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하향 원형 노즐 제트에 의한 80℃ 이하 등온 원형 평판에서의 열전달 현상 연구
김봉윤(Bong Yun Kim),엄용균(Youg Kyoon Eom) 대한기계학회 2020 大韓機械學會論文集B Vol.44 No.2
등온 조건 60, 70 및 80℃인 상향 원형 평판에 간극비(H/D)가 1인 상태에서 직경이 4, 6 및 8mm인 노즐로, 24℃ 물 3.6, 4.6 및 5.6L/min을 각각 하향 분사할 때 발생하는 열전달 현상을 연구하였다. 유량이 일정할 때 노즐 직경이 증가함에 따라, 평균 열전달 계수(havg)는 감소하고, 국소 열전달 계수(hr)는 충돌 영역에서 노즐 크기 비율(4/D)만큼 감소하지만 이후 영역은 반경 방향 거리 증가에 따라 국소 열전달 계수(hr )의 감소율은 적어지고 수력 도약 이후 영역에서는 노즐 직경의 크기는 국소 열전달 계수에 거의 영향을 미치지 않는다. 실험 결과로부터 네 개의 유동 영역에서의 무차원 수 Nur, Prrr r/Rc , Dr, Vr 및 Rejg에 대한 두 개의 상관 관계식을 도출하였다. A study of heat transfer phenomena has been carried out when circular nozzle water jets (24 ℃) impinging perpendicularly on an upward circular plate at isothermal conditions 60, 70, 80 ℃. The nozzle diameters were 4, 6 and 8 mm, respectively, the impingement flow rates were 3.6, 4.6 and 5.6 L/min and H/D = 1. As the nozzle diameter increases when the flow rate is constant, the average heat transfer coefficient decreases, and the local heat transfer coefficient decreases by the nozzle size ratio (4/D) in the impact region, but in the region after impact the reduction rate of the local heat transfer coefficient is decreasing with the increasing radial distance, and in the area after the hydraulic jump the size of the nozzle has little effect on the local heat transfer coefficient. From the experimental results, two correlation equations for the dimensionless numbers Nur, Prr r/Rc, Dr, Vr and Rejg and for the four flow regimes were derived.
DLTS법에 의한 n형 CulSe₂ 화합물 반도체의 결함준위에 관한 연구
김봉윤,정재국 中央大學校 基礎科學硏究所 1990 基礎科學硏究所 論文集 Vol.4 No.-
The n-CuInSe₂single crystals were prepared by resolidification of CuInSe₂powder. The Schottky diodes were fabricated by evaporating thin film of Au onto n-type single crystals of CuInSe₂. We investigated current-voltage characteristics and capacitance transient behavior of this diode. The DLTS Spectrum varying the magnitude of reverse bias were also investigated. The analysis of the DLTS Spectrum suggest that the presence of the donor level with activation energy of 79 meV below the conduction band and capture cross section of 5.32×10????cm²