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민병규,윤형섭,이종민,김성일,김해천,최일환,장경욱 한국물리학회 2011 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.59 No.21
In this paper, InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) devices were fabricated with various distances between the electrodes and the collector mesa, various widths of the emitter electrode and various thicknesses of the nitride passivation film. Cutoff frequencies and maximum oscillation frequencies of the devices were above 40 GHz and above 62 GHz, respectively. These values are considered sufficient for applications to power amplifiers at frequencies up to 5.5 GHz. On the other hand, the devices designed to obtain reproducibility through fabrication process showed a slight degradation in the frequency characteristics but a substantial enhancement of uniformity at the emitter-collector breakdown voltage (BVceo).
민병규,김성일,이종민,윤형섭,김해천,안호균,조규준,강동민,이상흥,주철원,임종원,전병철,정연국 한국물리학회 2015 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.67 No.4
SiC substrates and GaN/AlGaN epitaxial layers were etched by using an inductively-coupled plasma (ICP) in order to electrically connect the backside metal to the source electrode pads on the front-side of an AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) device. The shape of an etched via hole was a tapered cylinder with a larger diameter at the entrance. The surfaces on the bottom and a wall of the via hole were very smooth in comparison with the results on the most recently published papers. Through optimization of the etching conditions, the etch-stops on the GaN epi-layer and on the source pad were successfully completed. The electrical properties of the device with the backside via holes were not critically different from those of the device without the backside via holes. In this paper, the fabrication process and the electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrates with taper-shaped backside via holes are reported for the first time.
Current Gain Improvement of InGaP/GaAs HBT by a Newly Developed Emitter Ledge Process
민병규,주철원,Jong-Min Lee,Kyung-Ho Lee,김성일 한국물리학회 2003 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.42 No.III
We fabricated InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with and without emitter ledges. The InGaP emitter layer on the area of a base electrode was dry-etched by an inductively coupled plasma (ICP) method before the deposition of the base metal. We were able to make the width of InGaP emitter ledge almost the same as the spacing between an emitter mesa and a base electrode by this technique. The InGaP/GaAs HBT with the emitter size of 2 $\times$ 20 $\mu$m$^2$ showed an increase of DC gain. The current gain of HBT with the emitter ledge is 213, which is 250 \% larger than that without the emitter ledge. The cut-off frequency and the maximum oscillation frequency are nearly identical for HBTs with and without emitter ledges.
동중국해 표층 해수 중 미세플라스틱 분포특성에 관한 연구
민병규,주미조,고운이,대금향,조천래,조현서 해양환경안전학회 2021 해양환경안전학회 학술발표대회 논문집 Vol.2021 No.06
국내 및 국외에서 인간에 영향을 줄 수 있는 미세플라스틱에 대한 다양한 연구가 진행되고 있으며, 특히 가장 기초자료로 제공 될 수 있는 해양환경 중 미세플라스틱의 분포에 대해 연구가 많이 진행되고 있다. 국내에서도 해양환경의 분포 특성에 대한 연구가 진행 되었으나, 연안에 대한 연구만 국한 되어 연구가 진행되고 있다. 따라서 본 연구에서는 쿠로시 오해류 및 중국의 양쯔강 유입수의 영향이 다분할 것으로 판단되는 제주도 남서측 동중국 개방 해역에서 2020년 8월에 23 개 정점을 선정하여 표층해수 중에 환경자료인 수온 및 염분과 미세플라스틱의 풍도(abundance), 성상(재질), 형태, 크기를 분석하여 표층 해수에서 존재하는 미세플라스틱의 분포특성을 밝혀 해양환경 중 미세플라스틱의 기초자료를 제공하고자 하였다. 연구 지역에서 미세플라스틱의 풍도(abundance)는 0.17~1.37 (평균 0.46) particles/L를 나타내었으며, 성상(재질), 형태, 크기에서 PP 재질과 PE 재질이 작은 크기의 0.02~0.3 mm 분류군에서 조각(fragment) 형태로 우세하고, 이들 재질 다음으로 Alkyd 재질과 polyester 재질이 1.0~5.0 mm 분류군에서 섬유(Fiber) 형태로 우세하였다. 환경자료인 수온 및 염분을 이용하여 미세플라스틱의 분포 특성을 살펴보았는데, 여름철 강하게 발생하는 황해연안해류와 한국연안해류로 저 수온 및 저 염분이 유입되고, 여름철 강하게 발생하는 대만 난류와 쓰시마 난류의 영향으로 고 수온 및 고 염분이 유입되어 복합적으로 발생하는 지역으로 수온과 PE 재질, 0.02~0.3 mm 크기 분류군, 조각(Fragment) 형태에서 음의 상관성(PE : p <0.01, 0.02~0.03 mm : p <0.05, 조각(Fragment) : p <0.05)을 보여 0.02~0.3 mm의 조각(fragment) 형태인 PE 재질이 황해연안해류와 한국연안해류를 통해 유입될 가능성이 높은 것으로 판단되며, 염분과 PP, Polyester 재질에서 양의 상관성(PP : p <0.05, Polyester : p <0.05)을 보여 1.0~5.0 mm의 섬유(Fiber) 형태인 Polyester 재질이 대만난류 및 쓰시마 난류를 통해 유입될 가능성이 높은 것으로 판단 된다.
