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감병민,우제학 대진대학교 신과학연구소 1999 신과학연구 Vol.2 No.-
지금까지 인터넷을 기반으로 하는 웹 서비스는 일방적인 특성을 갖고 있었다. 사용자는 정해진 네비게이션 구조를 따라서만 웹 서비스를 이용할 수가 있었다. 이런 문제를 해결하는 방법중의 하나는 개인의 성향에 맞게 차별화된 서비스가 이루어지도록 하여, 그들이 좋아하는 서비스를 좀더 편리하게 이용할 수 있게 하는 것이다. 특히 이런 서비스를 전자 상점에 이용한다면 판매자는 더 많은 고객을 확보할 수 있을 것이다. 본 논문은 전자 상점에서 지능적인 에이전트를 구현해 이 같은 서비스가 이루어지도록 하였다. 개인 상점 에이전트는 각 개인의 성향을 알아내고, 더 나아가 사용자의 성향을 예측하여, 그들만의 개인 상점을 구축한다. 개인 상점에서는 각각의 개인이 선호하는 상품들을 진열하며, 선호할 것이라고 예상되는 상품을 추천한다. 본 논문에서는 개인 상점 에이전트의 설계 사항을 언급하고, 구현된 결과를 설명한다. 또한, 앞으로 더 연구되어야 할 부분에 관해서 제안한다.
Si‐core/SiGe‐shell channel nanowire FET for sub‐10‐nm logic technology in the THz regime
유은선,손백모,감병민,조용상,박상준,이원준,정종완,조성재 한국전자통신연구원 2019 ETRI Journal Vol.41 No.6
The p‐type nanowire field‐effect transistor (FET) with a SiGe shell channel on a Si core is optimally designed and characterized using in‐depth technology computer‐aided design (TCAD) with quantum models for sub‐10‐nm advanced logic technology. SiGe is adopted as the material for the ultrathin shell channel owing to its two primary merits of high hole mobility and strong Si compatibility. The SiGe shell can effectively confine the hole because of the large valence‐band offset (VBO) between the Si core and the SiGe channel arranged in the radial direction. The proposed device is optimized in terms of the Ge shell channel thickness, Ge fraction in the SiGe channel, and the channel length (Lg) by examining a set of primary DC and AC parameters. The cutoff frequency (fT) and maximum oscillation frequency (fmax) of the proposed device were determined to be 440.0 and 753.9 GHz when Lg is 5 nm, respectively, with an intrinsic delay time (τ) of 3.14 ps. The proposed SiGe‐shell channel p‐type nanowire FET has demonstrated a strong potential for low‐power and high‐speed applications in 10‐nm‐and‐beyond complementary metal‐oxide‐semiconductor (CMOS) technology.