공공신학 관점에서 본 교회 시민성 회복 연구 : 하나님 나라를 위한 교육

권대선 연세대학교 교육대학원 2015 국내석사

포스트모던시대 교회와 가정의 연계를 통한 기독교적 양육

권대선 장로회신학대학교 교육대학원 2010 국내석사

오늘날 기독교는 전체 종교 중에서 신임도와 호감도에서 최하위를 차지하며 사회로부터 많은 외면을 당하고 있다. 왜 기독교는 사회로부터 외면을 당하는 것일까? 그 이유는 교회가 기독교인들로 하여금 기독교적 삶의 양식을 가지고 세상가운데 살아가도록 양육하지 못했기 때문이다. 교회 안에 기독교적 양육이 일어나지 못하는 데는 여러 가지 이유가 있지만 그중에서 가장 강력한 이유는 바로 포스트모더니즘의 영향이다. 그래서 본 논문의 초반에 포스트모더니즘의 배경 및 특징과 함께 긍정적인 영향과 부정적인 영향을 살펴보았다. 요약해 보면 포스트모더니즘이 가지고 있는 자기중심적 개인주의, 탈(脫)중심주의, 다원주의, 상대주의, 감성적 경험주의는 기독교적 양육에 있어 중요한 두 장(場)인 교회와 가정을 위협하고 있음을 살펴보았다. 포스트모더니즘 안에서 사람들은 극단적인 개인주의에 빠져 자아와 인간성이 파편화되었다. 파편화된 인간성을 가진 구성원들이 모여 있는 가정에서는 더 이상 기독교적 양육이 이루어지기 어렵게 되었다. 또한 상대주의는 절대적 진리를 인정하지 않으려했고, 결국 성경의 권위까지 위협하게 되었다. 이와 같은 포스트모더니즘의 영향속에서 가정과 교회가 회복되고 기독교적 양육을 이루려면 어떻게 해야 할까? 필자는 먼저 가정의 회복을 위해 부쉬넬의 양육법을 살펴보았다. 부쉬넬은 기독교 교육의 성패는 가정이라는 장(場) 속에서 교사로서의 책임을 다하는 부모에 달려 있다고 보았다. 부쉬넬은 가정을 하나님의 언약공동체로 보고, 자녀와 부모의 신앙과 사랑의 관계에서만 기독교적 양육이 이루어 질 수 있다고 보았다. 이처럼 포스트모더니즘의 영향속에서 기독교적 양육을 이루기 위해서는 가정, 특히 부모의 역할이 중요하다. 그런데 기독교적 양육을 위해 가정을 회복하기 위해서는 또 다른 교육의 장(場)인 교회가 교육적 사명에 감각적으로 대처해야한다. 즉 교회가 교회안에서 이루어지는 교육에만 한정되는 것이 아니라, 양육의 대상자들이 실제로 살고 있는 삶의 터전인 가정, 특히 부모와 연계하여 교육을 해야 함을 살펴보았다. 그래서 교회와 가정이 연계하여 기독교적 양육을 하고 있는 3가지 모델 즉 노스 포인트 커뮤니티 교회(North Point Community Church), 소망교회, 장로회신학대학교 기독교교육연구원-‘해피투게더’의 예를 살펴보았다. 노스 포인트 커뮤니티 교회는 교육의 핵심가치를 교회와 가정이 연계한 신앙교육에 두었다. 그들은 “What happens at home is important than what happens here.(가정에서 일어나는 일이 교회에서 일어나는 일보다 더 중요하다)"라는 생각을 가지고 다양한 교육자료를 가정에 보내고, Kidstuf와 같은 부모와 자녀가 함께하는 예배를 통해 교육적 성과를 보고 있다. 소망교회와 장로회신학대학교 기독교교육연구원-‘해피투게더’의 예를 통해서는 기독교적 양육을 위해 오늘날 한국교회가 필요로 하는 것이 교회와 가정의 연계 교육임을 살펴보았다. 즉 앎과 삶의 분리가 아니라, 교회의 교육내용이 가정 안에서 삶으로 실천되기 위해 교회와 가정이 긴밀하게 연계된 교육 동반자가 되어야 함을 살펴보았다. 오늘날 교회와 가정의 가장 큰 관심과 문제는 교육에 관한 것이다. 가정과 교회는 교육을 위해 어떠한 노력도 아낌없이 쏟아 붓고 있지만, 노력한 만큼 열매를 거두어들이기는 쉽지 않다. 그 이유는 양육의 대상자들이 이 시대에 막강한 영향력을 미치고 있는 포스트모더니즘의 영향속에 물들어 가고 있기 때문이다. 절대적 권위와 진리가 인정되지 못하고, 오직 개인주의 속에 인간성이 파괴되는 상황속에서 기독교적 양육이 이루어지기 위해서는 기독교교육의 핵심적인 장(場)인 교회와 가정(특히 부모)이 각각의 교육적 사명을 바로 알고 긴밀하게 유기적으로 연계하여야 한다. 교회와 가정은 영원한 교육의 동반자이다.

