PTCR소자 제조시 BaTiO₃에 첨가되는 Sb₂2O₃, SiO₂, MnO₂등을 액상으로 첨가하는 액상첨가방법을 개발하였다. 이 액상 첨가법에서 첨가량은 고상합정법보다 작고, 또한 균일한 혼합과 재현성...
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용인 : 명지대학교 대학원, 1997
1997
한국어
530.48 판사항(4)
경기도
77p. : 삽도 ; 26cm + disk(3.5inch).
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PTCR소자 제조시 BaTiO₃에 첨가되는 Sb₂2O₃, SiO₂, MnO₂등을 액상으로 첨가하는 액상첨가방법을 개발하였다. 이 액상 첨가법에서 첨가량은 고상합정법보다 작고, 또한 균일한 혼합과 재현성...
PTCR소자 제조시 BaTiO₃에 첨가되는 Sb₂2O₃, SiO₂, MnO₂등을 액상으로 첨가하는 액상첨가방법을 개발하였다. 이 액상 첨가법에서 첨가량은 고상합정법보다 작고, 또한 균일한 혼합과 재현성을 얻기 쉽기 때문에 PTCR소자 제조시 적절한다. 본 연구 조건에서 얻어진 최적의 조건인 Sb₂O₃을 0.09mol%, SiO₂ 0.25wt%, MnO₂ 0.02wt%를 액상으로 첨가하여 소자를 제조하였을 경우 상온비저항이 15Ωcm, 비저항비가 2?06으로 가장 양호한 결과를 나타냈다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
The PTCR devices of BaTiO₃ doped with Sb₂O₃, SiO₂ and MnO₂ were prepared by Liquid Phase Addition Method(LPAM) where doping sources were used in the forms of Liquid. The amounts of doping in LPMA is smaller than that in solid state mixing me...
The PTCR devices of BaTiO₃ doped with Sb₂O₃, SiO₂ and MnO₂ were prepared by Liquid Phase Addition Method(LPAM) where doping sources were used in the forms of Liquid. The amounts of doping in LPMA is smaller than that in solid state mixing method. Also the doping process in LPMA is very suitable for BaTiO₃-based PTCR devices because it is easy to obtain homogeneous mixing and reproductivity. By optimizing the doping condition in BaTiO₃ system, (0.09mol%Sb₂O₃, 0.25wt%SiO₂ and 0.02wt% MnO₂) it was possible to fabricate BaTiO₃-based PTCR devices where the room-temperature resistivity and specific resistivity were 15.Ω cm and 2 x 10^6 respectively
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