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4-대칭 LMT 구조를 이용한 3차원 반도체 자기센서(Ⅰ) : 제안과 설계 Proposal and Design
장지근,고광렬 단국대학교 신소재기술연구소 1992 신소재 Vol.2 No.-
바이폴라 집적회로 기술에 적합한 4-대칭 LMT(Lateral Magnetotransistor) 구조의 3차원 반도체 자기센서가 설계되고, 소자의 자계감도에 대한 이론적 연구가 실시된다. 설계된 소자는 기본 구조가 산화막 격리, 매몰층, 및 깊은 이미터를 지닌 40대칭 측면 pnp 트랜지스터로 형성되며, 대칭 구조에 따른 우수한 공간을 분해능을 갖는다. 인가된 바이어스 아래, 소자의 4-대칭 컬렉터 쌍의 전류를 분석하면, 3차원 자계 성분을 동시에 결정할 수 있다. 이 논문에서 제안된 새로운 구조의 자기센서가 5㎛ 바이폴라 집적회로 기술을 바탕으로 하여 설계될 때, 공간 분해능이 60×60×5㎛^3로 나타난다. A three-dimensional semiconductor magnetic sensor compatible with bipolar integrated technology is designed using four-symmetrical LMT structures. The device is composed of four-symmetrical lateral pnp transistors with oxide isolation, buried layer, and deep emitter, and has the capability of high spatial resolution due to the symmetrical feature. Under applied bias, analyzing the currents of four-symmetrical collector pairs, we can determine the 3-D magnetic-field components. The magnetic sensor newly proposed in this paper shows the spatial resolution of 60×60×5㎛^3 when it is designed on the basis of 5 ㎛ bipolar technology.