. We obtained the high mobility (1.10×10⁴㎠/V.s) at Si electron concentration of ND=2.21×10^(17) ㎝-³.