http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
고품질 실리콘 박막을 이용한 저가 고효율 실리콘 박막 및 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 개발
이정철(Lee, Jeong-Chul),임충현(Lim, Chung-Hyun),안세진(Ahn, Sae-Jin),윤재호(Yun, Jae-Ho),김석기(Kim, Seok-Ki),김동섭(Kim, Dong-Seop),양수미(Yang, Sumi),강희복(Kang, Hee-Bok),이보영(Lee, Bo-young),이준신(Yi, Junsij),송진수(Son, Jinsoo 한국신재생에너지학회 2005 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2005 No.06
In this paper, silicon thin-film solar cells(Si- TFSC) and a-Si/c-Si heterojunction solar cells(HJ-cell) are investigated. The Si-TFSC was prepared on glass substrate by depositing 1-3{mu}m thin-film silicons by glow discharge method. The a-Si:H/{mu}c-Si:H tandem solar cells on textured ZnO:A1 TCO (transparent conducting oxide) showed improved Jsc in top and bottom cells than that on SnO₂:F TCO. This enhancement of jsc resulted from improved light trapping effect by front textured ZnO:A1. The a-Si/c-Si HJ-cells with simple structure without high efficiency features are suffering from low Voc and Jsc. The improvement of front nip and back interface properties by adopting high quality silicon-films at low temperature should be done both for increasing device performances and production cost.
실리콘 박막 태양전지에서 광 포획(light trapping) 개선에 관한 연구
전상원(Jeon, Sang Won),이정철(Lee, Jeong Chul),안세진(Ahn, Sae Jin),윤재호(Yun, Jae Ho),김석기(Kim, Seok Ki),박병옥(Park, Byung Ok),송진수(Song, Jinsoo),윤경훈(Yoon, Kyung Hoon) 한국신재생에너지학회 2005 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2005 No.06
The silicon thin film solar cells were fabricated by 13.56 MHz PECVD (Plasma-Enhanced Chemical-Vapor Deposition) and 60 MHz VHF PECVD (Very High-Frequency Plasma-Enhanced Chemical-Vapor Deposition). We focus on textured ZnO:Al films prepared by RF sputtering and post deposition wet chemical etching and studied the surface morphology and optical properties. These films were optimized the light scattering properties of the textured ZnO:Al after wet chemical etching. Finally, the textured ZnO:Al films were successfully applied as substrates for silicon thin films solar cells. The efficiency of tandem solar cells with 0.25 cm² area was 11.8% under 100mW/cm² light intensity. The electrical properties of tandem solar cells were measured with solar simulator (AM 1.5, 100 mW/cm²) and spectral response measurements.
열선 화학 기상 증착법에 의한 실리콘 박막 및 태양전지 특성
김상균(Kim, Sang-Kyun),이정철(Lee, Jeong Chul),전상원(Jeon, Sang Won),임충현(Lim, Chung Hyun),안세진(Ahn, Sae Jin),윤재호(Yun, Jae Ho),김석기(Kim, Seok Ki),송진수(Song, Jinsoo),박성주(Park, S-J),윤경훈(Yoon, Kyung Hoon) 한국신재생에너지학회 2005 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2005 No.06
최근 열선 화학 기상 증착법(HWCVD)은 낮은 온도에서 TFT용 Poly Si 중착을 할 수 있다는 점과 실리콘 박막을 빠른 속도로 증착할 수 있다는 점에서 각광을 받고 있다. 본 연구에서는 HWCVD를 이용하여 태양전지를 제조하고 그 특성을 평가하였다. 조건에 따른 실리콘 박막의 특성 변화를 알기 위해 corning glass 및 실리콘 wafer에 다양한 조건에서 단위 박막(intrinsic layer)을 증착하였고 이 결과를 바탕으로 p/i/n 구조의 태양전지를 제조하였다. Ta 열선 온도는 1700-2000도였고 가스 원료인 SiH₄와 수소의 비율을 조절하면서 그 영향을 관찰하였다. 태양전지의 경우 p충과 n충은 PECVD로 증착하였으며 단위박막 및 태양전지 i충 증착시 기판과 열선간의 거리는 7cm, 기판 온도는 200?C와 250?C로 고정하였고 작업압력은 30mTorr였다. 단위 박막 특성 평가를 위해 암/광 전도도, SEM, Raman Scattering, FT-IR등을 사용하였으며 태양전지 특성 평가를 위해 I-V 및 Spectral response를 측정하였다. 열선 온도가 증가함에 따라 증착속도 및 결정화 분율은 증가하였다. 특히 비정질에서 결정질로 전이되는 구간은 매우 좁았으며 여러 분석 방법에서 일치되는 결과를 보였다. SiH₄ 유량이 늘어날수록 비정질이 결정질로 바뀌는 열선 온도가 증가하였으며 기판 온도가 낮을 경우 또한 결정으로 바뀌는 열선 온도가 증가하였다. 태양전지의 경우 열선 온도가 증가함에 따라 V_{oc} 및 W가 낮아졌으며 J_{sc}, 는 증가하는 경향을 보였으며 결정질 비율이 증가하는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 경향은 quantum efficiency 결과에서도 확인할 수 있었다.