안식일-주일-안시일의 사상과 문화 연구

권대선 선문대학교 신학전문대학원 2016 국내석사

종교는 하나님 또는 신을 섬기는 의례 행위를 통하여 종적으로는 하나님을 섬기고 횡적으로는 참례자들이 상호 존중하고 협동하는 공동체문화를 통해 예절, 도덕, 협동심, 단합, 공존, 의식, 노래, 춤, 음식, 의상, 관습, 휴식, 여가 등을 같이 공유하고 즐기면서 삶의 질을 향상시킨다. 유대교의 안식문화는 ‘안식일, 안식년, 희년’으로 대별되며 안식일은 여호와 하나님에 대한 감사와 공경, 노동으로부터 휴식, 등이 있었다. 십계명은 인간의 선택 사항이 아니라 여호와 하나님의 명령이기에 필수 사항이었다. 신명기 십계명에는 이집트 노예생활에서 출애굽시켜 주신 하나님의 은혜를 생각하면서 안식을 지키고 쉬어라고 한 것이 첨가되어서 강조되었다. 예언자들은 ‘예루살렘을 중심한 세계시민화 사상’을 안식일을 통하여 여러 민족과 공유하려는 강한 의지를 보였다. 그것은 하나되는 거대한 지구촌 형성을 위한 미래의 비전이기도 하였다. 그러나 안식일의 지나친 법제화는 백성들을 불편하게 만들었다. 안식일에 대한 외식(外飾)이 강조되면서 병자 치유 금지, 불 피우는 것 금지, 먼 거리 여행 금지, 이웃 사이 왕래 금지, 두 손으로 하는 작업 금지 등의 과도한 규정으로 안식일이 기쁜 날이 아니고 두렵고 피하고 싶은 날로 왜곡되었다. 7년마다 반복되는 안식년은 민족차원의 확대된 규정으로 여호와 하나님을 섬기고 감사하며, 1년간 농사를 짓지 않고 쉬는 문화이다. 이스라엘백성은 물론 그들에게 몸붙여 사는 종들과 이방인들도 쉬고 동물과 땅도 쉬어야 하며 빚진 자들은 탕감을 받고 자기 가족의 품으로 돌아갈 수 있다. 이는 공생공영의 정신을 실천할 수 있는 놀라운 정신이었다. 희년은 규정에는 있지만 실제로 실천되었는지는 정확히 알 수 없다. 성경이나 외경에 실천한 것과 관련된 내용이 없다. 아마도 이 제도는 이상적인 공동체인 여호와공동체를 이루기 위하여 도달해야 할 미래의 피안(彼岸)으로서 표현한 것으로 볼 수 있다. 기독교 문화는 주일, 부활절, 크리스마스 세 기념일에서 주로 비롯되었다. 지금은 기독교 문화가 보편적인 세계화로 자리를 잡았다. 선진국들이 주로 기독교를 믿었기에 기독교문화는 세계로 확산되었다. 신약성경에 안식년을 지켰다는 내용은 없지만 기독교에서 구약의 정신을 본받아서 직장에서 연구년 제도를 실시하는 경우는 있다. 신약성경에 희년에 관한 기록도 없다. 그러나 예수그리스도께서 맨 처음으로 “회개하라! 천국이 다가왔다!”라고 하였는데, 그 천국이 바로 안식년 사상이 구현된 해방의 시대라고 유추하기도 한다. 가정연합에서의 안시 문화는 ‘주일(성일), 안식권, 안시일, 희년’의 4가지로 구성된다. 참부모님께서 문화혁명을 통한 세상 구원이라는 방법을 사용하셨고 성공하셨다. 이 점을 본 따서 안시 문화의 활성화와 질적 성장을 위하여 고민을 하여야 할 것이다. 