본 논문에서는 TSMC 65 nm CMOS 공정를 이용하여 V-대역 이단 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 수동소자를 사용한 간단한 구조의 정합회로를 구성하였고, 입력과 출력 정합회로를 모두 집적하...
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2016
Korean
KCI등재
학술저널
1069-1074(6쪽)
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본 논문에서는 TSMC 65 nm CMOS 공정를 이용하여 V-대역 이단 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 수동소자를 사용한 간단한 구조의 정합회로를 구성하였고, 입력과 출력 정합회로를 모두 집적하...
본 논문에서는 TSMC 65 nm CMOS 공정를 이용하여 V-대역 이단 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 수동소자를 사용한 간단한 구조의 정합회로를 구성하였고, 입력과 출력 정합회로를 모두 집적하였다. Pre-distortion 기법을 통해 전력 이득을 보상해 줌으로써 전력증폭기의 선형성을 향상시켰다. 제작된 전력증폭기는 58.8 GHz의 동작 주파수와 1 V의 동작 전압에서 10.4 dB의 전력 이득, 9.7 dBm의 출력 전력 및 20.8 %의 효율 특성을 나타내었다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
This paper presents a V-band two-stage power amplifier integrated circuit using TSMC 65 nm CMOS process. The simple input, output, and inter-stage matching networks based on passive components are integrated. By compensating for power gain characteris...
This paper presents a V-band two-stage power amplifier integrated circuit using TSMC 65 nm CMOS process. The simple input, output, and inter-stage matching networks based on passive components are integrated. By compensating for power gain characteristics using a pre-distortion technique, the linearity of the power amplifier was improved. The implemented two-stage power amplifier showed a power gain of 10.4 dB, a saturated output power of 9.7 dBm, and an efficiency of 20.8 % with a supply voltage of 1 V at the frequency band of 58.8 GHz.
목차 (Table of Contents)
참고문헌 (Reference)
1 K. Y. Kao, "Phase-delay cold-fet pre-distortion linearizer for millimeterwave CMOS power amplifiers" 61 (61): 4505-4519, 2013
2 J. Y. C. Liu, "Millimeter-wave self-healing power amplifier with adaptive amplitude and phase linearization in 65-nm CMOS" 60 (60): 1342-1352, 2012
3 D. Chowdhury, "Design considerations for 60 GHz transformer-coupled CMOS power amplifiers" 44 (44): 2733-2744, 2009
4 He, Ying, "Design considerations for 60 GHz CMOS power amplifiers" 1613-1616, 2010
5 J. C. Wu, "A 60-GHz single-ended-to-differential vector sum phase shifter in CMOS for phased-array receiver" 1-4, 2011
6 J. Y. C. Liu, "A 60 GHz tunable output profile power amplifier in 65 nm CMOS" 21 (21): 377-379, 2011
7 A. Siligaris, "A 60 GHz power amplifier with 14. 5dBm saturation power and 25 % peak PAE in CMOS 65nm SOI" 168-171, 2009
8 Y. C. Hsu, "A 60 GHz CMOS power amplifier with modified pre-distortion linearizer" 1-4, 2013
9 J. H. Tsai, "A 60 GHz CMOS power amplifier with built-in predistortion linearizer" 21 (21): 676-678, 2011
10 H. Asada, "A 60 GHz CMOS power amplifier using capacitive cross-coupling neutralization with 16 % PAE" 2011 : 554-557, 2011
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11 W. Fei, "A 54 to 62. 8 GHz PA with 95. 2 mW/mm2 output power density by 4×4 distributed in-phase power combining in 65nm CMOS" 1-4, 2014
12 N. Kurita, "60 GHz and 80 GHz wide band power amplifier MMICs in 90 nm CMOS technology" 39-42, 2009
이득 증가와 부엽 억제를 위한 저속파 구조의 설계변수에 대한 연구
2.4 GHz 무선 키보드/마우스 전자파 신호 분석 및 조작 시스템 구축
고속 직렬 인터페이스 커넥터의 설계 및 분석에 대한 연구
확산 스펙트럼 생성기를 이용한 적외선 카메라의 방사노이즈 저감에 관한 연구
학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2027 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2021-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | |
2018-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2008-04-08 | 학술지명변경 | 외국어명 : The Journal Of The Korea Electromagnetic Engineering Society -> The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science | |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | |
2000-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) |
학술지 인용정보
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.2 | 0.2 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.13 | 0.363 | 0.1 |