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- 저자 : 서문석 ( Moon Suhk Suh ) (검색결과 3 건)
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서문석 ( Moon Suhk Suh ),이철승 ( Churl Seung Lee ),이경일 ( Kyoung Il Lee ),신진국 ( Jin Koog Shin ) 정보저장시스템학회 2005 추계학술대회논문집 Vol.2005 No.-
To illustrate an application of the field effect transistor (FET) structure, this study suggests a new cantilever, using atomic force microscopy (AFM), for sensing surface potentials in nanoscale. A combination of the microelectromechanical system technique for surface and bulk and the complementary metal oxide semiconductor process has been employed to fabricate the cantilever with a silicon-on-insulator (SOl) wafer. After the implantation of a high-ion dose, thermal annealing was used to control the channel length between the source and the drain. The basic principle of this cantilever is similar to the FET without a gate electrode.
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서문석,고범권,김형일,이정청 대한신경외과학회 1981 Journal of Korean neurosurgical society Vol.10 No.1
A rare case of mixed pial and dural arteriovenovs malformation in the left frontal convexity is reported. This arteriovenous malformation is supplied from the left middle meningeal artery and small pial vessels and drained into the superior sagittal sinus. This arteriovenous malformation was totally excised without artificial emoblization of the left middle meningeal artery.
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Electron Cyclotron Resonance O_2 Plasma에서 증착한 규소 산화 박막의 특성
안명환,서문석,장재선,서성모,이기방,윤창주,이형재,남기석,최규현,손춘배,김용섭,강석희 全北大學校 基礎科學硏究所 1994 基礎科學 Vol.17 No.-
규소 산화막을 ECR-CVD(electron cyclotron resonance-chemical vapor deposition) 증착방법으로 5인치 기판위에 상온에서 증착하고, 증착공정조건인 증착율, 기판온도, 마이크로파의 세기변화 및 플라즈마 혼합기체의 비에 따른 규소 산화막의 특성을 조사하였다. 또한 산화막의 구조적인 특성을 비교하기 위해 FTIR을 이용하여 ECR-CVD 증착한 산화막, RPE-CVD(remote plasma enhanced-CVD) 증착한 산화막 및 열 산화막의 stretching frequency를 측정하였다. 측정된 결과 ECR-CVD로 증착된 산화막이 구조적인 면에서 열 산화막과 거의 같음을 보였다. ECR-CVD로 증착된 산화막의 전기적인 특성을 전류-전압 및 축전-전압 측정에의하여 분석하였다. 축전된 산화막의 전기적인 특성은 산화막의 전하 밀도는 1×10 exp (11)/㎠이였고, 평균 절연 파괴 전압은 약 6 MV/㎝이다. We have grown thin films of SiO_2 at room temperature by using an ECR-CVD system and have investigated the changes in the properties of the deposited films with changes in the processing conditions such as the deposition rate, the substrate temperature, the microwave power and the plasma gas mixing ratio. We also measured the stretching frequency of three kinds of oxides, and ECR-CVD-grown oxide, a PECVD-grown oxide, and a thermally grown oxide, using FTIR analysis to compare their structural properties. The result shows that the structural properties of the ECR-grown oxide are similar to those of the thermally grown oxide. Additionally, the electrical properties of the ECR-grown oxide were investigated by using current-voltage and capacitance-voltage measurements. These electrical results indicate that the oxide charge density and the average breakdown voltage are 1×10 exp (11) ㎝^-2 and 6 MV/㎝, respectively.
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