가정연합에서는 ‘안식권과 안시일과 희년을 합한 안시문화’를 창안하여 대중화해야 한다. 가정연합에서는 현재 양력과 천력(음력)을 혼용하며 성일 문화를 갖고 있다. 기독교가 주일로 여기는 일요일을 성일로 받아들여 오전에는 예배를 드리고 오후에는 선교, 교육, 봉사, 취미, 여가 등의 다양한 활동을 한다. 여기서 예배의 대상은 하나님과 천지인 참부모이다. 기독교가 로마의 주일을 겉으로 지키면서 내용은 예수를 중심하고서 판이했던 것처럼, 가정연합도 기독교의 주일을 지키면서 내용에 변화를 주고 있다. 주일이라는 용어 대신에 성일이라는 용어로 일상과 구분하는 경우가 많다. 1997년에 거행된 천지부모천주안식권(칠팔절)에서 안식권이 부각되었다. 여기서의 안식권은 하나님이 안식하실 수 있는 기대가 조성되었다는 것이다. 안식권을 기념하는 문화콘텐츠로서 칠팔절 기념일에 ‘울며 회개하는 날’(Repent and Weeping Day)로 분위기를 변화시키면 좋을 것이라고 생각한다. 참부모께서 온갖 만난을 승리하시고 하나님을 위로해 드리면서 안식의 토대가 마련된 것을 기념하면서 눈물을 펑펑 쏟으며 대성통곡한 모습을 이어받아서 축복가정 가족들끼리 혹은 교회의 식구들이 모여서 지난 1년 동안을 회고하면서 하나님, 자기 자신, 가족, 교회 식구, 이웃, 친구 등에 대해 잘못된 점을 찾아서 눈물로써 회개하면서 반성하고 잘못을 촉구하면서 하루를 보내는 것이다. 안식권이 선포된 지 7년 후인 2004년 4월 19일에는 ‘안착시의(安着侍義)의 날’(약칭 ‘안시일’)이라는 새 기념일이 선포되었다. 이로써 인간 시조의 타락으로 슬픔과 한의 아픔을 가져오신 하나님께서 인간과 함께 쉴 수 있는 터전이 생겼다. 안시일이라는 8일 주기의 기념일에 하나님과 인간이 같이 쉴 수 있는 계기가 마련되었다. 참부님께서는 안시일을 기억하도록 말씀하시면서 식구들 각자가 평소에 일기를 작성하였다가 안시일에 그 내용을 중심하고 가족들끼리 반성할 계기로 삼으라고 하셨기에 안시일에는 특별한 기도를 드리면서 안시일의 의미를 되새기고, 일기를 적어서 반성하는 기회로 삼으면서 또한 서로 자랑하고 칭찬해 주는 것이다. 인간 시조의 타락 이후로 이 세상의 주인 행세를 하고 있는 사탄이 뿌려 놓은 죄악 문화, 죽임 문화, 전쟁 문화, 교만과 거짓 문화 등이 우리 주위 환경을 둘러싸고 있다. 이런 환경에서 육신과 육신 안에서 성장하고 있는 영인체를 잘 성장시키려면 주기적으로 성찰을 할 필요가 있는데, 일기장을 중심하고 8일마다 반성하라는 안시일 문화 아이디어를 생활화하면 영인체 성장에 아주 좋을 것이다. 가정연합에서의 희년은 하나님과 인간과 만물이 함께 최고의 행복, 환희의 경지에서 존재가치를 드러내는 잔치자리이다 남녀노소, 빈부 격차, 선진국과 후진국 등의 차별이 없다. 이상과 같은 가정연합의 안시문화가 대중화되어 만인에게 그리고 영계의 영인들에게도 행복을 주어야 할 것이다. 그것이 천일국의 발전 방향이 될 것이다.

