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      KCI등재

      기판 바이어스 전압을 이용한 태양전지용 GZO 박막의 전기적, 광학적 특성 = Electrical and Optical Properties of GZO Thin Films using Substrate Bias Voltage for Solar Cell

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      https://www.riss.kr/link?id=A101053272

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      In this paper we report upon an investigation into the effect of DC bias voltage on the electrical and optical properties of Gallium doped zinc oxide (GZO) film. GZO films were deposited on glass substrate without substrate temperature by RF magnetron...

      In this paper we report upon an investigation into the effect of DC bias voltage on the electrical and optical properties of Gallium doped zinc oxide (GZO) film. GZO films were deposited on glass substrate without substrate temperature by RF magnetron sputtering from a ZnO target mixed with 5 wt% $Ga_{2}O_{3}$. we investigated sample properties of bias voltage change in 0 to -60 V. We were able to achieve as low as $5.89{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and transmittance over 88 %. without substrate heating.

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      참고문헌 (Reference)

      1 김영기, "불평형 마그네트론스파트링에 의한 ac-PDP용 ITO 박막의 전기적-광학적 특성에 관한 연구" 59 : 99-, 2000

      2 황득규, "ZnO계 소자 연구 동향" 15 (15): 35-, 2002

      3 H. L. Hartnagel, "Semiconducting Transparent" Thi. Fil. Ins. of Phy. Pub. 152-, 1995

      4 이종무, "RF 전력과 산소 유량비에 따른 두명전극용 AZO박막의 특성비교" 대한금속·재료학회 43 (43): 810-814, 2005

      5 박용육, "RF 마그네트론 반응성 스퍼터링으로 제 작된 ZnO/Glass 박막 특성" 11 (11): 833-, 1998

      1 김영기, "불평형 마그네트론스파트링에 의한 ac-PDP용 ITO 박막의 전기적-광학적 특성에 관한 연구" 59 : 99-, 2000

      2 황득규, "ZnO계 소자 연구 동향" 15 (15): 35-, 2002

      3 H. L. Hartnagel, "Semiconducting Transparent" Thi. Fil. Ins. of Phy. Pub. 152-, 1995

      4 이종무, "RF 전력과 산소 유량비에 따른 두명전극용 AZO박막의 특성비교" 대한금속·재료학회 43 (43): 810-814, 2005

      5 박용육, "RF 마그네트론 반응성 스퍼터링으로 제 작된 ZnO/Glass 박막 특성" 11 (11): 833-, 1998

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      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (재인증) KCI등재
      2017-01-01 평가 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
      2013-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2001-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      1998-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      학술지 인용정보

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.13 0.13 0.13
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.14 0.14 0.247 0.06
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