http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
Cu(In,Ga)Se₂ 나노입자을 이용한 광흡수층 치밀화에 따른 Se 분위기의 열처리 효과
윤경훈(Yoon, Kyung-Hoon),김기현(Kim, Ki-Hyun),안세진(Ahn, Se-Jin),안병태(Ahn, Byung-Tae) 한국신재생에너지학회 2006 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2006 No.06
나노입자를 이용하여 치밀한 Cu(In,Ga)Se₂ 태양전지용 광흡수층을 제조하기 위해 먼저, 콜로이달 방법으로 합성된 20nm이하의 CIGS 나노입자를 저가의 스프레이 법을 이용하여 CIGS 막을 제조하였다. 제조된 CIGS막을 two-zone RTP (rapid temperature Process) 방법으로 Se 분위기 안에서 열처리를 행하였다. 입자의 치밀화를 위해 기판의 온도, Se 증발온도와 수송가스의 유량을 조절하여 CIGS 입자성장을 행하였다. 그러나, Se의 증발온도가 높을수록 CIGS와 MO 박막 사이에서 MoSe₂ 층이 형성되었다. 형성된 MoSe₂층의 부피 팽창으로 인해 하부의 유리기판과 Mo층 사이에서 peeling off 현상이 발생했다. 이러한 Peeling off현상을 억제하면서 CIGS 나노입자 성장을 하기 위해, Se 공급을 빨리 할 수 있도록 Se의 증기압을 높였으며, 최적조건에서 급속 열처리 공정을 통해 CIGS 나노입자 성장과 치밀화를 위한 소결거동을 관찰하였다.
비진공 나노입자 코팅법을 이용한 CIGS 박막 태양전지 제조
안세진(Ahn, Se-Jin),김기현(Kim, Ki-Hyun),윤경훈(Yoon, Kyung-Hoon) 한국신재생에너지학회 2006 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2006 No.06
A non-vacuum process for Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) thin film solar cells from nanoparticle precursors was described in this work CIGS nanoparticle precursors was prepared by a low temperature colloidal route by reacting the starting materials (CuI,;InI₃,;GaI₃;and;Na₂Se) in organic solvents, by which fine CIGS nanoparticles of about 20nm in diameter were obtained. The nanoparticle precursors were mixed with organic binder material for the rheology of the mixture to be adjusted for the doctor blade method. After depositing the mixture of CIGS with binder on Mo/glass substrate, the samples were preheated on the hot plate in air to evaporate remaining solvents ud to burn the organic binder material. Subsequently, the resultant (porous) CIGS/Mo/glass simple was selenized in a two-zone Rapid Thermal Process (RTP) furnace in order to get a solar ceil applicable dense CIGS absorber layer. Complete solar cell structure was obtained by depositing. The other layers including CdS buffer layer, ZnO window layer and Al electrodes by conventional methods. The resultant solar cell showed a conversion efficiency of 0.5%.
Ga 함유량에 따른 Cu(In<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>)Se₂ 박막 태양전지에 관한 연구
송진섭(Song, Jin-Seob),윤재호(Yoon, Jae-Ho),안세진(Ahn, Se-Jin),윤경훈(Yoon, Kyung-Hoon) 한국신재생에너지학회 2007 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2007 No.06
Cu(In<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>)Se₂(CIGS)는 매우 큰 광흡수계수를 가지고 있으므로 박막형 태양전지의 광흡수층 재료로서 많은 연구가 진행되고 있다. 박막이 태양전지의 광흡수층으로 이용되기 위해서는 큰 결정크기와 평탄한 표면, 적당한 전기적 특성을 가져야 한다. 이러한 특성들은 CIGS 박막의 조성에 큰 영향을 받고 있는 것으로 보고되고 있다. 본 연구에서는 동시증발법을 이용하여 Cu/(In+Ga) 비를 0.9로 고정한 후 Ga 조성(Ga/(In+Ga)의 비 : 0.32, 0.49, 0.69, 0.8, 1)을 변화시켜 Wide band gap CIGS 박막태양전지를 만들었다. 기판은 soda line glass를 사용하였고 뒷면 전극으로는 Mo를 스퍼터링법으로 증착하였다. 또한 버퍼층으로는 기존에 쓰이고 있는 CdS를 CBD(Chemical Bath Deposition)법으로 층착시켰으며, 윈도우층으로는 i-ZnO/n-ZnO를 스파터링 법으로 층착하였다. 그리고 앞면전극으로는 Al을 E-beam 으로 증착하였다. 분석은 XRD, SEM, QE로 분석하였다. 위 실험에서 얻은 결과로는 Ga/(In+Ga)비가 증가할수록 Cu(In,Ga)Se2 박막은 회절 peak들이 큰 회절각으로 이동하였고, 이것은 Ga 원자와 In 원자의 원자반경의 차이에서 기인된 것으로 사료된다. 또한 Ga 조성이 증가할수록 단파장 쪽으로 이동하는 것을 볼 수 있으며, Voc가 증가하다가 에너지 밴드캡이 1.62 eV 이상에서는 Voc가 감소하는 것을 볼 수 있는데 이것은 Ga 조성이 증가할수록 에너지 밴드캡이 커지면서 defect level 이 존재하기 때문인 것으로 사료된다. Ga/(In+Ga)비가 1일 때의 변환효율은 8.5 %이고, Voc : 0.74 (V), Jsc : 17.2 (mA/cm²), F.F : 66.6(%) 이다.
