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문턱에너지부근의 r+p→K+Λ0(Σ0)반응으로부터 KNΛ와 KNΣ 결합상수의 결정에 관한 연구
정문택,장성주 東新大學校 1999 論文集 Vol.11 No.-
The scattering amplitudes for the kaon photoproduction on the nucleon have been obtained in the framework of the chiral bag model. These amplitudes have been applied to obtain the cross section of the kaon photoproduction on the nucleon near K^+ - threshold. Our results are in good agreement with the existing experimental data. We calculate the KN∑ and KNΛ coupling constants, and our values agree within the experimental limits compared with the phenomenological values extracted from the kaon photoproduction and kaon-nucleon scattering experiments. Our results for KNΛ and KN∑ couplings are -3.45 ≥ g KNΛ/√4π ≥ -3.82 and +1.05 ≤ g KN∑/√4π ≤ +1.22
장성주 東新大學 1990 論文集 Vol.3 No.-
The growth conditions have been studied for InGaAsP LPE layers grown on (100) InP substrates using the two-phase melt technique. It has been found that the melt-compositions to obtain the 1.1 ㎛ InGaAsP lattice-matched to InP are X_Ga = 0.00417 and X_As = 0.032 when the growth temperature is 630℃ and the cooling rate 0.5℃/min. In this case, the solid-compositions x and y are 0.9 and 0.23, respectively. Also the influences of variations of the Ga and As atomic fraction in the liquid, X_Ga^L and X_As^L on the bandgap energies and the lattice constants have been investigated. The surface morphology and the growth thickness of InGaAsP LPE layers have also been studied.
화학기상증착법으로 성장시킨 단결정 6H-SiC 동종박막의 성장 특성
장성주,설운학 한국결정성장학회 2000 韓國結晶成長學會誌 Vol.10 No.1
Silicon carbide(SiC)는 뛰어난 전기적, 열적, 물리적 특성 때문에 내환경 전자소자용 반도체 재료로 널리 연구되고 있다. 본 연구에서는 화학기상증착법으로 단결정 6H-SiC 동종박막을 성장시키고 이의 성장 특성을 조사하였다. 특히, 몰리브덴 (Mo)-plate를 이용하여 SiC를 코팅하지 않은 graphite susceptor를 사용한 6H-SiC 동종박막 성장조건을 성공적으로 얻었다. 대기압 상태의 RF-유도가열식 챔버에서 CVD성장을 수행하였고, <1120> 방향으로 $3.5^{\circ}$off-axis된 기판을 사용하였다. 성장 박막의 결정성을 평가하기 위하여 Nomarski 관찰, 투과율 측정 , 라만 분광, XRD, 광발광(PL) 분광, 투과전자현미경(TEM) 측 정 등의 방법을 이용하였다. 이상과 같은 실험을 통하여, 본 연구에서는 성장온도 $1500^{\circ}C$, C/Si flow ratio ($C_3H_8$ 0.2 sccm, $SiH_4$ 0.3 sccm)인 성장조건에서 결정성이 가장 좋은 6H-SiC 동종박막을 얻을 수 있었다. As a semiconductor material for electronic devices operated under extreme environmental conditions, silicon carbides (SiCs) have been intensively studied because of their excellent electrical, thermal and other physical properties. The growth characteristics of single- crystalline 6H-SiC homoepitaxial layers grown by a thermal chemical vapor deposition (CVD) were investigated. Especially, the successful growth condition of 6H-SiC homoepitaxial layers using a SiC-uncoated graphite susceptor that utilized Mo-plates was obtained. The CVD growth was performed in an RF-induction heated atmospheric pressure chamber and carried out using off-oriented ($3.5^{\circ}$tilt) substrates from the (0001) basal plane in the <110> direction with the Si-face side of the wafer. In order to investigate the crystallinity of grown epilayers, Nomarski optical microscopy, transmittance spectra, Raman spectroscopy, XRD, Photoluninescence (PL) and transmission electron microscopy (TEM) were utilized. The best quality of 6H-SiC homoepitaxial layers was observed in conditions of growth temperature $1500^{\circ}C$ and C/Si flow ratio 2.0 of $C_3H_8$ 0.2 sccm & $SiH_4$ 0.3 sccm.
김으로부터 Porphyra 334의 양산 및 분석법 밸리데이션에 관한 연구
장성주,이삭,허경연,이정훈,모상현 한국산학기술학회 2022 한국산학기술학회논문지 Vol.23 No.12
Laver comprises large amounts of mycosporine-like amino acids, one of the high-content substances being Porphyra 334. Since this compound reportedly exerts anti-aging effects such as anti-oxidant, wound healing, wrinkle improvement, and UV absorption, it is under constant research and development by cosmetic companies for varied applications as a cosmetic ingredient. However, to date, there is no commercialized Porphyra 334, and there is an unmet necessity to develop a technology for mass production. In this study, extraction was achieved under varied conditions to increase the yield of Porphyra 334, and the optimal solvent, time, and temperature conditions were confirmed. Additionally, a high content of Porphyra 334 was purified from laver extract using liquid chromatography. A quantitative analysis method of Porphyra 334 was devised, and the analytical method was validated by evaluating the specificity, linearity, precision, accuracy, and stability. In conclusion, our study achieved optimizing the bulk extraction process for Porphyra 334. Moreover, the analysis method was established and validated for future industrial applications. 김에는 다양한 종류의 미코스포린 유사 아미노산이라는 물질이 함유되어 있으며 이러한 물질들 중 특히 높은함량으로 함유된 물질 중 하나가 바로 Porphyra 334이다. 항산화, 상처 치유, 주름 개선, 자외선 흡수 등 다양한 효능이확인된 이 물질은 화장품 원료로 사용하기 위해 많은 화장품 회사들이 연구 개발 중에 있다. 이를 위해서는 우선Porphyra 334의 원료 확보가 필요한 실정인데, 현재까지는 대량 생산 방법이 정립되어 있지 않다. 본 연구에서는 김에서부터 Porphyra 334를 산업적으로 정제·생산하는 데 있어 생산 수율을 높이기 위한 다양한 방법의 추출을 수행하였다. 최적의 처리 방법을 찾고자 용매, 시간 및 온도와 같은 여러 조건을 확인하여 최적의 추출 공정을 찾았고, 확립한방법으로 대량 추출한 후 액체 크로마토그래피를 통해 Porphyra 334의 단일 화합물을 정제 및 생산하였다. 이렇게생산된 Porphyra 334를 이용하여 정량분석에 필요한 분석 방법을 연구하였고, 분석법 밸리데이션을 실시하였으며, 그결과 특이성, 직선성, 정밀성, 정확성, 안정성이 확보된 분석법을 확립함으로써 분석법 검증을 완료하였다. 결론적으로본 연구를 통해 확인된 대용량 추출 공정을 거쳐 Porphyra 334를 생산하였고 분석법까지 확립함으로써 본 생산 공정은산업적으로 적용이 가능함을 확인하였다.