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태양전지용 MgF<sub>2</sub> 반사방지막 특성연구
박계춘(Park, Gye-Choon),양현훈(Yang, Hyeon-Hun),백수웅(Baek, Su-Ung),나길주(Na, Kil-Ju),소순열(So, Soon-Youl),이진(Lee, Jin),정해덕(Chung, Hae-Deok) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.11
MgF₂ is a current material for the optical applications in the UV and deep UV range. Process variables for manufacturing the MgF₂ thin film were established in order to clarify optimum conditions for growth of the thin film depending upon process conditions, and then by changing a number of vapor deposition conditions and substrate temperature, Annealing conditions variously, structural and Optical characteristics were measured. Thereby, optimum process variables were derived. Nevertheless, modern applications still require improvement of the optical and structural quality of the deposited layers. In the present work, the composition and microstructure of MgF₂ single layers grown on slide glass substrate by Electro beam Evaporator(KV-660) processes, were analyzed and compared. The surface Substrate temperature having an effect on the quality of the thin film was changed from 200[?C] to 350[?C] at intervals of 50[?C]. and annealing temperature an effect on the thin film was changed from 200[?C] to 400[?C] at intervals of 50[?C]. Physical properties of the thin film were investigated at various fabrication conditions substrate temperature, annealing and temperature, annealing time by XRD, FE-SEM.
양현훈(Hyeon-Hun Yang),백수웅(Su-Ung Baek),나길주(Kil-Ju Na),소순열(Soon-Youl So),박계춘(Gye-Choon Park),이진(Jin Lee),정해덕(Hae-Deok Chung) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.7
MgF₂ is a current material for the optical applications in the UV and deep UV range. Process variables for manufacturing the MgF₂ thin film were established in order to clarify optimum conditions for growth of the thin film depending upon process conditions , and then by changing a number of vapor deposition conditions and substrate temperature, Annealing conditions variously, structural and Optical characteristics were measured. Thereby, optimum process variables were derived. Nevertheless, modern applications still require improvement of the optical and structural quality of the deposited layers. In the present work, the composition and microstructure of MgF₂ single layers grown on slide glass substrate by Electro beam Evaporator(KV-660) processes, were analyzed and compared. The surface Substrate temperature having an effect on the quality of the thin film was changed from 200[℃] to 350[℃] at intervals of 50[℃]. and annealing temperature an effect on the thin film was changed from 200[℃] to 400[℃] at intervals of 50[℃]. Physical properties of the thin film were investigated at various fabrication conditions substrate temperature, annealing and temperature, annealing time by XRD, FE-SEM.
박호현 ( Ho-hyun Park ),박미숙 ( Mi-suk Park ),나길주 ( Kil-ju Na ) 대한임상검사과학회 2018 대한임상검사과학회지(KJCLS) Vol.50 No.3
Scuttle fly의 중추신경계는 알 시기와 애벌레 1령 시기는 애벌레의 크기가 너무 작아서 중추신경계를 분리하기 곤란하여 채취하지 못하여 형태를 관찰할 수 없었고, 애벌레 시기 2령(instar) 2∼3일은 윗부분의 뇌가 좌측과 우측으로 분리되어 있었고 아래 부분에는 식도하신경절에 의해 복신경색이 “ㄴ”자 모양으로 연결되어 있었다. 애벌레 3령 3∼5일은 2령에 비해 중추신경계가 약간 커져 있는 것을 제외하고는 동일한 특성을 가지고 있었다. 번데기 시기에는 중추신경계가 앞쪽 머리에 위치하고 있었고, 번데기 1∼3일에는 애벌레 3령 시기의 모양과 형태가 거의 비슷했으며, 번데기 4∼6일에는 좌측과 우측으로 분리되어 있었던 뇌 조직이 점점 밀착되어 합쳐져 있었으며 가장 자리에 자리 잡은 시엽도 점점 발생하여 완성된 형태로 만들어지고 있었다. 번데기 7∼9일에는 시엽 가장자리에 안구 색소(eyeball pigment)가 관찰되었고 식도하신경절이 뇌 조직과 결합되면서 복신경색 조직과 분리되기 시작하고 신경섬유(nerve fiber)도 많이 증가되고 있었다. 번데기 10∼12일에는 중추신경계의 뇌와 복신경색이 뚜렷하게 분리되었고 시엽의 안구 색소도 진한 갈색으로 뚜렷이 관찰되었다. 번데기 13∼15일에는 분리된 뇌와 복신경색 조직이 가느다란 신경섬유에 의해 겨우 연결되어 있었고 복신경색 조직도 위와 아래로 두 개로 분리되기 시작하였고 무수히 많은 신경섬유가 생성되어 있었다. 그리고 성충 시기에는 번데기 13∼15일 시기와 거의 비슷한 특징을 가지고 있고, 특히 중추신경계 조직인 머리 부분의 뇌 조직과 가슴 앞쪽 부분의 복신경색 조직이 위치해 있는 것을 관찰하였다. The scuttle fly central nervous system (CNS) is unobservable during egg and larvae instar stage 1. During days 2∼3 of larvae instar stage 2, the left and right hemisphere of the brain can be observed. Below the brain, the subesophageal ganglion (SOG) connects to the ventral nerve cord (VNC). During days 3∼5 of larvae instar stage 3, the CNS enlarged slightly with no other changes. During days 1∼3 of the pupal stage the CNS moved to the head with no distinguishable changes from the previous stage. During days 4∼6 of the pupal stage, the left and right hemisphere of the brain had fused into one mass and the optic lobe (OL) located on the side of the brain completed its development. During days 7∼9 of the pupal stage, the OL began to show eyeball pigment. The SOG was connected to the brain and the VNC began to separate, which was accompanied by an increase in nerve fibers. During days 10∼12 of the pupal stage, the brain of the CNS and VNC was clearly distinguished and the brown pigmentation of OL became darker. During days 13∼15 days of the pupal stage, the separated brain and VNC became connected by thin nerve fiber. The VNC began to separate into two with a greater increase in nerve fibers. The adult fly showed similar features to the previous stage, but the brain was located in the head and the VNC in the chest.
