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열 CVD 법에 의한 ZnO 박막의 저온 합성에 관한 연구 - 초산아연을 원료로 하는 박막 합성 - )
박흥철,문희,정상철 ( Heung Chul Park,Hee Moon,Sang Chul Jung ) 한국화학공학회 1991 Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHA Vol.29 No.5
For the purpose of improving the use of raw materials, zinc acetate-2-water which is cheap and easy to handle was used to synthesize ZnO thin films by thermal CVD method, which gave a good C-axis orientation even at atmospheric pressure and at relatively low temperature. The formation of ZnO films starts from 250℃ and the deposition rate increases with increasing reaction temperature. The rate of deposition was affected by flow rates of N₂ and O₂. Without the flow of O₂, the oxygen required in synthesizing ZnO films was partially supplied by zinc acetate-2-water itself.
열CVD법에 의한 ZnO박막의 저온합성 (1). - 박막성장속도 -
정상철 ( Sang-chul Jung ),문희 ( Hee Moon ),박흥철 ( Heung-chul Park ) 한국공업화학회 1990 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.1990 No.0
기준의 MOCVD법에서 사용한 원료의 문제점을 개선하기 위만 일환으로 Zn(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>·2H<sub>2</sub>O를 원료로 선택하여 250 - 500 ℃ 사이리 낮은 온도에서 ZnO박막을 합성 하였다. 새원료인 식초산아연은 상압과 낮은 온도에서도 열CVD법에 의하여 C축 배향성이 우수한 박막을 형성하였다. 실험은 soda-lime-silica 슬라이드 유리 (76 × 26mm)를 적층기판으로 사용하였고, 예열 부분과 적층부분이 분리된 hot wall system의 수평형 epitaxial 반응기를 사용하였다. 막의 평가는 결정상태에 대한 X-ray 회절, 막조성에 대한 ESCA, 그리고 적층량은 중량법으로 각각 측정 하였다. 반응온도의 증가에 따라 적층속도가 증가 하였으나, 예열온도는 260 ℃ 이상에서 예열온도가 증가 할수록 적층속도가 오히려 감소하였다. 합성조건에 따른 carrier gas와 반응가스 유량의 최적치를 검토하였으며, O<sub>2</sub>의 유무와 유량변화에 따른 적층속도 변화를 가지고 mechanism적 측면을 고찰하였다.