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송한복,양재교,성기훈,서동문,강두홍,좌용호,Song, Han-Bok,Yang, Jae-Kyo,Seong, Ki-Hun,Seo, Dong-Moon,Kang, Du-Hong,Choa, Yong-Ho 한국결정성장학회 2007 한국결정성장학회지 Vol.17 No.5
극청정 가스필터용 다공성 멤브레인을 제조하기 위해 금속산화물 분말의 in-situ한 환원/소결 공정을 이용하였다. 또한 기공도의 향상을 위해 solid pore forming agent로써 구형의 폴리머 입자를 첨가하여 금속 섬유를 사용한 멤브레인과 비슷한 52%의 기공도를 가지는 니켈 멤브레인을 제조하였다. 제조된 니켈 멤브레인은 폴리머의 첨가에 따라 평균기공크기와 기공도가 증가하였다. 한편 환원/소결 온도가 $800^{\circ}C$에서 $1000^{\circ}C$로 상승함에 따라 평균기공크기와 기공도는 감소하였다. 이는 환원/소결 온도가 상승함에 따라 격자확산 및 입계확산이 진행되어 멤브레인의 수축률 증가를 일으켰기 때문이다. Porous nickel membrane far high precision gas filter was prepared by in-situ reduced/sintered process of NiO with an addition of polymer(PMMA; polymethyl methacrylate). It showed that the porosity of Ni membrane was approximately 52%. It is similar to metal membrane which prepared using metal fiber as raw materials. The average pore diameter and porosity of Ni membrane increased as content of added polymer and decreased as elevating reduced/sintered temperature from $800^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$. Increase of porosity at $800^{\circ}C$ was associated with surface diffusion mechanism that leads to initial sintering, while decrease of porosity at $1000^{\circ}C$ was associated with lattice diffusion and grain boundary diffusion.
플라즈마 전해산화에 사용되는 전해액이 Al2O3 산화막 성장에 미치는 영향
민관식,김진태,이승수,차덕준,윤성현,강두홍,성기훈,김성철,윤상희,오은순,윤주영 한국물리학회 2013 새물리 Vol.63 No.11
In order to reduce the production of contaminating particles due to corrosion from toxic gases during a semiconductor process, we have grown on Al2O3 film on an Al plate by using plasma electrolytic oxidation (PEO). A container of electrolytic liquid with a cooling system and a power supply (35 kW, 700 V, 50 A) is fabricated, and electrolytic liquids with Si and P are used. As the Si concentration gets higher, the surface roughness of the Al2O3 film becomes worse, and its thickness increases. Particularly, with electrolytic solutions containing a mixture of Si and P elements, a tendency for the P concentration to get higher, the surface to become smoother and a phase of -Al2O3 to be more formed is shown. 반도체 공정 중 toxic gas에 의한 부식으로 인해 오염입자가 발생되는 것을 줄이기 위한 방법의 하나로 플라즈마 전해산화를 이용하여 알루미늄에 산화막인 알루미나 (Al2O3) 박막을 증착하였다. 박막의 증착을 위하여 전해조와 전해액 냉각 장치 그리고 전원공급 장치 (35 kW, 700 V, 50 A)를 제작하였고, 이를 이용하여 실험을 진행하였다. Si와 P을 전해액으로 하는 공정에 초점을 맞추어 연구를 진행하였다. Si는 농도가 높아질수록 표면의 거칠기가 거칠어지며, 두께가 증가하는 특성을 보이며, 특히 Si와 P을 혼합한 전해액에서 P의 농도가 높아질수록 표면이 평탄화되며, -Al2O3 상이 증가되는 특성을 보였다.