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- 저자 : 송기문(Kie Moon Song) (검색결과 4 건)
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Chalcopyrite AlGaAs₂, (Al,Ga)As 반도체내 Mn의 강자성
강병섭(Byung-Sub Kang),송기문(Kie-Moon Song),이행기(Haeng-Ki Lee) 한국자기학회 2020 韓國磁氣學會誌 Vol.30 No.5
We investigated the electronic and magnetic properties for a diluted magnetic semiconductor of 3d-metal Mn-doped chalcopyrite (CH) AlAs, GaAs, and AlGaAs₂ semiconductors by using the first-principle calculations. The CH-AlGaAs₂:Mn without the defects exhibits the ferromagnetic and half-metallic states. For the system of CH-Al(Ga,Mn)As₂, the ferromagnetism with high magnetic moment of Mn is induced from the exchange couplings between Mn-3d and As-4p bands. The partially unoccupied majority-spin Mn- 3d and As-4p states are induced. Thus the Mn moments couple to holes by an on-site exchange interaction due to the overlap of the hole wave-function with the Mn-3d (or As-4p) electrons. The electronic and magnetic properties for Mn-doped CH-AlAs and CHGaAs systems were compared with that of CH-Al(Ga,Mn)As₂. It is noticeable that high magnetic moment induces from the characteristics by holes-mediated double-exchange coupling.
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도핑되지 않은 다결정 다이아몬드 박막의 전계방출기구 조사
심재엽(Jae Yeob Shim),지응준(Eung Joon Chi),송기문(Kie Moon Song),백홍구(Hong Koo Baik) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(1)
도핑되지 않은 다이아몬드 박막의 전계방출기구를 조사하기 위하여 양의 기판전압과 메탄농도를 변화시켜 구조적 특성이 다른 다이아몬드 박막을 제조하였다. 메탄농도와 양의 기판전압을 증가시킴에 따라 다이아몬드 박막내에 존재하는 비다이아몬드 성분은 증가하였다. 기판전압을 증가시킴에 따라 비다이아몬드 성분이 증가하는 것은 기판온도의 증가와 CH_n 라디칼(radical)의 과잉 생성때문이라고 생각된다. 도핑되지 않은 다결정 다이아몬드 박막의 전계방출특성은 비다이아몬드 성분의 양이 증가함에 따라 현저하게 향상되었다. 비다이아몬드 성분이 적은 경우에는 다이아몬드 표면을 통하여 전자가 방출되며 비다이아몬드 성분이 많은 경우는 모서리 뿐만아니라 내부를 통하여 전자가 방출됨을 알 수 있었다. 본 연구로부터 비다이아몬드 성분의 양에 따른 두가지의 전계방출기구가 제시되었다. In order to investigate field emission mechanism of undoped polycrystalline diamond films, diamond films with different structural properties were deposited by varying positive substrate bias and/or CH₄ concentration. When increasing the CH₄ concentration and positive substrate bias voltage, nondiamond carbon content in diamond films increased. Increase of nondiamond carbon content with increasing substrate voltage is ascribed to increase of substrate and excess generation of CH_n radicals. Field emission properties of undoped polycrystalline diamond films were significantly enhanced with increasing nondiamond carbon content. For diamond films with a small amount of nondiamond carbon, electrons are emitted through diamond surface while for the films with a large amount of nondiamond carbon, electron emission occurs through diamond bulk as well as surface. From this study, depending on nondiamond carbon content two field emission mechanisms were suggested.
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HFCVD법으로 증착된 다이아몬드 박막의 이온주입 효과
백홍구,심재엽,송기문 건국대학교 자연과학연구소 1999 建國自然科學硏究誌 Vol.10 No.1
다이아몬드 에미터는 디바이스 안정성이나 내구성에서 탁월한 성능을 가지므로 합성 다이아몬드 박막에 대한 관심이 크다. 이온주입의 효과가 고온 휠라멘트 화학기상증착법(HFCVD)법으로 성장된 다이아몬드 박막의 다이아몬드 품질에 미치는 영향을 연구하였다. 여기서는 붕소와 인의 이온을 고 에너지로 주입시켜, 이온 주입 전후의 다이아몬드의 구조적 변화를 분석하였다. Raman 스펙트럼 측정에 의하면 붕소 이온 주입된 시료는 많은 흑연 성분을 포함한 미약한 다이아몬드의 특성을 보이고 있으나, 인 이온 주입된 시료는 다이아몬드 구조를 나타내지 않는다. Auger 스펙트럼을 분석하면 붕소와 인 이온을 주입한 시료 모두가 표면에 심한 이온주입 훼손이 생겨 다이아몬드 특성을 잃은 것을 알 수 있다. There has been much interest in synthetic thin film diamond as the emitter materials because the diamond emitter can carry a crucial performance for the device stability and durability. Diamond films grown by hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) have been studied to investigate the effect of ion implantation on diamond qualities. Here the diamond films were implanted with boron and phosphorus ions and analyzed their structural changes by implantations. From Raman spectra, the boron ion implanted samples still show a weakened diamond peak with high graphite component while the phosphorus ion implanted sample loses diamond structure. On tile other hand. their AES spectra at surface do not exhibit an obvious diamond shoulder, indicating the surface of ion implanted samples damaged by high fore implantation.
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갈륨비소(110) 표면상의 리튬 원자의 흡착에 관한 연구
송기문 건국대학교 자연과학연구소 1998 建國自然科學硏究誌 Vol.9 No.2
이종 원자가 접근하기에 에너지적으로 가장 안정한 갈륨비소(110) 표면상의 4가지 위치에 대하여 리튬 원자를 수직으로 접근시키면서 각 리튬 높이에 대한 Hartree-Fock 에너지 계산을 실시하였다. 에너지적으로 가장 안정된 리튬 높이에서 4차 다체섭동이론 수준의 자세한 갈륨비소(110)표면과 리튬 원자간의 상호작용을 조사하였다. 계산에서, 갈륨,비소,리튬의 Hay-Wadt 유효핵전위를 사용하였다. 리튬 원자의 흡착은 LiGa5As4H12 시스템으로 구성된 위치(Site II)에서 에너지적으로 가장 안정함을 보였다. 리튬 원자로부터 갈륨비소(110) 표면으로 많은 전하이동이 있고, 갈륨비소(110) 표면에서는 갈륨 원자가 전하를 잃고 비소 원자가 전하를 얻는다. Different possible adsorption sites of lithium atoms on a GaAs (110) surface have been studied using ab initio self-consistent Hartree-Fock energy cluster calculations followed by detailed correlation investigations at the level of fourth-order many body perturbation theory. The Hay-Wadt effective core potentials have been applied to represent the core of lithium, gallium, and arsenic atoms. We find that Li atom adsorption at a site modeled with a LiGa5As4H12 system is the most favored energetically. Significant charge transfer from the Li atom to the GaAs (110) surface is also found to occur, with Ga atoms losing charge and As atoms gaining charge.
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