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Glow Discharge 증착법에 의한 a-Si:H 박막의 Doping 효과 및 비정질 Si 태양전지 제작에 관한 연구
지일환,염덕선,최범식,김수길,고년규 연세대학교 자연과학연구소 1983 學術論文集 Vol.12 No.-
GDa-Si:H박막의 전기전도도 σ, 활성화에너지 ΔE, 광흡수계수 α 및 optical oprtical gap energy E_g(opt.)를 측정하여 전기적, 광학적 성질을 조사하였다. 또한 이들 박막의 광전기력 응용으로서 a-Si:H ITO/_(p-i-n)접합 태양전지를 제작하여 광전기력 현상을 관찰하였다. The electrical and optical properties of GD a-Si:H films have been investigated to obtain electric conductivity σ, activation energy ΔE, optical absorption coefficient α, and optical gap energy Eg(opt.). As a photovoltaic application of GD a-Si:H film, amorphous silicon ITO/p-i-n heteroface solar cells have been fabricated and the photovoltaic characteristics of the solar cells have be studied.