1 D. Zhuang, 48 : 1-, 2005
2 H. Seidel, 137 : 3612-, 1990
3 S. Lin, 15 : 833-, 2012
4 P. H. Yih, 202 : 605-, 1997
5 D. H. van Dorp, 17 : S50-, 2007
6 Z. C. Feng, 64 : 3176-, 1988
7 M. Syvajarvi, 11 : 10041-, 1999
8 H. Fujiwara, 100 : 242102-, 2012
9 B. Gokce, 107 : 17503-, 2010
10 J. Y. Yen, 76 : 1834-, 2000
1 D. Zhuang, 48 : 1-, 2005
2 H. Seidel, 137 : 3612-, 1990
3 S. Lin, 15 : 833-, 2012
4 P. H. Yih, 202 : 605-, 1997
5 D. H. van Dorp, 17 : S50-, 2007
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7 M. Syvajarvi, 11 : 10041-, 1999
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10 J. Y. Yen, 76 : 1834-, 2000
11 S. Ha, 389-393 : 443-, 2002
12 J. L. Weyher, 202 : 578-, 2005
13 Y. Gao, 815 : 139-, 2004
14 M. Katsuno, 38 : 4661-, 1999
15 R. Yakimova, 6 : 1456-, 1997
16 Y. Yao, 50 : 0755021-, 2011
17 D. Siche, 270 : 1-, 2004
18 J. W. Faust, Jr., "Silicon Carbide, Processing of Silicon Carbide for Devices" Pergamon Press 408-, 1959
19 P. Friedrichs, "Silicon Carbide vol 1: Growth, Defects, and Novel Applications" Wiley-VCH 2-, 2010
20 "KR Patent, 10-2011-0042496"