http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
새로운 구조의 IGBT 소자 설계 및 전기적 특성에 관한 연구
손정만(Jeong-Man Son),박미정(Mi-Jeong Park),신사무엘(Samuel Shin),구용서(Yong-Seo Koo) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.7
In this study, three types of new structural Trech type IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) are proposed. In process and device simulation results, we verified that these structure have superior electric characteristics than conventional structure about forward voltage drop and blocking capability, turnoff characteristics.