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박종윤,이순보,부진효,신익조 성균관대학교 기초과학연구소 1990 論文集 Vol.41 No.1
By using theoretical model suggested by H. Hartwig et al., performance of sputter ion pump (SIP) was calculated and a SIP was constructed. Measurement of pumping speed of the SIP has been performed with the differential pumping method. The pumping speed for N_2 gas is 48 l/s, and for Ar gas is 20 l/s. These results agree with the theoreticaly expected values.
K이 흡착된 Si(111)7×7표면에 대한 RHEED 연구
박종윤,이순보,이경원,안기석,신익조,강건아 성균관대학교 1990 論文集 Vol.41 No.2
상온 및 200℃∼600℃의 Si(111) 7×7 표면에 칼륨(K)을 증착하였을 때의 표면격자구조 변화를 RHEED로 관측하였다. K 증착시 Si(111)7×7 기판의 온도가 상온인 경우, 어느 일정한 증착시간(포화덮임률에 도달했다고 추정되는 증착시간)이 지난 후에는 원래의 깨끗한 Si(111)7×7 패턴과 유사한 Si(111) 7×7-K 패턴이 관측되었고, 증착시간을 증가시켜도 RHEED 패턴은 변화하지 않았다. 이것을 annealing하면 350℃까지는 RHEED 패턴에 변화가 없다가 그 이상의 온도가 되면 서서히 원래의 7×7 패턴으로 되돌아가기 시작한다. Si(111) 7×7기판의 온도를 200℃∼600℃로 유지하면서 K을 일정시간(450℃에서 3×1이 형성되는 증착시간)이상 증착시킨 경우에 250℃까지는 상온의 경우와 비슷한 형태의 변형된 7×7 패턴이 관측되고, 300℃∼550℃일때는 3×1, 550℃ 이상에서는 1×1 구조가 관측되었다. 이때 300℃∼550℃에서 형성된 Si(111) 3×1-K 구조는 450℃에서 1분 정도 annealing 하면 항상 Si(111) 1×1-K 구조로 상전이가 일어남을 관측하였다. Potassium adsorbed surface structures of Si(111) 7×7 surface at room and high temperatures(200℃∼600℃) were investigated by RHEED. Potassium adsorption on the Si(111) 7×7 surface to saturated coverage at room temperature changed the RHEED pattern of Si(111) 7×7 to Si(111) 7×7-K. Subsequent heating of the Si(111) 7×7-K surface above 350℃ results in a Si(111) 7×7 with desorbing K. The RHEED pattern of the K-adsorbed on the Si(111) 7×7 surface up to the adsorption temperature of 250℃ was the modified 7×7 pattern, quite similar to that of the Si(111) 7×7-K, observed at room temperature. The 3×1 structure was observed in the temperature of adsorption between 300℃ and 550℃. Regardless of the adsorption temperature, a phase transition always took place from the Si(111) 3×1-K structure to Si(111) 1×1-K after annealing at 450℃ over 1 minute.