'阿含經'의 識住增長에 관한 연구

이웅규 원광대학교 1996 국내석사

호텔 直營 製菓店의 合理的 運營 方案에 관한 硏究

李雄珪 慶熙大學校 經營大學院 1993 국내석사

韓國 旅行業의 조직내 커뮤니케이션 向上方案에 관한 硏究

이웅규 漢陽大學校 1992 국내석사

향토자원 융복합 기반의 푸드투어리즘을 활용한 지역 활성화 방안 연구

이웅규 인하대학교 대학원 2016 국내박사

푸드투어리즘은 단순한 관광의 과정 속에서 음식을 체험하는 형태로서의 1차적인 의미가 아닌 음식이 가진 다양한 가치요소들을 상호 연계하여 1차, 2차, 3차 산업 간 융․복합을 통해 상호 시너지효과를 창출하는 다차원적인 의미를 가지고 있는 훌륭한 매개체로서 높은 가치를 지니고 있는 것이다. 특히 이런 6차 산업의 과정 속에서 가장 중심이 되는 1차 산업에 대한 전략적인 접근은 지역 활성화의 성공 여부를 결정지을 수 있는 중요한 역할을 수행한다고 할 수 있다. 이는 2차 및 3차 산업으로의 연계 측면에서 뿐 아니라 그 자체로서 지역 구성원들이 직접적인 소득을 창출할 수 있는 구조이기 때문이며, 이러한 소득 창출 및 안정적 사업 추진의 기반을 마련하는 것은 향후 2차 및 3차 산업의 연계에 있어 그 가능성을 높일 수 있는 매개체가 될 수 있는 것이다. 1차 산업이 안정되지 못하게 되면 관련 사업추진에 있어 중․장기적 성격이 강한 2차 및 3차 산업으로의 연계는 현실적으로 어려움이 많아지기 때문이다. 결국 성공적인 사업추진을 위해서는 각 산업 간 조합이 필요하며, 이 중에서도 기존에 집중하지 않았던 1차 산업을 중심으로 한 지역 활성화 방안 연구가 필요한 것이다.

클라이언트 서버 기반 볼륨 가시화 시스템

이웅규 한성대학교 2016 국내석사

최근 유지보수와 설치비용과 같은 비용 편익 관점에서 클라이언트 서버 모델의 가시화 시스템이 주목받고 있다. 클라이언트 서버 모델은 서버에서 다수의 클라이언트 요청에 대해 연산이나 서비스를 제공하는 방법이다. 하나의 서버에 수 백 명 이상의 사용자가 동시에 접속하는 컴퓨터 게임과 다르게, 의료 정보 가시화 시스템에서는 하나의 가시화 서버를 보통 2명에서 6명 이하의 의사 또는 방사선사가 동시에 사용하게 된다. 각 사용자에게 별도의 완성 시스템을 제공하면, 하드웨어 비용 외에도 업그레이드와 시스템 유지보수에 비용이 발생하기 때문에, 한 대의 가시화 서버와 다수의 클라이언트를 운영하는 방법이 비용 측면에서 효율적이 되는 것이다. 볼륨 가시화에 사용되는 서버 프로세서는 CPU(central processing unit)와 GPU(graphic processing unit)가 있다. 본 연구는 클라이언트 서버 모델의 볼륨 가시화 시스템을 구현하고 CPU 서버 환경과, GPU 서버 환경에서의 다중 사용자 접속 시 효율적인 방법을 제안한다. 다중 CPU 서버 환경의 경우 다중 사용자 접속 시 특정 사용자 한명이 CPU 자원을 독점하여 가시화 연산을 수행 한다. 이 방법은 전체적인 작업 효율은 좋으나 신규 사용자의 반응 속도가 느리다는 단점이 있다. 본 연구는 전체적인 작업 효율을 다소 저하시키지 않으면서 반응 속도를 향상 시키는 방법을 제시한다. 반응 속도 향상을 위해, 본 연구는 다중 프로세서 CPU의 자원을 시스템에 접속한 사용자 수에 따라 동적으로 분배한다. 그리고 동적 분배 과정에서 발생하는 비효율에 대한 최적화 방안을 제안한다. 제안 방법을 통해, 각 사용자들의 반응 속도를 향상 시킬 수 있다. GPU 서버 환경의 경우 소형 병원에서의 볼륨 가시화 시스템은 소수의 사용자만이 동시에 사용한다는 점에 착안하여, 단일 GPU를 장착한 PC를 렌더링 서버로 사용하고 클라이언트는 현재 대중적으로 사용하는 스마트 폰과 같은 안드로이드 기반의 모바일 장비와 웹 브라우저를 이용하였다. 사용자가 클라이언트 응용 프로그램을 이용하여 렌더링 요청을 하면, 서버는 GPU를 사용하여 볼륨 가시화를 수행한다. 렌더링 영상은 서버에서 JPEG나 PNG형식으로 압축하는데, 네트워크 전송량을 감소시켜 가시화 속도를 향상시킬 수 있다. 추가적으로 사용자가 터치스크린을 드래그하는 경우 반응시간을 향상하기 위해, 사용자가 발생하는 일부의 이벤트를 제거하며 서버는 제거된 이벤트를 보간을 통해 보상하는 방법을 제안한다. 그 결과 제안 시스템은 5명의 동시 사용자에 대해 GPU를 장착한 단일 상용 하드웨어로 실시간 볼륨 가시화가 가능하다.