백수웅(Baek, Su-Ung),양현훈(Yang, Hyeon-Hun),한창준(Han, Chang-Jun),김한울(Kim, Han-Wool),나길주(Na, Kil-Ju),이석호(Lee, Suk-Ho),정해덕(Chung, Hae-Deok),박계춘(Park, Gye-Choon) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.06
Selenium 물질은 지구상에 많은 양이 존재하고, 가격이 저렴하다. 그 성질은 분광감도가 시감도에 잘 일치하고, 광학적 특성이 뛰어나서 태양전지로 연구도 활발히 진행 중이다. 본 연구에서는 Se박막을 열저항증착방법을 이용하여 증착시, 기판온도를 변화를 시켜 그 구조적특성의 변화를 관찰하였다. 50?C에서 변화를 시작하여 70?C, 100?C의 변화에서 각각 단사정계, 육방정계 결정구조가 나타났다. XRD 분석결과 100?C에서 증착한 sample의 회절강도가 70?C에서 증착한 sample보다 작은회절강도를 나타내었다. 추후 열처리공정등을 통하여 보완하면, CISe 박막 화합물 태양전지 연구에 큰 효과를 나타낼 수 있을 것으로 예상된다.
진공 석영관에서 Selenization한 CuInSe₂ 박막 특성분석
양현훈(Yang, Hyeon-Hun),백수웅(Back, Su-Ung),김한울(Kim, Han-Wool),한창준(Han, Chang-Jun),나길주(Na, Kil-Ju),김영준(Kim, Young Jun),소순열(So, Soon-Youl),박계춘(Park, Gye-Choon),이진(Lee, Jin),정해덕(Chung, Hae-Deok) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.06
본 실험에서는 CuInSe₂ 3원물질을 화학량론적 조성비가 되도록 박막을 제조하기 위해 각 단위원소를 원자비에 맞춰 전자선가열 진공증착기를 사용하여 Cu, In, Se 순으로 증착하였다. 90?C이하의 온도에서 CuIn₂, In상이 주를 이루며, 100?C이상에서는 Cu_{11}In_9상이 나타나기 시작하고 In상이 증가하였다. 10^{-3}torr이상의 진공석영관에서 열처리와 동시에 Selenization을 통해 제작된 CuInSe₂박막은 열처리온도 250?C에서는 CuxSe, CuSe등의 2차상들이 나타나다가 450?C이상의 고온에서 CuInSe₂ 단일상을 형성하였다. 이로부터 진공중에서 반응을 시켰을 때, 더 낮은 온도에서 반응이 일어나고 열역학적으로 보다 안정한 소수의 화합물들이 쉽게 형성됨을 확인할 수 있었다. 특히 250?C에서는 Sphalerite 구조를 가지다가 350?C이상의 온도에서 Selenization하였을 때 Chalcopyrite 구조를 가졌다. 박막이 두꺼워지면서 결정립의 크기가 커지고 응력이 작아지는 특성을 보였다. 에너지 밴드갭은(E_g)은 Cu/In 성분비율이 클수록 작은값을 보였으며, 결절립크기가 증대되므로 결국 흡수계수가 낮아짐을 알 수 있다. 또한 두께가 증가할수록 전반적으로 흡수계수가 증가하였고 Cu/In의 성분비율이 0.97일 때 기초흡수파장은 1,169nm이고 에너지밴드갭은 1.06eV이었으며, 두께 1.5{mu}m이상일 때 전반적으로 양호한 상태의 p-type CuInSe₂박막을 제작하였다.