자동차부품 제조사 PLM시스템 설계 및 구축 사례

권대선 전북대학교 일반대학원 2023 국내석사

PLM은 제품 정보 및 관련 워크플로우를 추적하고 비즈니스 혁신을 지원하는 솔루션으로 발전했습니다. 현재 해외 PLM 솔루션은 경쟁적으로 국내 시장을 장악하고 있으며, 많은 기업의 다양한 요구에 부응하여 고품질의 기능을 제공함으로써 영역을 확장하고 있습니다. 그러나 역설적으로 PLM 솔루션은 점점 더 복잡해지고, 운영 및 유지보수가 어렵고, 사용자 친화적인 구현이 제한되고 있습니다. 앞으로 PLM 솔루션은 회사의 상황에 따라 단계적으로 확장할 수 있는 시스템이 되어야 합니다. 특히 상대적으로 IT 역량이 떨어지는 기업은 경량 PLM 솔루션을 도입한 뒤 업그레이드하는 전략이 필요합니다. 본 연구를 통해 국내 중소 자동차 부품업체의 특성에 맞는 PLM 솔루션을 설계 및 구현하고, 나아가 글로벌 경쟁력을 갖추기 위한 맞춤형 사례를 제안하고자 합니다.

Modified atomic layer deposition processes of the Ru electrode thin films for next generation DRAM capacitor

