본 논문에서는 대칭형 이중 게이트 MOSFET의 회로해석에 대한 등가모델을 제시하고자 해석적 모델을 연구하였다. 본 연구의 해석적 모델에 사용된 방법은 2차원 포아송 방정식의 해를 가정하...
http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=A82508390
2010
Korean
KCI등재
학술저널
243-249(7쪽)
0
0
상세조회0
다운로드국문 초록 (Abstract)
본 논문에서는 대칭형 이중 게이트 MOSFET의 회로해석에 대한 등가모델을 제시하고자 해석적 모델을 연구하였다. 본 연구의 해석적 모델에 사용된 방법은 2차원 포아송 방정식의 해를 가정하...
본 논문에서는 대칭형 이중 게이트 MOSFET의 회로해석에 대한 등가모델을 제시하고자 해석적 모델을 연구하였다. 본 연구의 해석적 모델에 사용된 방법은 2차원 포아송 방정식의 해를 가정하여 표면 전위 관계식을 유도하여 실리콘 몸체 내의 전위분포를 풀어 드레인 전압 변화에 대한 문턱전압 관계식을 도출하였다. 단채널 및 장채널 실리콘 채널에서 모두 해석이 가능한 해석적 모델을 적용 가능하도록 하기 위해 MOSFET의 채널 길이에 따른 제한된 지수함수를 적용함으로써 수백 나노미터까지 해석이 가능한 대칭형 이중 게이트 MOSFET 해석적 모델을 연구하였다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
In this thesis, in order to a equivalent circuit-analytical study for a symmetric double gate type MOSFET, we slove analytically the 2D Poisson's equation in a a silicon body. To solve the threshold voltage in a symmetric double gate type MOSFET from ...
In this thesis, in order to a equivalent circuit-analytical study for a symmetric double gate type MOSFET, we slove analytically the 2D Poisson's equation in a a silicon body. To solve the threshold voltage in a symmetric double gate type MOSFET from the derived expression for the surface potential which the two-dimensional potential distribution of a symmetric double gate type MOSFET is assumed approximately. This thesis can use short and long channel in a silicon body we introduce a new the threshold voltage model in a symmetric double gate type MOSFET and measure it the distance about the range of channel length up to 0.1 [㎛].
목차 (Table of Contents)
참고문헌 (Reference)
1 K. K. Young, "Short-channel effect in fully depleted SOI MOSFETs" 36 (36): 399-402, 1989
2 K. N. Ratnakumer, "Short-channel MOST threshold Voltage Model" SC-17 : 937-947, 1982
3 Weimin Zhang, "Physical insights regarding design and performance of independent-gate FinFETs" 52 (52): 2198-2206, 2005
4 S. P. Sinha, "Investigation of carrier generation in fully depleted enhancement and accumulation mode SOI MOSFET's" 42 (42): 2413-2416, 1994
5 T. J. Cunningham, "Deep cryogenic noise and electrical characterization of the complementary heterojunction field-effect transistor (CHFET)" 41 (41): 888-894, 1994
6 Ge. Lixin, "Analytical modeling of quantization and volume inversion in thin Si-film DG MOSFETs" 49 (49): 287-294, 2002
7 K. W. Terrill, "An Analytical Model for the Channel Electric Field in MOSFET's with Graded-Drain Structures" 5 (5): 440-442, 1984
8 A. Dasgupta, "A two-dimensional analytical model of threshold voltages of short-channel MOSFETs with Gaussian-doped channels" 35 (35): 390-392, 1988
9 Y.Omura, "A simple model for short-channel effects of a buried-channel MOSFET on the buried insulator" 29 (29): 1749-1755, 1982
10 Ni. Pei, "A physical compact model of DG MOSFET for mixed-signal circuit applications- part I : model description" 51 (51): 2135-2143, 2004
1 K. K. Young, "Short-channel effect in fully depleted SOI MOSFETs" 36 (36): 399-402, 1989
2 K. N. Ratnakumer, "Short-channel MOST threshold Voltage Model" SC-17 : 937-947, 1982
3 Weimin Zhang, "Physical insights regarding design and performance of independent-gate FinFETs" 52 (52): 2198-2206, 2005
4 S. P. Sinha, "Investigation of carrier generation in fully depleted enhancement and accumulation mode SOI MOSFET's" 42 (42): 2413-2416, 1994
5 T. J. Cunningham, "Deep cryogenic noise and electrical characterization of the complementary heterojunction field-effect transistor (CHFET)" 41 (41): 888-894, 1994
6 Ge. Lixin, "Analytical modeling of quantization and volume inversion in thin Si-film DG MOSFETs" 49 (49): 287-294, 2002
7 K. W. Terrill, "An Analytical Model for the Channel Electric Field in MOSFET's with Graded-Drain Structures" 5 (5): 440-442, 1984
8 A. Dasgupta, "A two-dimensional analytical model of threshold voltages of short-channel MOSFETs with Gaussian-doped channels" 35 (35): 390-392, 1988
9 Y.Omura, "A simple model for short-channel effects of a buried-channel MOSFET on the buried insulator" 29 (29): 1749-1755, 1982
10 Ni. Pei, "A physical compact model of DG MOSFET for mixed-signal circuit applications- part I : model description" 51 (51): 2135-2143, 2004
11 Yu Tian, "A novel nanoscaled device concept: quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET" 52 (52): 561-568, 2005
타이어에서 발생하는 초음파 신호의 주기성 검출에 의한 손상 분별
Performance of Decorrelator for Multirate Multicarrier DS/CDMA System
RFID 및 생체정보를 이용한 보안시스템의 설계 및 구현
학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | |
2014-01-08 | 학술지명변경 | 외국어명 : 미등록 -> The Journal of The Institute of Internet, Broadcasting and Communication | |
2013-12-26 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute of Webcasting, Internet and Telecommunication -> The Institute of Internet, Broadcasting and Communication | |
2013-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | |
2011-02-22 | 학술지명변경 | 한글명 : 한국인터넷방송통신TV학회 논문지 -> 한국인터넷방송통신학회 논문지 | |
2010-06-21 | 학회명변경 | 한글명 : 한국인터넷방송통신TV학회 -> 한국인터넷방송통신학회영문명 : Institute Of Webcasting, Internet Television And Telecommunication -> The Institute of Webcasting, Internet and Telecommunication | |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
2009-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | |
2008-06-17 | 학술지등록 | 한글명 : 한국인터넷방송통신TV학회 논문지외국어명 : 미등록 | |
2008-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | |
2006-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | |
2005-08-25 | 학회명변경 | 한글명 : 한국인터넷방송/TV학회 -> 한국인터넷방송통신TV학회영문명 : Institute Of Webcasting, Internet Television And Telecommunication -> Institute Of Webcasting, Internet Television And Telecommunication |
학술지 인용정보
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.46 | 0.46 | 0.41 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.36 | 0.33 | 0.442 | 0.16 |