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김성훈(S. H. Kim),박영수(Y. S. Park),정상기(S. K. Jung),송세안(S. A. Song),윤석열(S. Y. Yoon),이조원(J-W. Lee) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.2
전체 압력을 변화시키면서 다이아몬드 박막을 n형 Si(100) 기판 위에 마이크로 웨이브 화학기상증착법으로 증착하였다. 높은 압력으로(225 torr) 증착된 박막은 낮은 압력(60 torr)의 박막보다 다이아몬드 순수도가 향상되었으며 표면도 매끈한 {100}형상이 우세하였다. 다이아몬드 박막의 성장 양식을 알아보기 위하여 낮은 압력(60 torr)과 높은 압력(225 torr)에서 증착된 박막의 미세구조를 투과전자현미경으로 각각 분석하였다. 전체압력이 낮은 경우 박막과 기판의 계면에는 α-SiC의 중간층이 형성되어 있는 것을 확인하였으며 전체압력이 높은 경우의 박막은 evolutionary selection rule에 따라 성장하는 것으로 추론되었다. Under the different total pressure conditions(225 torr and 60 torr), we deposited the diamond film on n-type Si(100) substrate by using a microwave plasma enhanced chemical vapor deposition(MPECVD) technique. The higher total pressure enhances the diamond film quality and the film morphology. In order to identify the diamond film growth mode, we investigated the micro-structures of the films by transmission electron microscope. We have confirmed that the diamond grain under the low pressure condition initially forms on the α-SiC interface layer, and that the diamond film under the high pressure condition grows by the evolutionary selection rule.