권대선 서울대학교 대학원 2021 국내박사

Dynamic random-access memory (DRAM) devices, which are currently used as a major working memory, are continuously scaled down. And it is necessary to scale down a capacitor which is a component of DRAM. However, it is essential to maintain a certain level of capacitance for the operation of DRAM devices. Since there are limitations in structural development using patterning techniques, the improvement in terms of materials engineering through the introduction of new materials is required. DRAM capacitor is divided into the electrode and dielectric layer. In the electrode part, several characteristics such as a high work function suppressing a leakage current, a low resistivity for efficient operation, and structural compatibility with the dielectric layer to minimize the adverse effects caused by the interfacial layer between the electrode and the dielectric layer are required. Among the candidates, Ru has been highlighted due to its promising properties (work function: 4.7 eV and resistivity: 7.1 μΩ·cm). Moreover, when oxidized to RuO2, it remains conducting property and has a higher work function (5.2 eV). And the crystalline structure of the RuO2 is highly compatible with rutile TiO2, which is investigated as a next generation dielectric material. However, it is still challenging to deposit Ru thin films with smooth surface morphology and excellent physicochemical properties. Therefore, it is very crucial to establish a thin film deposition process that is specialized for DRAM capacitors and control the issues raised from the process. In this study, the atomic layer deposition (ALD) process for Ru thin films using a novel Ru precursor was established while controlling its problematic issues. Furthermore, the Ru films were adopted for the bottom electrode of the DRAM capacitor, and its physicochemical and electrical properties were investigated in detail. Firstly, an ALD process using a novel Ru precursor, (2,4-dimethyloxopentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)Ru [product name: Rudense®, provided from TOSOH), and O2 gas was established. Also, the phase change map of the films depending on the process temperature and pressure was suggested. Furthermore, the surface morphologies of the Ru films on the various substrates were investigated in detail. Ru films in a low thickness exhibited quite good surface morphologies, but the surface became roughened with large grains due to the high reactivity of the Rudense® precursor. Since it is crucial to deposit the Ru films with a smooth surface for the bottom electrode of the DRAM capacitor, modified ALD processes were suggested. The first was NH3 treatment based on combustion chemistry which is one of the ALD growth mechanisms. Through inserting NH3 feeding/purging steps after the normal ALD sequence, the formation of excessive RuOx layers, which caused the excessive growth of the Ru films, was alleviated. The surface morphologies of Ru films with appropriate NH3 treatment were improved, while the structural and chemical properties of the metallic Ru films remained unaffected. The