부산 남항 해저퇴적물 중 유기오염물질 분포 특성에 관한 연구
민병규,이종혁,주미조,조천래,조현서 해양환경안전학회 2020 해양환경안전학회지 Vol.26 No.2
Located mostly inside the megacity of Busan, the Busan Southern Port is a multifunctional port with various nearby industry activities, including a joint fish market, ship repair facilities, and fishing boat facilities. If toxic chemicals generated by the industrial activities continue to flow into and accumulate in the sediment of the port, they can affect aquatic ecosystems and humans. Therefore, in this study, distribution levels and potential influent sources of organic pollutants, including polycyclic aromatic hydrocarbons (PAHs), polychlorinated biphenyls (PCBs), and butyltin compounds (BTs), in the sediment were investigated. The sediment samples were collected from eight sampling sites in November 2013 (first phase) and November 2014 (second phase). The mean concentrations of PAHs, PCBs, and BTs in the first and second sampling phages were 4174.0 ng/g-dry wt. and 1919.0 ng/g-dry wt., 166.3 ng/g-dry wt. and 21 ng/g-dry wt., and 50.9 ng/g-dry wt. and 30.8 ng/g-dry wt., respectively. The concentrations of the organic pollutants detected in the seabed sediments were lower in the second phase than in the first phase. In this study, the inflow sources of PAHs, PCBs, and BTs were found to be combustion, land, and municipal sewage or industrial wastewater, respectively. 부산 남항은 도심 속의 다기능 항만으로 공동어시장, 선박수리소, 연근해 및 원양어선 접안시설 등이 설치되어 산업 활동이 활발하다. 산업 활동으로 인해 발생한 유해화학물질이 해저퇴적물에 지속적으로 유입되어 축적되면 수생생태계와 인간에게 영향을 끼칠 수 있다. 따라서 부산 남항에서 2013년 11월(1차), 2014년 11월(2차)에 8개 정점을 선정하여, 해저퇴적물 중 다환방향족탄화수소류(PAHs), 폴리염화비페닐(PCBs), 부틸계유기주석화합물(BTs)를 분석하여 부산 남항의 농도분포 특성 및 유입원을 밝혀내고자 하였다. 연구 지역에서 PAHs의 평균 농도는 1차, 2차 조사에서 각각 4174.0ng/g-d.w., 1919.0ng/g-d.w., PCBs의 평균 농도는 1차, 2차 조사에서 각각 166.3ng/g-d.w., 21ng/g-d.w.를 보였으며, BTs의 평균 농도는 1차, 2차 조사에서 각각 50.9ng/g-d.w., 30.8ng/g-d.w.를 나타내었다. 유기오염물질의 검출농도는 1차에 비해 2차에서 해저퇴적물 수거로 인해 낮아지는 경향을 보였으며, 본 조사에서 PAHs, PCBs, BTs 유입원은 각각 연소기원, 육상기원, 도시하수 또는 산업폐수에 의한 기원을 확인 할 수 있었다.