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수소기상화합물 증착법을 이용한 질화갈륨(GaN) 박막과 나노막대의 선택적 과성장(ELOG)
오태건(Taegeon Oh),이상화(Sanghwa Lee),최혁민(Hyeokmin Choe),손유리(Yuri Sohn),전재원(Jai Weon Jean),김진교(Chinkyo Kim) 한국생산제조학회 2007 한국공작기계학회 춘계학술대회논문집 Vol.2007 No.-
넓은 에너지 띠를 가지고 있는 GaN는 짧은 파장의 광전소자를 제작하는데 쓰일 수 있으며, 격자상수가 맞는 기판이 없기 때문에 보통 다량의 결정성 결함이 박막 내부에 발생한다. 질화갈륨(GaN)의 Epitaxial lateral overgrowth(ELO)는 GaN의 bulk substrate가 없는 상황에서 이종기판과의 격자상수 차이에 인하여 생기는 다량의 결정성 결함을 줄이기 위한 방편으로서, hydride vapor phase epitaxy(HVPE)를 이용하여 성장조건을 다양하게 변화시켜 가며 ELOG 방식에 의해 성장된 GaN의 표면 형상을 연구해 보았다.
수소기상화합물 증착법을 이용한 질화갈륨(GaN) 박막과 나노막대의 선택적 과성장(ELOG)
오태건(Taegeon Oh),이상화(Sanghwa Lee),최혁민(Hyeokmin Choe),손유리(Yuri Sohn),전재원(Jai Weon Jean),김진교(Chinkyo Kim) 한국생산제조학회 2007 한국생산제조시스템학회 학술발표대회 논문집 Vol.2007 No.5
넓은 에너지 띠를 가지고 있는 GaN는 짧은 파장의 광전소자를 제작하는데 쓰일 수 있으며, 격자상수가 맞는 기판이 없기 때문에 보통 다량의 결정성 결함이 박막 내부에 발생한다. 질화갈륨(GaN)의 Epitaxial lateral overgrowth(ELO)는 GaN의 bulk substrate가 없는 상황에서 이종기판과의 격자상수 차이에 인하여 생기는 다량의 결정성 결함을 줄이기 위한 방편으로서, hydride vapor phase epitaxy(HVPE)를 이용하여 성장조건을 다양하게 변화시켜 가며 ELOG 방식에 의해 성장된 GaN의 표면 형상을 연구해 보았다.