동영상 복사본 검출을 위한 M-tree 기반 MPEG-7 Video Signature 인덱싱에서의 효율적인 프레임 시퀀스 매칭 알고리즘

이웅규 서강대학교 2013 국내석사

지방정부 인터넷 관광정보서비스의 중요성공요인에 관한 연구

이웅규 한양대 대학원 2000 국내박사

오늘날의 관광자들은 더욱더 많은 정보를 요구하고 있어 이들의 정보욕구가 급격하게 증가하고 있는데 반해 지방정부의 인터넷 관광정보서비스는 효율적으로 관리되지 않아 인터넷 이용자들의 강한 불만을 사고 있는 상황이다. 여가시간의 증가, 소득수준의 증대 등으로 인한 국내 관광자들의 관광활동의 증가와 더불어 다가오는 2001년 한국방문의 해, 2002년 한․일 월드컵 대회를 앞두고 많은 외국인 관광자들이 방문할 것으로 예상되는 가운데 이들을 위한 관광정보서비스가 효율적으로 관리되지 않고 있어 커다란 문제로 대두되고 있다. 따라서 지방정부가 인터넷을 통한 관광정보서비스의 잠재적인 효과를 실현하고 경쟁력 유지에 영향을 주는 관광정보서비스의 중요성공요인들을 지속적으로 관리할 필요가 있다. 이와 같은 연구배경을 바탕으로 제1장의 구체적인 문제제기는 첫째, 관광정보제공에 있어서 관광자 지향적인 서비스를 제공하지 못하고 있다는 점, 둘째, 지방정부의 인터넷 관광정보서비스를 관리하는 담당자들이 이용자들이 제기하는 문제점들에 대처하는 적극적인 관리가 부족하다는 점, 셋째, 지방정부의 인터넷 관광정보서비스를 성공적으로 관리하기 위한 서비스요인들에 대한 종합적인 이해가 부족하다는 점이다. 문제제기에 따른 연구목적은 첫째, 지방정부의 인터넷 관광정보서비스의 효율적인 관리를 위해 고려되는 서비스요인에 대한 체계화를 시도하고, 둘째, 지방정부의 인터넷 관광정보서비스요인에 대한 인터넷 이용자들의 인식을 조사․분석하고 이들 중요성공요인의 상대적 우선순위를 파악하고, 셋째, 인터넷 관광정보서비스의 각 중요성공요인이 미치는 성과요인과의 관계를 파악하는 것이다. 본 연구는 지방정부의 인터넷 관광정보서비스를 효율적으로 관리하기 위한 방안을 마련하려는 의도에서 시작되었기 때문에 제2장의 이론고찰 부분은 인터넷 관광정보서비스의 중요성공요인 접근방법에 근거하고 있다. 이론 고찰을 통하여 밝혀진 인터넷 관광정보서비스의 중요성공요인은 정보제공서비스요인, 정보운영서비스요인, 정보기술서비스요인으로 구성되어 있다. 정보제공서비스요인은 지방정부가 제공하는 관광정보서비스에 대한 내용의 다양성, 정확성, 실제 활용가능성, 구체성(전문성), 기대한 관광정보의 제공, 최신성, 실제 관광활동과의 관련성, 정보의 양, 외국어 관광정보의 제공, 실시간 예약으로의 연계 등으로 구성되었다. 