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- 저자 : 문윤곤 (검색결과 5 건)
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DTA를 통한 LAS계 투명 결정화 유리의 결정화 조건 최적화
문윤곤,임태영,이미재,김진호,전대우,황종희,Moon, Yun-Gon,Lim, Tae-Young,Lee, Mijai,Kim, Jin-Ho,Jeon, Dae-Woo,Hwang, Jonghee 한국전기전자재료학회 2016 전기전자재료학회논문지 Vol.29 No.2
The basic characteristics of glass are highly fragile and brittle consequences the ultimate purpose of glass manufacturing is to make a transparent glass with complex shape. In order to solve this problem, mechanical properties of glass can be increased by crystallization of its amorphous glass. However, glass-ceramics has become opaque through crystallization process due to the distracted interface of glass by precipitated particles. This study has been investigated thermal processing conditions of LAS transparent glass-ceramic by using DTA (differential thermal analysis), in order to control size of precipitated particle and then fabricate transparent glass-ceramic. DTA indicated that crystallization peak area was declined with increased nucleation temperature. Subsequently, we have been established optimum temperature for crystallization depending on the nucleation temperature. The transmission and thermal expansion were measured after crystallization, and the size of precipitated particle was identified in range of 20~100 nm by FE-SEM. In addition, by setting the optimized crystallization condition, with high transmission and low thermal expansion glass was synthesized through this experiment.
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EFG 방법으로 성장한 β-Ga2O3 단결정의 영역별 품질 분석
박수빈,제태완,장희연,최수민,박미선,장연숙,문윤곤,강진기,이원재 한국결정성장학회 2022 한국결정성장학회지 Vol.32 No.4
초광역대 반도체인 β-Ga₂O₃은 고전력 반도체 소재에 대한 유망한 응용으로 인해 큰 주목을 받고 있다. 5가지 다른 다형 중 가장 안정적인 상인 β-Ga₂O₃는 4.9eV의 넓은 밴드갭과 8MV/cm의 높은 항복 전계를 갖는다. 또한, 이는 용융 소스로부터 성장될 수 있어 전력반도체용 SiC, GaN 및 다이아몬드와 같은 다른 와이드 밴드갭 반도체보다 더 높은 성장률과 더 낮은 제조 비용으로 성장이 가능하다. 이 연구에서 β-Ga₂O₃ 단결정 성장은 EFG(edge-defined film-fed growth) 방법에 의해 성장되었다. 성장 방향과 주면을 각각 β-Ga₂O₃ 결정의 [010] 방향과 (100)면으로 성장하였다. Raman 분석의 스펙트럼으로 β-Ga₂O₃ 잉곳의 결정상과 불순물을 확인하였고, 고해상도 X선 회절(HRXRD)을 이용하여 결정 품질과 결정 방향을 분석하였다. 또한 EFG 방법으로 성장한 β-Ga₂O₃ 리본형태의 잉곳을 각 위치별로 결정 품질과 다양한 특성을 체계적으로 분석하였다.
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EFG 법으로 성장한 β-Ga₂O₃ 단결정의 Sn 도핑 특성 연구
제태완,박수빈,장희연,최수민,박미선,장연숙,이원재,문윤곤,강진기,신윤지,배시영 한국결정성장학회 2023 한국결정성장학회지 Vol.33 No.2
The β-Ga2O3 has the most thermodynamically stable phase, a wide band gap of 4.8~4.9 eV and a high dielectric breakdown voltage of 8MV/cm. Due to such excellent electrical characteristics, this material as a power device material has been attracted much attention. Furthermore, the β-Ga2O3 has easy liquid phase growth method unlike materials such as SiC and GaN. However, since the grown pure β-Ga2O3 single crystal requires the intentionally controlled doping due to a low conductivity to be applied to a power device, the research on doping in β-Ga2O3 single crystal is definitely important. In this study, various source powders of un-doped, Sn 0.05 mol%, Sn 0.1 mol%, Sn 1.5 mol%, Sn 2 mol%, Sn 3 mol%-doped Ga2O3 were prepared by adding different mole ratios of SnO2 powder to Ga2O3 powder, and β-Ga2O3 single crystals were grown by using an edge-defined Film-fed Growth (EFG) method. The crystal direction, crystal quality, optical, and electrical properties of the grown β-Ga2O3 single crystal were analyzed according to the Sn dopant content, and the property variation of β-Ga2O3 single crystal according to the Sn doping were extensively investigated. 최근 전력반도체 소재로 관심을 가지는 Ga2O3의 β-상은 열역학적으로 가장 안정한 상을 가지며 4.8~4.9 eV의 넓은 밴드갭과 8MV/cm의 높은 절연파괴전압을 갖는다. 이러한 우수한 물리적 특성으로 인해 전력반도체 소재로 많은 주목을 받고 있다. β-Ga2O3는 SiC 및 GaN의 소재와는 다르게 액상이 존재하기 때문에 액상 성장법으로 단결정 성장이 가능하다. 하지만 성장한 순수 β-Ga2O3 단결정은 전력 소자에 적용하기에는 낮은 전도성으로 인해 의도적으로 제어된 도핑 기술이 필요하며 도핑 특성에 관한 연구가 매우 중요하다. 이 연구에서는 Ga2O3 분말과 SnO2 분말의 몰 비율을 다르게 첨가하여 Un-doped, Sn 0.05 mol%, Sn 0.1m ol%, Sn 1.5 mol%, Sn 2 mol%, Sn 3 mol%의 혼합분말을 제조하여 EFG(Edge-defined Film-fed Growth) 방법으로 β-Ga2O3 단결정을 성장시켰다. 성장된 β-Ga2O3 단결정의 Sn dopant 함량에 따른 결정 품질 및 광학적, 전기적 특성 변화를 분석하였으며 Sn 도핑에 따른 특성 변화를 광범위하게 연구하였다.
