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      HgI_2단 결정 성장 및 Photoluminescence 측정 = The HgI_2 single crystal growth and its properties of photoluminescenc

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      https://www.riss.kr/link?id=A19592085

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      I have grown HgI_2 single crystal by the method of Periodic oscillation of crystal temperature. As a result of measuring the photoluminescence of this crystal at the low temperature, I observed these exciting bands and determined from the temperature ...

      I have grown HgI_2 single crystal by the method of Periodic oscillation of crystal temperature. As a result of measuring the photoluminescence of this crystal at the low temperature, I observed these exciting bands and determined from the temperature dependency of the photoluminescence spectrum that the binding energy of the exciton - defect complex was 6.9 meV.

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      목차 (Table of Contents)

      • Ⅰ. 서 론
      • Ⅱ. 이 론
      • 1. 천이비율
      • 2. 기본 천이과정
      • 1) free exciton재결합
      • Ⅰ. 서 론
      • Ⅱ. 이 론
      • 1. 천이비율
      • 2. 기본 천이과정
      • 1) free exciton재결합
      • 2) bound exciton재결합
      • 3) band gap에너지의 온도의존성
      • Ⅲ. 단 결정 성장
      • 1. 단 결정 성장로
      • 2. 결정성장
      • Ⅳ. Photoluminescence측정
      • 1. PL측정 방법
      • 2. PL측정 및 고찰
      • 3. PL의 온도 의존성
      • Ⅴ. 요 약
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