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홍승수(Seung-Soo Hong), 신용현(Yong-Hyeon Shin),정광화(Kwang-Hwa Chung) 한국진공학회(ASCT) 1996 p.181-187
정재인(J.I. Jeong), A. Kurokawa,S. Ichimura,J. Toth,K. Yoshihara,이영백(Y.P. Lee) 한국진공학회(ASCT) 1996 p.188-193
Electronic Structure, Bonding, and Lithium Migration Effects of the Mixed Conductor β - LiAl
장건익(Gun-Eik Jang), I.M. Curelaru 한국진공학회(ASCT) 1996 p.194-198
김성복(Sung-Bock Kim), 박성주(Seong-Ju Park),노정래(Jeong-Rae Ro),이일항(El-Hang Lee) 한국진공학회(ASCT) 1996 p.199-205
저압 유기금속 화학증착법을 이용한 InP 기판에 격자 일치된 In0.53Ga0.47As 에피층의 성장
박형수(Hyung-soo Park), 문영부(Young-boo Moon),윤의준(Euijoon Yoon),조확동(Hak-dong Cho),강태원(Tae-won Kang) 한국진공학회(ASCT) 1996 p.206-212
박복남(Bok-Nam Park), 방태환(Tae-Whan Bang),김종룡(Jong-Ryong Kim),장우선(Woo-Sun Jang),최성휴(Sung-Hyu Choe) 한국진공학회(ASCT) 1996 p.213-217
문영희(Y.H. Mun), 배인호(I.H. Bae),김말문(M.M.Kim),한병국(B.K. Han),김창수(C.S. Kim),홍승수(S.S. Hong),신용현(Y.H. Sin),정광화(K.H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1996 p.218-222
Remote PECVD로 저온성장된 SiO₂ / InSb의 전기적 특성
이재곤(Jae-Gon Lee), 박상준(Sang-Jun Park),최시영(Sie-Young Choi) 한국진공학회(ASCT) 1996 p.223-228
절연보호막 처리된 Al - 1%Si박막배선에서 D.C.와 Pulsed D.C. 조건하에서의 electromigration현상에 관한 연구.
배성태(S. T. Bae), 김진영(J. Y. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1996 p.229-238
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