정보운영서비스요인은 지방정부가 인터넷 관광정보서비스를 어떻게 효율적으로 운영하는가에 대한 내용으로 관광정보의 문장과 단어의 정확성, 링크 전에의 예측가능성, 관련담당자와의 상호작용성, 업데이트 주기, 사이트에 대한 홍보 및 광고 등으로 구성되었다. 정보기술서비스요인은 지방정부가 인터넷 관광정보서비스를 위해 활용하는 기술적인 내용으로서 관광정보 검색시 빠른 응답속도 및 안정성, 색인가능성 및 검색노출의 쉬움, 편집의 간결성, 프린팅 기능, 북마크 기능, 네비게이션의 편리성 등으로 구성되었다. 지방정부의 인터넷 관광정보서비스의 성공적 실행을 위한 관리방안을 구축하기 위해서 실증조사를 하였다. 인터넷 관광정보서비스의 중요성공요인인 정보제공서비스요인, 정보운영서비스요인, 정보기술서비스요인의 내용을 요인분석을 통하여 도출한 후 만족도, 이용도, 그리고 관광실행도로 구성된 성과에 대한 이들의 영향력과 성과요인간의 상관관계, 인터넷 이용자의 사용환경특성별, 인구통계적 특성별 차이를 파악하기 위해서 T-test, 분산분석, 상관관계분석, 다중회귀분석을 실시하였다. 연구결과를 바탕으로 지방정부의 인터넷 관광정보서비스를 성공적으로 관리하기 위한 방안을 도출하였다. 그에 대한 구체적인 제언은 다음과 같다. 첫 번째 단계로서 정보기반의 구축단계이다. 구체적으로 살펴보면, 첫째, 지방정부의 인터넷 관광정보서비스에 대한 성공적 관리를 위한 정보기반의 구축이 필요하다. 그것은 앞에서 살펴본 바와 같이 첫째, 법적․제도적․기술적 측면의 기반환경조성, 둘째, 정보의 확보 및 DB형성, 정보처리 프로그램 개발 등의 정보의 생산․관리환경조성, 셋째, 정보서비스에 대한 인력지원환경조성이다. 두 번째 단계로서 서비스 전략의 구성단계인데, 여기에는 세 가지가 있다. 이를 구체적으로 살펴보면 첫째, 효율적인 관광정보제공 서비스전략이다. 즉, 효율적인 관광정보제공서비스를 위해서는 이를 위한 서비스시스템의 구축이 중요하다고 할 수 있다. 둘째, 체계적인 관광정보운영 서비스전략이다. 즉, 체계적인 관광정보운영서비스를 위해서는 이를 강력하게 뒷받침할 수 있는 중심부서의 설치가 필요하다. 셋째, 지속적인 관광정보기술서비스 지원전략이다. 인터넷 관광정보서비스의 성공을 위해서는 급변하는 인터넷 정보기술에 지속적으로 대응해야한다. 이를 위해서 지속적으로 관광정보기술서비스를 조직적인 차원에서 지원을 해야한다는 것이다.