second was the discrete feeding method (DFM), which attempted to conduct an ideal ALD behavior by removing physically adsorbed precursors with divided precursor feeding/purge steps. Ru films deposited via DFM-ALD showed superior initial growth behavior with denser and smoother characteristics than the conventional ALD method. In addition, the preferred crystalline orientation was changed from relatively random to <101> direction. Subsequently, TiO2 dielectric films were deposited on the three Ru films grown via conventional ALD, DFM-ALD, and sputtering. In the case of DFM-ALD, the oxygen fraction in the Ru film increased after the deposition of the TiO2 film, resulted from the different crystalline properties of the Ru films. This high oxygen fraction existed in the RuO2 phase, and the rutile RuO2 layer affected the epitaxial growth of the TiO2 film to the rutile phase. The effects of Ru films on the epitaxial growth of the TiO2 layer were analyzed, and the possible mechanism was suggested. Furthermore, by measuring the electrical properties of Pt/(Al-doped) TiO2/Ru capacitors, the interfacial properties were improved in the case of DFM-ALD, leading to improvement in the overall electrical properties. These results suggest that the Ru films deposited via DFM-ALD could be a promising candidate for next generation DRAM capacitors. Finally, the bilayer bottom electrode of Ru/TiN was investigated for DRAM capacitors. Since it is still challenging for mass production of bulk Ru electrodes, a method stacking with the TiN electrode, which is currently used, was investigated. Various thicknesses of Ru films were deposited on the TiN electrode, and physicochemical properties of the Ru/TiN bilayer electrodes were analyzed. After that, Al-doped TiO2 dielectric films were deposited on the bilayer electrode. Adoption of the Ru layer promoted local-epitaxial growth of the Al-doped TiO2 films to the rutile phase. As the thickness of the Ru layer increased, the surface morphology of the Ru/TiN electrode became roughened, which affected the properties of the upper Al-doped TiO2 dielectric films. When the Ru layer was too thin, the lattice mismatch between rutile Al-doped TiO2, anatase/amorphous Al-doped TiO2, and cubic TiN caused defects such as oxygen vacancy, resulting in the deterioration of the electrical properties. And as the Ru layer became thicker, the surface morphology of the Al-doped TiO2 film was deteriorated, resulting in degradation in the electrical properties of the Pt/Al-doped TiO2/Ru/TiN capacitors. Consequently, 2.5–4.5 nm-thick Ru interlayer would be the optimal thickness which exhibited the comparable electrical performance with bulk Ru bottom electrodes. 현재 주요 working memory로 사용되는 Dynamic Random Access Memory (DRAM) 소자는 지속적인 소형화가 진행되고 있는데, DRAM의 구성성분인 커패시터 또한 소형화가 요구되고 있다. 하지만 정상적인 DRAM 소자 작동을 위해 일정 수준 이상의 커패시턴스를 유지해야 하는데 소형화에 따른 면적 감소 및 패터닝 기술의 한계로 인해 새로운 재료의 도입을 통한 재료공학적 측면에서의 특성 개선이 요구되고 있다. DRAM 커패시터는 전극막과 유전막으로 나누어 지는데, 전극막의 경우 누설 전류 감소를 위해 높은 일함수, 효율적인 작동을 위해 낮은 비저항, 그리고 소형화에 따른 계면 특성을 제어하기 위해 유전막과의 구조적 일치성과 같은 특성들을 요구한다. 