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金政彦,洪昌熹 동아대학교 공과대학 부설 한국자원개발연구소 1994 硏究報告 Vol.18 No.2
The offset voltage in silicon Hall plates is mainly caused by stress and strain in package, and by alignment in process. The offset voltage is appeared random for condition change with time in the factory, is non-linearly changed with temperature. In this paper proposed new method of design of Hall IC, and methematicaly proved relation layout of chip of 90°-shift-current Hall plate pair is matched with "Differential to Single ended Conversion amplifier." In the experiment, the offset voltage is reduced 1/100 time than the origInal offset voltage.
에미터 형성공정에 따른 실리콘 고주파 트랜지스터의 전기적특성
金政彦,洪昌熹 東亞大學校 附設 情報通信硏究所 1994 情報通信硏究所論文誌 Vol.2 No.1
UHF(Ultra High Frequency)대역에서 사용되는 실리콘 바이폴라 고주파 트랜지스터의 제작시 에미터 형성 방법에 따른 전기적 특성변화를 고찰하였다. 시료의 에미터 형성방법에는 3가지 경우를 적용하였다. 첫째, POCl₃을 이용한 방법. 둘째, 비소 이온을 주입한 후 爐에서 확산한 방법. 셋째, 비소를 이온 주입한 後에 급속열공정(Rapid Thermal Process : RTP) 방법을 실시하였다. 결과로써 POCl₃을 이용해서 인을 도펀트(Dopent)로 사용한 경우는 에미터 푸시(Push)효과에 의하여 주파수 특성이 열화되었다. 반면에 비소를 도펀트로 사용하고 급속 열공정을 이용하여 에미터 농도 기울기를 급격하게 만든 시료는 전기적 특성이 매우 우수하게 나타났다.