한국 음악 산업의 중국시장 진출 성공요인 분석과 활성화방안 제안 : 문화 기호학 분석 도구를 중심으로 : focused on analysis method of cultural semiotics

이웅규 韓國外國語大學校 大學院 2005 국내석사

Establishment of test systems for evaluating ingestion RNA interference-induced lethality against Tetranychus urticae, a representative sucking pest

이웅규 서울대학교 대학원 2017 국내석사

Double-stranded RNA-mediated interference (RNAi) has been universally applied as a specific, potent and successful technology for gene manipulation and emerged as a potential pest control strategy when combined with the plant transgenesis. To establish the RNAi-based control strategy against the two spotted-spider mite (Tetranychus urticae Koch), a worldwide notorious sucking pests in facility cultivation, test systems for evaluating ingestion RNA interference-induced lethality were established. As a prescreening tool prior to the development of transgenic crops, protocols for the agroinfiltration in the soybean and kidney bean were established and optimized. The maximum efficiency of hairpin RNA delivery in soybean was determined to be obtained by sea sand and syringe in the soybean and kidney bean, respectively. Transient expression of target hairpin RNA reached the maximum level at 24-h post-agroinfiltration in both soybean and kidney bean. The agroinfiltrated soybean plants expressing the COPA and aquaporin 9 (AQ9) hairpin RNA induced 64.1% and 39.5% mortalities of T. urticae at 144-h post-infestation. The target gene knocksown was observed in the infested mites, confirming that the observed mortality was likely resulted from RNAi. In summary, agroinfiltration was determined as an effective pre-screening tool for evaluating the RNAi-induced lethality of plants expressing target hairpin RNA prior to the generation of transgenic plants. To confirm the proof of concept that the constitutively expressed hairpin RNA in plant can also cause RNAi-induced lethality against T. urticae, a representative sucking pest, an Arabidopsis plant lines constitutively expressing the COPA hairpin RNA were generated via floral-dip method. When infested with T. urticae, the transgenic Arabidopsis resulted in T. urticae mortality and transcript downregulation. These findings strongly demonstrated that sap-feeding T. urticae can be actually killed by in planta expression of target lethal gene, such as COPA, and RNAi-based transgenic plants can be exploited as a novel alterative mean to control sucking pests T. urticae, as well.

Overcoming the Non-ideal Behavior of Atomic Layer Deposition of SrTiO3 Thin Films for DRAM Capacitor