여러 후보군들 중 Ru은 높은 일함수 (~4.7 eV), 낮은 비저항 (~7.1 μΩ·cm)과 같은 우수한 특성을 가지고 있다. 그리고 산화되어 RuO2가 되더라도 여전히 전도성을 유지하며 높은 일함수 (5.2 eV)를 가지고 있고, 차세대 유전막으로 연구되는 rutile 상의 TiO2와의 구조적 일치성으로 인해 Ru은 차세대 DRAM 커패시터의 전극막 물질로 주목 받고 있다. 유전막의 경우 기존의 HfO2, ZrO2 계열의 물질보다 높은 유전율을 가지는 TiO2 혹은 SrTiO3 (STO), BaTiO3 (BTO) 등이 주목 받고 있는데 그중 SrTiO3과 같은 perovskite 물질은 100 이상의 유전율을 가져 소형화에 유리하다. 하지만 band gap이 매우 작아 DRAM 소자에서 누설전류 특성을 확보하기가 쉽지 않고, 화학적인 안정성이 낮아 공정에 어려움이 많다. 그렇기 때문에 소형화된 DRAM 커패시터 특성에 맞춘 박막 증착 기술과 발생하는 이슈를 제어하는 것은 매우 중요하다. 본 연구에서는 3차원 구조에서도 유용하게 사용될 수 있는 박막 증착 기술인 ALD를 사용하여 새로운 Ru 전구체를 사용하여 Ru 박막의 ALD 공정을 수립하고 그 이슈를 제어하면서 DRAM 커패시터의 전극막에 도입하고자 한다. 먼저 Ru ALD의 경우 새로운 Ru 전구체인 (2,4-dimethyloxopentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)Ru [Ru(DMOPD)(EtcP) 제품명 Rudense® (TOSOH 제공)와 O2 가스를 사용하여 ALD 공정을 수립하고 증착한 Ru 박막에 대한 분석을 진행하였다. 온도와 압력에 따른 박막의 상변화 map을 제시하고, Ru 상으로의 증착이 이루어지는 구간을 확인하였다. 또한 여러가지 기판 상에서 Ru 박막의 성장에 따른 표면 상태 변화를 관측하고 그 원인을 고찰하였다. 얇은 두께에서는 양호한 표면 상태를 보이지만 두꺼워질수록 Rudense의 높은 반응성으로 인해 grain size가 커지게 되고 표면 상태가 열화되는 모습을 보인다. DRAM 커패시터에 Ru 전극막을 적용하기 위해선 표면 상태 개선이 필수적이기 때문에 수정된 ALD 공정을 제시하였다. 첫번째는 NH3 treatment로 ALD 박막 증착 원리인 combustion chemistry에 기반하여, 과잉성장의 원인인 과도한 RuOx층의 형성을 환원작용을 통해 제어하고자 하였다. 기존 ALD recipe에 NH3 주입과 퍼지 단계를 추가하여 NH3 주입시간에 따른 Ru 박막의 특성을 평가하였다. NH3 주입시간이 길어질수록 Ru 박막의 GPC는 줄어들었고 어느 수준 이상에서 saturation 되는 결과를 보였다. Ru 박막 표면 상태는 적절한 수준의 NH3 treatment 시 개선되는 모습을 보였고, 과도한 NH3 treatment시 오히려 열화되는 모습을 보였다. 이는 과도한 환원작용으로 인해 Ru 박막과 기판사이의 계면이 열화 된 것에 기인한다. Ru 박막의 화학적 조성 분석을 통해 NH3 treatment시 박막 내부의 산소 분율이 줄어 들었고 질소 분율은 거의 무시할 만한 수준임을 확인하였다. 두번째는 Discrete Feeding Method (DFM)으로 기존 소스 주입/퍼지로 이루어지던 단계를 4분할하여 물리적 흡착된 전구체를 효과적으로 제거함으로써 이상적인 ALD 증착 거동을 구현하고자 하였다. DFM-ALD로 증착한 Ru 박막은 기존 ALD 방식으로 증착한 Ru 박막보다 우수한 초기 성장거동을 보였으며 밀도가 높고 개선된 표면 상태를 보였고, 박막 내부에 약간 더 높은 산소 분율을 보였다. 또한 결정성에서는 비교적 random하던 결정화 방향이 Ru (101)면으로 우선 배향되는 변화를 보였다. 이는 전구체의 물리적 흡착을 배제하는 DFM의 특성에 기인하였다. 추가적으로 기존 연구에 활용되던 스퍼터로 증착한 Ru 박막을 사용하여 3가지 Ru 박막 위에 TiO2 유전막을 증착하였다. DFM-ALD의 경우 TiO2 유전막 증착 후 박막 내부에 산소 분율이 높아졌으며, 이는 Ru 박막의 결정성 차이에 기인하였다. 또한 화학적 특성 분석을 통해 이 높은 산소 분율은 RuO2 상으로 존재함을 규명하였고, 이 높은 RuO2 분율이 TiO2 유전막의 rutile 상으로의 epitaxial 성장에 영향을 끼치는 것을 확인하였다. Ru 박막의 물리화학적 성질이 TiO2 유전막의 epitaxial 성장에 영향을 분석하고 박막 성장 메커니즘을 제시하였다. 그리고 커패시터의 전기적 특성 측정을 통해 DFM-ALD 조건의 경우 계면 특성이 향상되어 전반적인 전기적 특성 향상을 이끌었고, 차세대 DRAM 커패시터의 전극막으로 사용될 수 있는 가능성을 제시하였다. 마지막으로 ALD로 증착한 Ru 박막을 현재 상용화된 TiN 전극막과 혼용하여 Ru/TiN의 bilayer 구조로 제작하고 그 특성을 분석하였다. 유전막으로는 차세대 유전막으로 평가받는 Al-doped TiO2를 이용하여 scaling down의 가능성을 탐색하였다. Ru 박막을 1.5 nm부터 약 18 nm 두께까지 다양한 두께 조건으로 나누어 capacitor를 제작하고 그 특성을 분석하였다. Ru 박막이 도입되지 않았을 때는 TiO2 박막이 비결정질 또는 anatase 상으로 결정화되었으나, Ru 박막이 조금이라도 도입되었을 때는 하부 rutile 상의 RuO2 층에 의한 epitaxial 성장으로 인해 rutile 상으로 결정화되는 모습을 보였다. 또한 Ru 박막이 두꺼워질수록 전극막과 그 위에 증착한 유전막의 거칠기가 증가하였고, Ru 박막의 두께가 6.5 nm 이상일때 급작스러운 증가를 보였다. 마지막으로 전기적 특성을 측정하고, J-EOT 그래프로 나타내었을 때 Ru 박막이 도입되지 않았을 때는 매우 열화된 특성을 보였으나, Ru 박막이 조금이라도 도입되었을 때는 대폭 향상된 결과를 보였다. 2.5–4.5 nm의 Ru 박막 두께에서 가장 뛰어난 특성을 보였는데, 이 값들은 bulk 상태의 Ru 전극막을 도입하였을 때와 유사한 값이다. 이는 Ru 박막을 2.5–4.5 nm 도입하였을 때 rutile 상으로의 충분한 결정화와 동시에 전극, 유전막의 표면 상태가 가장 뛰어났기 때문으로 여겨진다. 이를 통해 Ru/TiN 구조의 bilayer 전극막이 현재 scaling down의 방향에 부합하고 해결책이 될 수 있는 가능성을 제시하였다.