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OLED 레이저 실링용 글라스 프릿에서 V<sub>2</sub>O<sub>5</sub> 함량 및 가소성 분위기가 접합 특성에 미치는 영향
정현진,이미재,이영진,김진호,전대우,황종희,이정수,양윤성,육수경,박태호,문윤곤,Jeong, HyeonJin,Lee, Mijai,Lee, Youngjin,Kim, Jin-Ho,Jeon, Dae-Woo,Hwang, Jonghee,Lee, Jungsoo,Yang, Yunsung,Youk, Sookyung,Park, Tae-Ho,Moon, Yun-Gon 한국전기전자재료학회 2016 전기전자재료학회논문지 Vol.29 No.8
In this study, the effect of vanadium oxide ($V_2O_5$) content and pre-sintering atmosphere on sealing property of glass frit that consisted of $V_2O_5-BaO-ZnO-P_2O_5-TeO_2-CuO-Fe_2O_3-SeO_2$ was investigated by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy). The content of V2O5 was changed to 15, 30, and 45 mol%, and the pre-sintering was carried out in air and $N_2$ condition, respectively. XPS analysis conducted before and after laser irradiation with identical sample. Before laser treatment, glass frits that were pre-sintered at air condition showed both $V^{4+}$ and $V^{5+}$, but the valence state was changed to $V^{5+}$ after laser irradiation when the glass frits contained 30 and 45 mol% $V_2O_5$; this change led to non-adhesive property. On the other hand, glass frits that were pre-sintered at $N_2$ condition exhibited only $V^{4+}$ and it showed fine adhesion irrespective of the $V_2O_5$ content. As a result, the existence of $V^{4+}$ seems to be a major factor for controlling the adhesive property of glass frit for laser sealing.
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OLED 레이저 실링용 글라스 프릿에서 V2O5 함량 및 가소성 분위기가 접합 특성에 미치는 영향
황종희,정현진,이미재,이영진,김진호,전대우,이정수,양윤성,육수경,박태호,문윤곤 한국전기전자재료학회 2016 전기전자재료학회논문지 Vol.29 No.8
In this study, the effect of vanadium oxide (V2O5) content and pre-sintering atmosphere on sealingproperty of glass frit that consisted of V2O5-BaO-ZnO-P2O5-TeO2-CuO-Fe2O3-SeO2 was investigated by XPS (X-rayphotoelectron spectroscopy). The content of V2O5 was changed to 15, 30, and 45 mol%, and the pre-sintering wascarried out in air and N2 condition, respectively. XPS analysis conducted before and after laser irradiation withidentical sample. Before laser treatment, glass frits that were pre-sintered at air condition showed both V4+and V5+,but the valence state was changed to V5+ after laser irradiation when the glass frits contained 30 and 45 mol%V2O5; this change led to non-adhesive property. On the other hand, glass frits that were pre-sintered at N2condition exhibited only V4+ and it showed fine adhesion irrespective of the V2O5 content. As a result, theexistence of V4+ seems to be a major factor for controlling the adhesive property of glass frit for laser sealing. 본 연구에서는 XPS 분석법을 이용하여 V2O5-BaO-ZnO-P2O5-TeO2-CuO-Fe2O3-SeO2 조성의 레이저 실링용 글라스 프릿에서 V2O5 함량 및 가소성 분위기가 접합 특성에 미치는 영향에 대해 고찰하였다. 글라스 프릿의 주성분인 V2O5 함량은 15, 30, 45 mol%으로 변화 시켰으며, 각각 대기 및 질소 분위기에서 가소성하였다. 레이저 조사 전, 대기 분위기에서 가소성한 모든 글라스 프릿 내 V은 V4+와 V5+ 상태로 모두 존재하지만, 레이저 조사 후에는 글라스 프릿의 V2O5 함량에 따라 V4+ 또는 V5+만 존재하였다. 특히, 레이저 조사 후, 유리 내 V5+만 존재할 경우에는 접합이 되지 않았다. 반면, 질소 분위기에서 가소성한 모든 글라스 프릿에는 V4+만 존재하는 것을 확인하였으며, 레이저 조사 후에도 V4+만 존재하였고 모두 접합이 잘 되었다. 따라서, 레이저 조사 후 글라스 프릿 내 V4+의 존재가 레이저 실링용 글라스 프릿의 접합 특성을 결정하는 주요한 요소로 작용하는 것으로 판단된다.
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