이웅규 서울대학교 대학원 2014 국내박사

The current generation DRAM capacitors in mass production employ zirconium oxide as dielectric materials with an interposed alumina layer for leakage current density reducing. However, in order to further scale down DRAM devices to sub 20nm design rules, application of materials with higher dielectric constants is necessary. Although there are many candidate materials such as tantalum oxide, titanium oxide, and so on, strontium titanate (SrTiO3, STO) is one of the most promising next generation dielectric materials. In spite of its relatively small energy band gap, the superior dielectric constant of perovskite structured STO gives DRAM technology a real chance to overcome the adversities of extreme scaling. To adopt STO as the dielectric of next generation DRAM capacitors, three prerequisites must be fulfilled; a stable STO atomic layer deposition (ALD) process for good step coverage, easy access to noble metal electrodes such as ruthenium for low leakage current, and high temperature growth modes for in-situ crystallization. In this study, STO films were grown by ALD with various kinds of Sr and Ti precursors; Sr(iPr3Cp)2, [Sr(demamp)(tmhd)]2, Ti(O-iPr)2(tmhd)2, and Ti(Me5Cp)(OMe)3. The growth behaviors of STO deposition processes with various combinations of these precursors were investigated and film properties including the electrical properties of fabricated metal-insulator-metal (MIM) capacitors were evaluated. First, Sr(iPr3Cp)2 and Ti(O-iPr)2(tmhd)2 were employed for the Sr and Ti precursors, respectively, for the deposition of ALD STO. Through previous studies with the same precursors, Sr excess incorporation was observed during the initial stage of STO deposition on Ru substrates. Initial Sr overgrowth caused strontium carbonate formation which was undesirable since this not only made precise control of thickness difficult, but also aggravated the electrical properties of resultant MIM capacitors. Since the violent reaction between the gas phase Sr(iPr3Cp)2 and the oxygen ion containing Ru substrate was pointed out as the main cause of this unwanted abnormal growth, in previous studies, TiO2 layers with thicknesses larger than 3 nm was deposited before STO deposition to prevent this phenomenon. Interposing the TiO2 layer was successful in preventing the initial excess growth, but sparing a physical thickness of 3 nm to a buffer TiO2 film is not a negligible loss in total dielectric property when it comes to DRAM capacitor technology, considering that the whole dielectric film is only 10 nm. Therefore, in this study, Al2O3 which has lower oxygen diffusivity than TiO2, was adopted instead of TiO2 for barrier layer to resolve this issue. Only a 0.4-nm-thick Al2O3 layer could effectively suppress the initial excessive incorporation of Sr, and a 1-nm-thick Al2O3 layer had a blocking effect that was equivalent to that of a 3-nm-thick TiO2 layer. The STO films were crystallized in-situ at 370 oC without any additional annealing process by the assistance of a crystallized 3-nm-thick STO seed layer that was pre-deposited and annealed. The bulk dielectric constant of STO calculated by the slope of equivalent oxide thickness vs. physical thickness was 173 on the 1-nm-thick Al2O3/Ru substrate. However, the adverse contribution of the Al2O3 layers to capacitance was found to be more severe than the TiO2 layers. Also, the characteristics of ALD STO films were examined for metal-insulator-metal capacitors, with Cp-based precursors, Sr(iPr3Cp)2 and Ti(Me5Cp)(OMe)3, employed as the Sr and Ti precursors, respectively. The enhanced reactivity of this Ti precursor compared to Ti(O-iPr)2(tmhd)2 was found to suppress the unwanted excessive incorporation of Sr into the film in situ. Formation of strontium carbonate was also repressed. A possible mechanism for these phenomena is suggested in detail. By controlling the sub-cycle ratio of the SrO and TiO2 layers, stoichiometric STO could be obtained, even without employing a deleterious reaction barrier layer. This improved the attainable minimum equivalent oxide thickness of the RuO2/STO/Ru capacitor to 0.39 nm, with acceptable leakage current density (~9 x 10-8A/cm2). This indicates an improvement of ~46% in the capacitance density compared with previous work. However, the bulk dielectric constant was only about 100 which indicates the possibility to further improve the electrical property of capacitor. Careful analyses carried out on the films revealed the presence of microdefects in the STO films. The stress generated from the difference between the thermal expansion coefficients of the STO films and the substrate was found to be the main reason for the formation of these anomalies. By adjusting the cooling rate after crystallization annealing of seed layer, the STO films showed an improved bulk dielectric constant of 135, but only with worse interfacial characteristics. Finally, STO deposition using [Sr(demamp)(tmhd)]2 and Ti(Me5Cp)(OMe)3 for the Sr and Ti precursors, respectively, was investigated. This Sr precursor portrayed a similar saturated growth rate of SrO films with Sr(iPr3Cp)2. However, there was no portent of abnormal growth behavior in the initial stage of deposition. Although the deposition rate of the STO films was reduced to a certain extent, carbon contamination in STO film was decreased and no evidence of strontium carbonate formation was observed. Moreover, the decreased deposition rate seemed to produce rather denser films and avoid microdefect generation after crystallization annealing. With ideal ALD growth behavior, conformal STO films could be obtained on three dimensional hole structures with aspect ratios of 10:1. Since the observed bulk dielectric constant was ~143, this is still quite promising considering the fact that there is still room available to improve the electrical characteristics of the capacitor by controlling interface properties. In conclusion, by suppressing the non-ideal initial overgrowth of Sr with an interposed Al2O3 layer, in-situ crystallized STO was grown without SrCO3 formation by adopting a pre-crystallized STO seed layer. Moreover, with a more reactive Ti-precursor, stoichiometric STO was deposited without any barrier layer and the electrical property showed a tox of 0.39 nm with a leakage current density of 9 x 10-8 A/cm2. The microstructure was improved as well by adjusting the annealing condition. Finally, by employing a novel Sr-precursor with appropriate reactivity, ideal ALD growth behavior were acquired with satisfactory dielectric properties and conformal STO films were deposited in hole structures with the aspect ratio of ~10:1.