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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      시뮬레이션을 통한 Thyristor RAM에서 Band to Band Tunneling이 소자 특성에 미치는 영향 연구 = Simulation Study on the Effect of Band to Band Tunneling on the Characteristics of Thyristor RAM

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      https://www.riss.kr/link?id=A105519366

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      In this paper, the characteristics according to the channel junction condition between n- and p-type layers of the thyristor random access memory (TRAM) is investigated by using technology computer aided design (TCAD) simulation. Simulation studies ar...

      In this paper, the characteristics according to the channel junction condition between n- and p-type layers of the thyristor random access memory (TRAM) is investigated by using technology computer aided design (TCAD) simulation. Simulation studies are performed with the TRAM having a vertical polycrystalline silicon (poly-Si) channel. From the simulation results, the TRAM device has the on/off current ratio (>10<SUP>4</SUP>) reduced by 3 orders compared with the results without BTBT effect, and it is confirmed that fast write speed (< 8 ns) and non-destructive read operation are maintained.

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      목차 (Table of Contents)

      • Abstract
      • I. 서론
      • II. 본론
      • III. 결론
      • 참고문헌
      • Abstract
      • I. 서론
      • II. 본론
      • III. 결론
      • 참고문헌
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