다양한 크기와 주파수 그리고 감쇠를 갖는 상하방향 전신 충격진동에 대한 불편함 연구
안세진,유완석,정의봉,Ahn, Se-Jin,Griffin, Michael J.,Yoo, Wan-Suk,Jeong, Weui-Bong 한국자동차공학회 2007 한국 자동차공학회논문집 Vol.15 No.2
Shocks are excited by impulsive forces and cause discomfort in vehicles. Current standards define means of evaluating shocks and predicting their discomfort, but the methods are based on research with a restricted range of shocks. This experimental study was designed to investigate the discomfort of seated subjects exposed to a wide range of vertical shocks. Shocks were produced from the responses of one degree-of-freedom models, with 16 natural frequencies (from 0.5 to 16 Hz) and four damping ratios (0.05 0.1, 0.2 and 0.4), to a hanning-windowed half-sine force inputs. Each type of shock was presented at five vibration dose values in the range $0.35\;ms^{-1.75}$ to $2.89\;ms^{-1.75}$. Fifteen subjects used magnitude estimation method to judge the discomfort of all shocks. The exponent in Stevens' power law, indicating the rate of growth in discomfort with shock magnitude, decreased with increasing fundamental frequency of the shocks. At all magnitudes, the equivalent comfort contours showed greatest sensitivity to shocks having fundamental frequencies in the range 4 to 12.5 Hz. At low magnitudes the variations in discomfort with the shock fundamental frequency were similar to the frequency weighting $W_b$ in BS 6841, but low frequency high magnitudes shocks produced greater discomfort than predicted by this weighting. At some frequencies, for the same unweighted vibration dose value, there were small but significant differences in discomfort caused by shocks having different damping ratios. The rate of increase in discomfort with increasing shock magnitude depends on the fundamental frequency of the shock. In consequence, the frequency-dependence of discomfort produced by vertical shocks depends on shock magnitude. For shocks of low and moderate discomfort, the current methods seem reasonable, but the response to higher magnitude shocks needs further investigation.
동시진공 증발법을 이용한 Cu<sub>2</sub>ZnSnSe<sub>4</sub> 박막 태양전지의 제조와 기판온도가 광전압 특성에 미치는 영향
정성훈(Jung, Sung-Hun),안세진(Ahn, Se-Jin),윤재호(Yun, Jae-Ho),곽지혜(Gwak, Ji-Hye),김동환(Kim, Dong-Hwan),윤경훈(Yoon, Kyung-Hoon) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.06
Despite the success of Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) based PV technology now emerging in several industrial initiatives, concerns about the cost of In and Ga are often expressed. It is believed that the cost of those elements will eventually limit the cost reduction of this technology. one candidate to replace CIGS is Cu₂ZnSnSe₄ (CZTSe), fabricated by co-evaporation technique. Effects of substrate temperature of Cu₂ZnSnSe₄ absorber layer on the performance of thin films solar cells were investigated. As substrate temperature increased, the grain size of Cu₂ZnSnSe₄ films increased presumably. At a optimal condition of substrate temperature is 320?C, the solar cell shows a conversion efficiency of 1.79% with V_{OC} of 0.213V, JSC of 16.91mA/cm² and FF of 49.7%.
