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김대희(Kim, Dea-hee) 강원대학교 비교법학연구소 2017 江原法學 Vol.50 No.-
채권은 양도할 수 있다(민법 제449조 제1항). 그러나 채무자가 채권자를 해함을 알고 채권을 양도한 때에는 채권자는 그 취소 및 원상회복을 법원에 청구할 수 있다(민법 제406조). 여기서 원상회복은 원물반환이 원칙이고 원물반환이 불가능한 경우 예외적으로 가액배상에 의하게 된다. 사해행위취소소송에 관한 민법의 조문은 단 2개뿐인데 비하여 그 사건은 실무상 대단히 많은 편이다. 대부분의 사건 해결은 기존 판례의 기초 위에서 이루어진다. 그런 점에서 특정 쟁점과 관련된 사해행위취소소송의 판례를 분석하고 정리하는 작업은 향후 유사한 사건 해결을 위하여 대단히 중요하다고 생각한다. 최근 대법원은 ‘채권양도가 사해행위로 취소되는 경우에 취소채권자가 채무자를 대위하여 제3채무자를 상대로 채권에 관한 지급을 청구할 수 없다’는 판결을 선고하였다. 이 논문은 위 판결을 기초로 하여 채권양도와 사해행위를 둘러싼 주요 쟁점에 관하여 고찰하고자 한다. 먼저 채권양도가 사해행위가 되는 경우를 유형별로 살펴보고, 다음에 위 판결에 대한 기존 학계의 논의와 위 판결의 당부를 검토한다. 그리고 채권양도가 취소되는 경우 원상회복 방법에 대하여 자세히 고찰한 다음, 채권양도와 사해행위가 문제되는 기타 쟁점에 대하여 살펴본다. A claim may be assigned(Article 449, Paragraph 1 of the Civil Act). However, if the obligor assigns the claim with the knowledge that it would prejudice the obligee, the obligee may apply to the court for its revocation and restitution of its original status (Article 406 of the Civil Act). Here, restitution of the original status in the clause means restitution of the original property in principle; however, monetary compensation may be admissible in case the original cannot be restored. There are only two articles of the Civil Code concerning the actio pauliana, but the case is very much in practice. Most case resolution takes place on the basis of the existing case law. In this regard, I think that analyzing and summarizing the precedents of revocation of the acts related to the specific issues are very important for resolving similar cases in the future. Recently, the Supreme Court ruled that a revocation obligee would not be able to claim a third obligor if the assignment of claim was canceled by an act of destruction. This paper examines the major issues concerning the assignment of claim and fraudulent act on the basis of the above judgment. First, we examine the cases in which the assignment of claim is a fraudulent act, and then examine the existing academic disputes and the right and wrong of the ruling. When the assignment of claim is canceled, the details of the recovery method will be examined in detail.
김기현(Ki-hyun Kim),구경완(Kyung-wan Koo),김지환(Ji-hwan Kim),김대희(Dea-hee Kim),고혁진(Hyun-kjin Koh) 대한전기학회 2021 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2021 No.10
제주특별자치도의 "CFI(Carbon Free Island) JEJU by 2030" 내용을 살펴보면 신·재생에너지 원별 중 열에너지가 차지하는 비중이 매우 낮은 상황이다. 이에 본 연구에서는 신·재생에너지 중 태양광과 태양열을 융·복합한 태양광·열 하이브리드 온수 저장 시스템을 개발하여 공중화장실의 온수공급시스템으로 적용함으로써 신·재생에너지 원중 열에너지 활용을 촉진하고자 한다.
전명화(Jeon Myung-Hwa),김대희(Kim Dea-Hee),황은경(Hwang Eun-Kyoung) 대한건축학회 2007 대한건축학회 학술발표대회 논문집 - 계획계/구조계 Vol.27 No.1
Most of the residential institutions for the elderly have played an important role as dwelling for the poor elderly and have been managed for free or actual expense in Korea. While the institutions for free or actual expense have the negative view of citizen, the paid-institutions have been recognized as the resident for a high-class. But as the elderly population has been increasing fast, the residential institutions will be an alternative residential type for the middle-class as well as for the poor. The purpose of this study is to propose a revitalization plan of the residential institutions for the elderly. Through interviewing with institution's operators and analyzing the related laws, we deduced some problems and proposed five revitalization plans of the residential institutions for the elderly as follows; (1) resetting meanings of the residential institutions for the elderly, (2) improving a financial support and a policy of the government, (3) improving building environment and location, (4) allotting a portion of work to related organizations, (5) making the image of institutions better and activating an interchange with community.
1,200V 급 Trench Gate Field stop IGBT 공정변수에 따른 스위칭 특성 연구
조창현(Chang Hyeon Jo),김대희(Dea Hee Kim),안병섭(Byoung Sup Ahn),강이구(Ey Goo Kang) 한국전기전자학회 2021 전기전자학회논문지 Vol.25 No.2
IGBT는 MOSFET과 BJT의 구조를 동시에 포함하고 있는 전력반도체 소자이며, MOSFET의 빠른 스위칭 속도와 BJT의 고 내압, 높은 전류내량 특성을 갖고 있다. GBT는 높은 항복전압, 낮은 VCE-SAT, 빠른 스위칭 속도, 고 신뢰성의 이상적인 파워 반도체 소자의 요구사항을 목표로 하는 소자이다. 본 논문에서는 1,200V 급 Trench Gate Field Stop IGBT의 상단 공정 파라미터인 Gate oxide thickness, Trench Gate Width, P+ Emitter width를 변화시키면서 변화하는 Eoff, VCE-SAT을 분석하였고, 이에 따른 최적의 상단 공정 파라미터를 제시하였다. Synopsys T-CAD Simulator를 통해 항복전압 1,470V와 VCE-SAT 2.17V, Eon 0.361mJ, Eoff 1.152mJ의 전기적 특성을 갖는 IGBT 소자를 구현하였다. IGBT is a power semiconductor device that contains both MOSFET and BJT structures, and it has fast switching speed of MOSFET, high breakdown voltage and high current of BJT characteristics. IGBT is a device that targets the requirements of an ideal power semiconductor device with high breakdown voltage, low VCE-SAT, fast switching speed and high reliability. In this paper, we analyzed Gate oxide thickness, Trench Gate Width, and P+Emitter width, which are the top process parameters of 1,200V Trench Gate Field Stop IGBT, and suggested the optimized top process parameters. Using the Synopsys T-CAD Simulator, we designed IGBT devices with electrical characteristics that has breakdown voltage of 1,470 V, VCE-SAT 2.17 V, Eon 0.361 mJ and Eoff 1.152 mJ.
강병구(Byung goo Kang),전찬성(Chan sung Jun),정희웅(Hoi woong Jung),김대희(Dea hee Kim),은성배(Seongbae Eun) 대한전기학회 2006 정보 및 제어 심포지엄 논문집 Vol.2006 No.1
Our goal of study is to develop an automatic carkeeping book using ZigBee Protocol. Car owner gets information of car by PDA or Mobile phone through ZigBee wireless communication network, Running distance, tuning information of car. refueling information and repair information are automatically downloaded from Gas-Station or Tuning-shop. Finally, carkeeping book is automatically recorded without typing.