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I - Line과 DUV Resist에서 Poly - Si 플라즈마 식각시 미치는 개스의 영향
신기수(Kisoo Shin),김재영(Jae-Young Kim) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.2
256M DRAM급에 해당하는 0.25 ㎛의 회로선 폭을 가공하기 위해 Arc layer & DUV resist 사용이 필수적이다. Poly-Si 식각시 Arc layer 적용여부 및 resist 종류에 따른 차이를 TCP-9408 etcher(Lam Research Co.)에서 Cl₂/O₂, Cl₂/N₂, Cl₂/HBr 3가지 gas chemistry를 변화시키며 조사하였다. 동일한 식각 조건에서 DUV resist 사용의 경우에 I-line resist에 비해 식각 profile이 positive 하고 CD gain도 크게 나왔다. 이것은 resist 손실에 의한 polymer 생성의 증가가 식각시 측벽 보호막을 강화시키기 때문이다. Arc layer 적용의 경우 Arc layer 식각시 생기는 fluorine계 polymer가 poly-Si 식각시 mask 역할을 하므로 CD gain이 증가하는 것으로 나타났다. Gas chemistry에 의한 영향은 Cl₂/O₂의 경우가 식각시 polymer 형성을 촉진시켜 positive profile 및 CD gain을 초래하였다. Cl₂/HBr의 경우에는 profile이 vertical 하였고 CD gain도 거의 없었다. 또한 dense pattern과 isolated pattern 사이의 profile 및 CD 차이도 가장 작게 나타났다. HBr gas 사용이 식각시 pattern density에 따른 측벽 보호막 형성의 불 균일성을 최소화 시켜 양호한 특성을 보여주었다. It is necessary to use Arc layer and DUV resist to define 0.25 ㎛ line and space for 256 M DRAM devices. Poly-Si etching with Arc layer and different resists has been performed in a TCP-9408 etcher with variation of gas chemistries; Cl₂/O₂, Cl₂/N₂, and Cl₂/HBr. DUV resist causes more positive etch profile and CD gain compared to I-line resist because the sidewall passivation is more stimulated by increasing polymerization through the loss of resist. When Arc layer is applied, CD gain also increases due to the polymeric mask formed after etching Arc layer. From the point of gas chemistry effects, the etch profile and CD gain is not improved using Cl₂/O₂ gas, since polymerization is accelerated in this gas. However, the vertical profile and less CD gain is obtained using Cl₂/HBr gas. Furthermore, HBr gas is very effective to suppress the difference of profile and CD variation between dense pattern and isolated pattern by minimizing non-uniformity of side wall passivation with pattern density.
권태경(TaeKyoung Kwon),강명호(MyungHo Kang),송주석(JooSeok Song),정기현(KiHyun Jeong),신기수(KiSoo Shin) 한국정보과학회 1994 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.21 No.2B
ISDN은 사용자-망 인터페이스가 디지털화되므로 사용자정보를 보호하기 위한 기능을 비교적 저렴하게 사용자-망 인터페이스에서 제공할 수 있다. 그러나 음성, 화상, 데이타 등 정보의 종류가 다양하고 여러 채널을 통한 다양한 서비스 기능이 있으므로 실제적인 구현에는 어려움이 있다. 이러한 문제들을 고려하여 본 논문에서는 ISDN에서 필요한 정보보호기능 중 가장 중요한 비밀보장 방법에 대해서 연구하였다. 따라서 사용자정보의 비밀보장을 위한 보안 프로토콜의 구조를 제시하였고, 정보암호화를 위한 키분배 및 관련정보교환을 호설정시 Q.931 메세지 교환에서 처리할 수 있도록 하는 방안을 제시하였다. 공개키분배방식을 위한 사전정보의 교환은 호설정과정에 포함되어 D채널을 통해서 이루어진다.