RISS 검색 - 국내학술지논문 상세보기

부가정보

국문 초록 (Abstract)

SSD법으로 반절연성 InP : Fe 단결정(Fe 함량;0.1, 0.5, 1.0 wt-%)을 생장하였으며 비저항과 hall 이동도는 실온에서 각각 10^6∼10^8Ω·㎝와 10^2∼10^4㎠/V·sec 이었다. 결정의 생장조건은 온도구배 15∼20�...

SSD법으로 반절연성 InP : Fe 단결정(Fe 함량;0.1, 0.5, 1.0 wt-%)을 생장하였으며 비저항과 hall 이동도는 실온에서 각각 10^6∼10^8Ω·㎝와 10^2∼10^4㎠/V·sec 이었다. 결정의 생장조건은 온도구배 15∼20℃/㎝, 생장온도 850∼870℃, 생장속도 2∼3㎜/day이었다.
비저항의 온도의존성과 광전도도를 측정하여 InP내의 Fe는 deep acceptor로서 에너지 준위는 E_c-0.66eV임을 알았다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Single crystals of InP : Fe (Fe contents ; 0.1, 0.5, 1.0 wt-%) have been grown by the SSD method. The Hall effect was investigated at room temperature; the resistivity was 10^6∼10^8Ω·㎝ and Hall mobility 10^2∼10^4㎠/V·sec. The crystals were grown by the following conditions; the temperature gradient was 15∼20℃/㎝, the growth temperature 850∼870℃, and the growth rate 2∼3㎜/day.
From the temperature dependence of the resistivity and the photoconductivity measurements we determined the deep acceptor level of Fe InP, E_c 0.66eV.