동시진공증착법으로 형성한 (Ag<SUB>w</SUB>Cu<SUB>1-w</SUB>)(In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>)Se₂ 박막 태양전지의 Ag 첨가 효과
황지선(Jiseon Hwang),조윤애(Yunae Cho),윤재호(Jae Ho Yun),어영주(Young-Joo Eo),곽지혜(Jihye Gwak),조아라(Ara Cho),박주형(Joo Hyung Park),안세진(Se Jin Ahn),유진수(Jin So Yoo),안승규(Seung Kyu Ahn),조준식(Jun Sik Cho),김기환(Kihwan Kim) 한국태양에너지학회 2020 한국태양에너지학회 학술대회논문집 Vol.2020 No.10
질소 및 셀레늄 분위기 열처리가 나노 입자 Cu(In, Ga) Se<sub>2</sub> 광흡수층의 치밀화에 미치는 영향
김기현(Kim, Ki-Hyun),안세진(Ahn, Se-Jin),전영갑(Chun, Young-Gab),박병옥(Park, Byun-Ok),윤경훈(Yoon, Kyung-Hoon) 한국신재생에너지학회 2005 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2005 No.06
나노 입자 분무 기법을 이용한 Cu(In,;Ga)Se₂ (CIGS) 광흡수층 제조 기법은 고진공 장치를 사용하지 않는다는 점에서 대면적 저가형 CIGS 태양전지 양산에 적합한 차세대 기술로 인식되고 있다. 그러나 일반적으로 스프레이 된 상태의 CIGS충 자체는 태양전지 제조에 적합하지 않은데 이는 스프레이 막의 다공성 구조 때문이다. 본 연구에서는 나노입자 분무 기법을 이용하여 증착한 CIGS 광흡수층막을 질소 또는 셀레늄 분위기에서 열처리함으로써 태양전지 제조에 적합한 치밀한 구조의 CIGS 광흡수충을 제조하고자 하였다. 실험 결과, 질소 분위기 500?C의 온도에서 1시간 열처리하여도 CIGS 나노 입자의 성장은 거의 일어나지 않는 것으로 나타났다. 반면 셀레늄 분위기 500?C의 온도에서 30분 열처리시 입자 크기가 1{mu}m이상인 치밀한 광흡수층을 얻을 수 있었다. 본 결과는 CIGS 나노 입자의 입자 성장 반응에서 열에너지 단독에 의한 표면 에너지 감소 효과는 미미하며 셀레늄 증기의 역할이 더욱 크다는 것을 의미하는 것이다.
정성훈(Jung, Sung-Hun),안세진(Ahn, Se-Jin),윤재호(Yun, Jae-Ho),곽지혜(Gwak, Ji-Hye),조아라(Cho, A-Ra),윤경훈(Yoon, Kyung-Hoon),김동환(Kim, Dong-Hwan) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.11
Despite the success of Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) based PV technology now emerging in several industrial initiatives, concerns about the cost of In and Ga are often expressed. It is believed that the cost of those elements will eventually limit the cost reduction of this technology. One candidate to replace CIGS is Cu₂ZnSnSe₄ (CZTSe), fabricated by co-evaporation technique. Co-evaporation technique will be one of the best methods to control film composition. This type of absorber derives from the CuInSe² chalcopyrite structure by substituting half of the indium atoms with zinc and other half with tin. Energy bandgap of this material has been reported to range from 0.8eV for selenide to 1.5eV for the sulfide and large coefficient in the order of 10^{14}cm^{-1}, which means large possibility of commercial production of the most suitable absorber by using the CZTSe film. In this work, Effects of substrate temperature of Cu₂ZnSnSe₄ absorber layer on the performance of thin films solar cells were investigated. We reported on some of the absorber properties and device results.
Polyimide 기판을 이용한 Flexible CIGS 박막 태양전지 제조
정승철(Jung, Seung-Chul),안세진(Ahn, Se-Jin),윤재호(Yun, Jae-Ho),곽지혜(Gwak, Ji-Hye),김도진(Kim, Do-Jin),윤경훈(Yoon, Kyung-Hoon) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.06
In this study, we fabricated the Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) thin-film solar cells by using a polyimide substrate. The CIGS thin-film was deposited on Mo coated polyimide substrate by a 3-stage co-evaporation technique. Because the polyimide shows thermal transformation at about 400?C, the substrate temperature of co-evaporation process was set to below 400?C. Corresponding solar cell showed a conversion efficiency of 7.08 % with V_{OC} of 0.58 V, J_{SC} of 24.99 mA/cm² and FF of 0.49.